NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1998年7月
NM27C256
262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C256是256K电可编程只读
内存。这是飞兆半导体最新的CMOS分裂栅制造
EPROM技术，这使得它的速度快操作
90 ns的访问时间在整个工作范围内。
该NM27C256提供基于微处理器的系统exten-
西伯存储容量为操作系统的大部分与
应用软件。其90 ns访问时间提供高速
操作高性能的CPU。该NM27C256提供
对于100％的代码存储要求的单芯片解决方案
基于固件的设备。经常使用的软件程序
很快从EPROM存储执行，极大地提高了
系统实用程序。
该NM27C256配置在标准EPROM引出线
它提供了一个简单的升级路径，这是系统
目前使用的标准的EPROM 。
该NM27C256是高密度EPROM家庭中的一员
其范围在密度高达4 MB。
特点
s
高性能CMOS
- 90 ns访问时间
s
JEDEC标准的引脚配置
28引脚PDIP封装
- 32引脚芯片载体
- 28引脚封装CERDIP
s
简易替换为27C256或27256
s
制造商标识代码
框图
VCC
GND
VPP
OE
OUTPUT ENABLE
和芯片使能逻辑
CE / PGM
数据输出O0 - O7
产量
缓冲器
Y译码
..
门控
A0 - A14
地址
输入
.......
X解码器
DS010833-1
1998仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C512
A19 XX / XX VPP / VPP XX / VPP
A16
A16
A16
A16
A15
A15
A15
A15
A12
A12
A12
A12
A7
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A6
A5
A5
A5
A5
A4
A4
A4
A4
A3
A3
A3
A3
A2
A2
A2
A2
A1
A1
A1
A1
A0
A0
A0
A0
O0
O0
O0
O0
O1
O1
O1
O1
O2
O2
O2
O2
GND GND
GND
GND
DLP
NM27C256
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
27C512
27C010
27C020
27C040
27C080
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
VCC
VCC
VCC
VCC
XX / XX PGM / PGM A18
A18
VCC
V
CC
XX
A17
A17
A17
A14
A14
A14
A14
A14
A14
A13
A13
A13
A13
A13
A13
A8
A8
A8
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A9
A9
A9
A11
A11
A11
A11
A11
A11
OE / VPP
OE
OE
OE
OE
OE / VPP
A10
A10
A10
A10
A10
A10
CE / PGM
CE / PGM
CE
CE
CE / PGM CE / PGM
O7
O7
O7
O7
O7
O7
O6
O6
O6
O6
O6
O6
O5
O5
O5
O5
O5
O5
O4
O4
O4
O4
O4
O4
O3
O3
O3
O3
O3
O3
DS010833-2
注意：
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C256销的块。
商业温度。范围（ 0
°
C至+70
°
C)
V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
NM27C256 Q， N，V 90
NM27C256 Q， N，V 100
NM27C256 Q， N，V 120
NM27C256 Q， N，V 150
NM27C256 Q， N，V 200
引脚名称
符号
A0–A14
CE / PGM
OE
O0–O7
XX
描述
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
访问时间（纳秒）
90
100
120
150
200
扩展级温度。范围（-40
°
C至+ 85
°
C)
V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
NM27C256 QE ， NE ， VE 120
NM27C256 QE ， NE ， VE 150
NM27C256 QE ， NE ， VE 200
PLCC
A
7
A
12
V
PP
XX
V
CC
A
14
A
13
4
3
2
1 32 31 30
访问时间（纳秒）
120
150
200
注意：
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围。
套餐类型： NM27C256 Q， N，V XXX
Q =石英窗陶瓷DIP
N =塑料DIP OTP
V =表面贴装PLCC
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证正常的速度较慢。
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
XX
O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
XX
OE
A
10
CE / PGM
O
7
O
6
O
1
O
2
GND
XX
O
3
O
4
O
5
DS010833-3
顶部
2
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9就
对地
V
CC
与电源电压
对于地面
-65 ° C至+ 150°C
-0.6V至+ 7V
-0.7V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
ESD保护
所有输出电压与
对于地面
＆ GT ; 2000V
V
CC
+ 1.0V至GND -0.6V
工作范围
范围
Comm'l
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
±10%
+5V
±10%
读操作
DC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
（注11 ）
I
SB2
I
CC1
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流
（ CMOS）的
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流
TTL输入
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
， F = 5兆赫
输入= V
IH
或V
IL
， I / O = 0毫安
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.7
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
3.5
100
1
35
10
V
CC
1
10
A
mA
mA
A
V
A
A
AC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从输出保持
地址
CE或OE ，无论
第一次发生
90
100
120
150
200
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
90
90
35
30
0
0
100
100
50
30
0
120
120
50
35
0
150
150
50
45
0
200
200
50
45
ns
电容
（注2 ）T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件典型值最大值单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
6
9
12
12
pF
pF
3
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和CL = 100 pF的（注8）
≤
5纳秒
0.45 2.4V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注10 ）
输入
0.8V和2.0V
输出
0.8V和2.0V
AC波形
（注6 ） （注7） （注9 ）
地址
2.0V
0.8V
地址是合法的
CE
2.0V
0.8V
t
CE
t
CE
（注4,5）
OE
2.0V
0.8V
t
OE
（注3）
t
DF
（注4,5）
产量
2.0V
0.8V
高阻
t
加
（注3）
有效的输出
t
OH
高阻
DS010833-4
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是值仅为的功能操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
= 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
注11 ：
CMOS输入： V
IL
= GND
±0.3V,
V
IH
= V
CC
±0.3V.
编程特性
（注12 ） （注13 ） （注14 ） （注15 ）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
4
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程特性
（注12 ） （注13 ） （注14 ） （注15 ） （续）
符号
t
AS
t
OES
t
VPS
t
VCS
t
DS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能输出
浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
电源电流
在编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
CE = V
IL
0
45
50
60
105
100
30
50
ns
s
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
CE = V
IL
CE = V
IL
20
6.25
12.5
5
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
2.4
0.8
0.8
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
编程波形
（注14 ）
节目
节目
VERIFY
地址
2.0V
0.8V
t
AS
地址n
t
AH
数据稳定
增加N
t
DS
t
DH
数据输出有效
增加N
t
DF
数据
2.0V
0.8V
V
CC
5.25V
t
VCS
V
PP
12.75V
t
VPS
2.0V
0.8V
t
OES
t
PW
t
OE
CE
OE
2.0V
0.8V
DS010833-5
注12 ：
飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注13 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注14 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注15 ：
在上电期间的PGM引脚必须拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
5
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1998年7月
NM27C256
262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C256是256K电可编程只读
内存。这是飞兆半导体最新的CMOS分裂栅制造
EPROM技术，这使得它的速度快操作
90 ns的访问时间在整个工作范围内。
该NM27C256提供基于微处理器的系统exten-
西伯存储容量为操作系统的大部分与
应用软件。其90 ns访问时间提供高速
操作高性能的CPU。该NM27C256提供
对于100％的代码存储要求的单芯片解决方案
基于固件的设备。经常使用的软件程序
很快从EPROM存储执行，极大地提高了
系统实用程序。
该NM27C256配置在标准EPROM引出线
它提供了一个简单的升级路径，这是系统
目前使用的标准的EPROM 。
该NM27C256是高密度EPROM家庭中的一员
其范围在密度高达4 MB。
特点
s
高性能CMOS
- 90 ns访问时间
s
JEDEC标准的引脚配置
28引脚PDIP封装
- 32引脚芯片载体
- 28引脚封装CERDIP
s
简易替换为27C256或27256
s
制造商标识代码
框图
VCC
GND
VPP
OE
OUTPUT ENABLE
和芯片使能逻辑
CE / PGM
数据输出O0 - O7
产量
缓冲器
Y译码
..
门控
A0 - A14
地址
输入
.......
X解码器
DS010833-1
1998仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C512
A19 XX / XX VPP / VPP XX / VPP
A16
A16
A16
A16
A15
A15
A15
A15
A12
A12
A12
A12
A7
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A6
A5
A5
A5
A5
A4
A4
A4
A4
A3
A3
A3
A3
A2
A2
A2
A2
A1
A1
A1
A1
A0
A0
A0
A0
O0
O0
O0
O0
O1
O1
O1
O1
O2
O2
O2
O2
GND GND
GND
GND
DLP
NM27C256
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
27C512
27C010
27C020
27C040
27C080
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
VCC
VCC
VCC
VCC
XX / XX PGM / PGM A18
A18
VCC
V
CC
XX
A17
A17
A17
A14
A14
A14
A14
A14
A14
A13
A13
A13
A13
A13
A13
A8
A8
A8
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A9
A9
A9
A11
A11
A11
A11
A11
A11
OE / VPP
OE
OE
OE
OE
OE / VPP
A10
A10
A10
A10
A10
A10
CE / PGM
CE / PGM
CE
CE
CE / PGM CE / PGM
O7
O7
O7
O7
O7
O7
O6
O6
O6
O6
O6
O6
O5
O5
O5
O5
O5
O5
O4
O4
O4
O4
O4
O4
O3
O3
O3
O3
O3
O3
DS010833-2
注意：
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C256销的块。
商业温度。范围（ 0
°
C至+70
°
C)
V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
NM27C256 Q， N，V 90
NM27C256 Q， N，V 100
NM27C256 Q， N，V 120
NM27C256 Q， N，V 150
NM27C256 Q， N，V 200
引脚名称
符号
A0–A14
CE / PGM
OE
O0–O7
XX
描述
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
访问时间（纳秒）
90
100
120
150
200
扩展级温度。范围（-40
°
C至+ 85
°
C)
V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
NM27C256 QE ， NE ， VE 120
NM27C256 QE ， NE ， VE 150
NM27C256 QE ， NE ， VE 200
PLCC
A
7
A
12
V
PP
XX
V
CC
A
14
A
13
4
3
2
1 32 31 30
访问时间（纳秒）
120
150
200
注意：
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围。
套餐类型： NM27C256 Q， N，V XXX
Q =石英窗陶瓷DIP
N =塑料DIP OTP
V =表面贴装PLCC
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证正常的速度较慢。
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
XX
O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
XX
OE
A
10
CE / PGM
O
7
O
6
O
1
O
2
GND
XX
O
3
O
4
O
5
DS010833-3
顶部
2
www.fairchildsemi.com
NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9就
对地
V
CC
与电源电压
对于地面
-65 ° C至+ 150°C
-0.6V至+ 7V
-0.7V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
ESD保护
所有输出电压与
对于地面
＆ GT ; 2000V
V
CC
+ 1.0V至GND -0.6V
工作范围
范围
Comm'l
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
±10%
+5V
±10%
读操作
DC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
（注11 ）
I
SB2
I
CC1
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流
（ CMOS）的
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流
TTL输入
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
， F = 5兆赫
输入= V
IH
或V
IL
， I / O = 0毫安
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.7
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
3.5
100
1
35
10
V
CC
1
10
A
mA
mA
A
V
A
A
AC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从输出保持
地址
CE或OE ，无论
第一次发生
90
100
120
150
200
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
90
90
35
30
0
0
100
100
50
30
0
120
120
50
35
0
150
150
50
45
0
200
200
50
45
ns
电容
（注2 ）T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件典型值最大值单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
6
9
12
12
pF
pF
3
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和CL = 100 pF的（注8）
≤
5纳秒
0.45 2.4V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注10 ）
输入
0.8V和2.0V
输出
0.8V和2.0V
AC波形
（注6 ） （注7） （注9 ）
地址
2.0V
0.8V
地址是合法的
CE
2.0V
0.8V
t
CE
t
CE
（注4,5）
OE
2.0V
0.8V
t
OE
（注3）
t
DF
（注4,5）
产量
2.0V
0.8V
高阻
t
加
（注3）
有效的输出
t
OH
高阻
DS010833-4
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是值仅为的功能操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
= 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
注11 ：
CMOS输入： V
IL
= GND
±0.3V,
V
IH
= V
CC
±0.3V.
编程特性
（注12 ） （注13 ） （注14 ） （注15 ）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
4
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NM27C256 262,144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程特性
（注12 ） （注13 ） （注14 ） （注15 ） （续）
符号
t
AS
t
OES
t
VPS
t
VCS
t
DS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能输出
浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
电源电流
在编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
CE = V
IL
0
45
50
60
105
100
30
50
ns
s
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
CE = V
IL
CE = V
IL
20
6.25
12.5
5
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
2.4
0.8
0.8
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
编程波形
（注14 ）
节目
节目
VERIFY
地址
2.0V
0.8V
t
AS
地址n
t
AH
数据稳定
增加N
t
DS
t
DH
数据输出有效
增加N
t
DF
数据
2.0V
0.8V
V
CC
5.25V
t
VCS
V
PP
12.75V
t
VPS
2.0V
0.8V
t
OES
t
PW
t
OE
CE
OE
2.0V
0.8V
DS010833-5
注12 ：
飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注13 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注14 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注15 ：
在上电期间的PGM引脚必须拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
5
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