NM27C256 262 144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1993年12月
NM27C256
262 144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C256是256K电可编程只读
只有记忆是各国的最新CMOS制造
分闸EPROM技术，使得它在运行
速度一样快，在整个工作120纳秒访问时间
范围
该NM27C256提供基于微处理器的系统
广泛的存储容量为经营的大部分
系统和应用软件及其120 ns访问时间
提供具有高性能的CPU高速运行
该NM27C256提供的代码的单芯片解决方案
100 ％基于固件的设备的存储需求
经常使用的软件程序，可以快速执行
从EPROM存储极大地提高了系统实用程序
该NM27C256配置在标准EPROM引脚
从它提供了一个简单的升级路径系统，
目前正在使用标准的EPROM
该NM27C256是一个高密度的EPROM的一个成员
家中最多范围，密度为4 MB
特点
Y
Y
Y
Y
高性能CMOS
120 ns访问时间
JEDEC标准的引脚配置
28引脚DIP封装
32引脚芯片载体
简易替换为27C256或27256
制造商标识代码
框图
TL 10833 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
HPC
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 10833
RRD - B30M65印制在U S A
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C512
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX V
PP
XX V
PP
XX V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
TL 10833 - 2
27C512 27C010 27C020 27C040 27C080
DIP
NM27C256
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE V
PP
A10
CE PGM
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
XX
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE V
PP
A10
O7
O6
O5
O4
O3
XX XX PGM PGM
CE CE PGM PGM
记
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C256销块
商用温度范围（ 0℃至
a
70 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 Q V 120
NM27C256 Q V 150
NM27C256 Q V 200
访问时间（纳秒）
120
150
200
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 QE NE VE 120
NM27C256 QE NE VE 150
NM27C256 QE NE VE 200
访问时间（纳秒）
120
150
200
军用温度范围（
b
55 ℃
a
125 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 QM 150
NM27C256 QM 250
访问时间（纳秒）
150
250
记
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围
封装类型NM27C256 Q V XXX
Q
e
石英窗陶瓷DIP
N
e
塑料DIP OTP
V
e
表面贴装PLCC
所有封装符合JEDEC标准
所有版本都保证正常的慢
速度
PLCC
引脚名称
符号
A0–A14
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
描述
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
顶部
TL 10833 - 3
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
f
e
1兆赫（注2 ）
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
典型值
6
9
最大
12
12
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
输入脉冲电平
定时测量参考电平
输入
输出
0 45 2 4V
（注10 ）
0 8V和2 0V
0 8V和2 0V
AC波形
（注6
图7和9）
TL 10833 - 4
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是值仅为功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
b
t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
e
100 pF的包括夹具电容
注9
V
PP
可以连接到V
CC
除非在编程过程中
注10
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值）
注11
CMOS输入V
IL
e
GND
g
0 3V V
IH
e
V
CC
g
0 3V
4
编程特性
（注1
符号
t
AS
t
OES
t
VPS
t
VCS
t
DS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能输出
浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
电源电流
在编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
2 3 4和5）
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
CE
e
V
IL
0
95
CE
e
V
IL
CE
e
V
IL
100
60
105
100
30
50
20
60
12 5
5
00
24
08
08
40
20
20
0 45
25
6 25
12 75
30
65
13 0
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ns
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
（注3）
TL 10833 - 5
注1
美国国家半导体的标准产品保修适用于编程，本文所述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
PP
V
CC
到GND压制
杂散电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
注5
在上电期间的PGM引脚必须拉高（
t
V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
5
NM27C256 262 144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1993年12月
NM27C256
262 144位（ 32K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C256是256K电可编程只读
只有记忆是各国的最新CMOS制造
分闸EPROM技术，使得它在运行
速度一样快，在整个工作120纳秒访问时间
范围
该NM27C256提供基于微处理器的系统
广泛的存储容量为经营的大部分
系统和应用软件及其120 ns访问时间
提供具有高性能的CPU高速运行
该NM27C256提供的代码的单芯片解决方案
100 ％基于固件的设备的存储需求
经常使用的软件程序，可以快速执行
从EPROM存储极大地提高了系统实用程序
该NM27C256配置在标准EPROM引脚
从它提供了一个简单的升级路径系统，
目前正在使用标准的EPROM
该NM27C256是一个高密度的EPROM的一个成员
家中最多范围，密度为4 MB
特点
Y
Y
Y
Y
高性能CMOS
120 ns访问时间
JEDEC标准的引脚配置
28引脚DIP封装
32引脚芯片载体
简易替换为27C256或27256
制造商标识代码
框图
TL 10833 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
HPC
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 10833
RRD - B30M65印制在U S A
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C512
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX V
PP
XX V
PP
XX V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
TL 10833 - 2
27C512 27C010 27C020 27C040 27C080
DIP
NM27C256
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE V
PP
A10
CE PGM
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
XX
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE V
PP
A10
O7
O6
O5
O4
O3
XX XX PGM PGM
CE CE PGM PGM
记
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C256销块
商用温度范围（ 0℃至
a
70 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 Q V 120
NM27C256 Q V 150
NM27C256 Q V 200
访问时间（纳秒）
120
150
200
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 QE NE VE 120
NM27C256 QE NE VE 150
NM27C256 QE NE VE 200
访问时间（纳秒）
120
150
200
军用温度范围（
b
55 ℃
a
125 C)
V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NM27C256 QM 150
NM27C256 QM 250
访问时间（纳秒）
150
250
记
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围
封装类型NM27C256 Q V XXX
Q
e
石英窗陶瓷DIP
N
e
塑料DIP OTP
V
e
表面贴装PLCC
所有封装符合JEDEC标准
所有版本都保证正常的慢
速度
PLCC
引脚名称
符号
A0–A14
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
描述
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
顶部
TL 10833 - 3
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
f
e
1兆赫（注2 ）
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
典型值
6
9
最大
12
12
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
输入脉冲电平
定时测量参考电平
输入
输出
0 45 2 4V
（注10 ）
0 8V和2 0V
0 8V和2 0V
AC波形
（注6
图7和9）
TL 10833 - 4
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是值仅为功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
b
t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
e
100 pF的包括夹具电容
注9
V
PP
可以连接到V
CC
除非在编程过程中
注10
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值）
注11
CMOS输入V
IL
e
GND
g
0 3V V
IH
e
V
CC
g
0 3V
4
编程特性
（注1
符号
t
AS
t
OES
t
VPS
t
VCS
t
DS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能输出
浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
电源电流
在编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
2 3 4和5）
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
CE
e
V
IL
0
95
CE
e
V
IL
CE
e
V
IL
100
60
105
100
30
50
20
60
12 5
5
00
24
08
08
40
20
20
0 45
25
6 25
12 75
30
65
13 0
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ns
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
（注3）
TL 10833 - 5
注1
美国国家半导体的标准产品保修适用于编程，本文所述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
PP
V
CC
到GND压制
杂散电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
注5
在上电期间的PGM引脚必须拉高（
t
V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
5
QQ：2881677436 复制
