本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
1999年3月
NM25C160
16K位串行CMOS EEPROM
（串行外围接口（SPI），同步总线）
概述
该NM25C160是16,384位CMOS EEPROM具有SPI
兼容的串行接口。该NM25C160被设计为数据
存储在既需要非易失性存储器和IN-应用
系统的数据更新。该EEPROM是非常适合于应用
使用68HC11系列微控制器支持SPI
接口与外围设备的高速通信
通过串行总线来减少引脚数。该NM25C160是imple-
mented在仙童半导体公司的浮栅CMOS工艺
可提供优异的耐久性和数据保存。
该装置的串行数据传输需要四个信号
线来控制该设备的操作：片选（CS ） ，时钟
（ SCK ） ，数据输入（ SI ）和串行数据输出（ SO ） 。所有的编程
周期是完全自定时的，并且不需要擦除
之前写。
块写保护是通过编程STA-提供
TUS寄存器的四个层次写保护之一。
此外，独立的写使能和写禁止指令
提供数据保护系统蒸发散。
硬件数据保护由WP引脚来提供保护
防止意外编程。 HOLD引脚允许串行
通讯而无需复位串行中断
序列。
特点
s
2.1 MHz的时钟速率@ 2.7V至5.5V
s
组织为2048 ×8位16,384
s
与单独的芯片相同的3线总线上的多个芯片
选择线
s
自定时编程周期
s
1至16个字节的时间同步的编程
s
状态寄存器编程时可以轮询监控
就绪/忙
s
写保护（ WP ）引脚和写禁止指令为
硬件和软件写保护
s
块写保护功能，防止意外
写到
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO或8引脚TSSOP
框图
CS
HOLD
SCK
SI
指令
注册
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
V
CC
V
SS
WP
地址
计数器/
注册
节目
启用
V
PP
EEPROM阵列
16,384位
(2048 x 8)
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
1 2048
读/写安培
数据输入/输出寄存器
8位
数据输出
卜FF器
SO
非挥发
状态寄存器
DS012402-1
1999仙童半导体公司
NM25C160牧师D.1
1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N） ， SO封装（ M8 ）
和TSSOP封装（ MT8 ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
NM25C160
3
4
6
5
SCK
SI
DS012402-2
8
7
V
CC
HOLD
顶视图
见包装数N08E （N ） ， M08A （ M8 ） ，和MTC08 （ MT8 ）
引脚名称
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
暂停串行数据
电源
订购信息
NM
25
C
XX
LZ ê
XX
包
信
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
160
C
接口
25
NM
描述
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
16K ，模式0
CMOS技术
SPI
飞兆半导体非易失
记忆前缀
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度/模式
2
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
标准电压4.5
≤
V
CC
≤
5.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C160
NM25C160E
NM25C160V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
直流和交流电气特性
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V（除非另有规定）
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
CMOS输入低电压
CMOS输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
闵CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
持有至输出低Z
输出禁止时间
持有至输出高阻
写周期时间
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
民
最大
3
50
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
+1
+1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
2.1
2.0
2.0
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
190
190
240
240
100
90
240
100
90
C
L
= 200 pF的
0
100
C
L
= 200 pF的
240
100
1-16字节
10
240
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注4 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200 pF的
0.1 * V
CC
– 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- 0.7 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级，以及功能操作
器件在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注3 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注4 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
低电压2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注5 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C160L/LZ
NM25C160LZ/LZE
NM25C160LV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V–4.5V
直流和交流电气特性
2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V （除非另有规定）
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
分钟。 CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
保持输出低Z
输出禁止时间
持有至输出喜
写周期时间
部分
L
LZ
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
25C160L/LE
25C160LZ/LZE
分钟。
马克斯。
3
10
1
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
25C160LV
民
最大
3
10
不适用
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
410
410
500
500
100
240
500
100
240
单位
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
OL
- 0.8毫安
I
OH
= -0.8毫安
（注6 ）
（注6 ）
（注7 ）
410
410
500
500
100
240
500
100
240
C
L
= 200 pF的
0
500
0
240
500
ns
ns
240
500
240
15
ns
ns
ns
ms
C
L
= 200 pF的
500
240
1-16字节
15
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注8 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
I
OL
= 10
A,
I
OH
= 10
A
输入脉冲电平
0.3V至3.5V
定时测量参考电平
输入
0.4V和1.6V
产量
0.8V和1.6V
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注5 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在这些或以上那些在规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注7 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注8 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
AC测试条件
（续）
VIH
CS
VIL
VIH
SCK
VIL
VIH
SI
VIL
VOH
SO
VOL
图1.同步数据时序图
图2.保持时间
,,
,
TCSS
tclh
TCLL
TDI发动机
tPD的
SCK
TCSH
tCSN
TDIN
TDH
TDF
DS012402-3
THDS
HOLD
tHDN
THDS
tHDN
太赫兹
SO
TLZ
DS012402-6
图3： SPI串行接口
主控MCU
数据输出（ MOSI ）
数据输入（ MISO ）
串行时钟（CLK ）
NM25C16
SPI
芯片
选择
SS0
SS1
SS2
SS3
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
DS012402-4
5
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
1999年3月
NM25C160
16K位串行CMOS EEPROM
（串行外围接口（SPI），同步总线）
概述
该NM25C160是16,384位CMOS EEPROM具有SPI
兼容的串行接口。该NM25C160被设计为数据
存储在既需要非易失性存储器和IN-应用
系统的数据更新。该EEPROM是非常适合于应用
使用68HC11系列微控制器支持SPI
接口与外围设备的高速通信
通过串行总线来减少引脚数。该NM25C160是imple-
mented在仙童半导体公司的浮栅CMOS工艺
可提供优异的耐久性和数据保存。
该装置的串行数据传输需要四个信号
线来控制该设备的操作：片选（CS ） ，时钟
（ SCK ） ，数据输入（ SI ）和串行数据输出（ SO ） 。所有的编程
周期是完全自定时的，并且不需要擦除
之前写。
块写保护是通过编程STA-提供
TUS寄存器的四个层次写保护之一。
此外，独立的写使能和写禁止指令
提供数据保护系统蒸发散。
硬件数据保护由WP引脚来提供保护
防止意外编程。 HOLD引脚允许串行
通讯而无需复位串行中断
序列。
特点
s
2.1 MHz的时钟速率@ 2.7V至5.5V
s
组织为2048 ×8位16,384
s
与单独的芯片相同的3线总线上的多个芯片
选择线
s
自定时编程周期
s
1至16个字节的时间同步的编程
s
状态寄存器编程时可以轮询监控
就绪/忙
s
写保护（ WP ）引脚和写禁止指令为
硬件和软件写保护
s
块写保护功能，防止意外
写到
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO或8引脚TSSOP
框图
CS
HOLD
SCK
SI
指令
注册
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
V
CC
V
SS
WP
地址
计数器/
注册
节目
启用
V
PP
EEPROM阵列
16,384位
(2048 x 8)
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
1 2048
读/写安培
数据输入/输出寄存器
8位
数据输出
卜FF器
SO
非挥发
状态寄存器
DS012402-1
1999仙童半导体公司
NM25C160牧师D.1
1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N） ， SO封装（ M8 ）
和TSSOP封装（ MT8 ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
NM25C160
3
4
6
5
SCK
SI
DS012402-2
8
7
V
CC
HOLD
顶视图
见包装数N08E （N ） ， M08A （ M8 ） ，和MTC08 （ MT8 ）
引脚名称
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
暂停串行数据
电源
订购信息
NM
25
C
XX
LZ ê
XX
包
信
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
160
C
接口
25
NM
描述
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
16K ，模式0
CMOS技术
SPI
飞兆半导体非易失
记忆前缀
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度/模式
2
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
标准电压4.5
≤
V
CC
≤
5.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C160
NM25C160E
NM25C160V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
直流和交流电气特性
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V（除非另有规定）
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
CMOS输入低电压
CMOS输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
闵CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
持有至输出低Z
输出禁止时间
持有至输出高阻
写周期时间
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
民
最大
3
50
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
+1
+1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
2.1
2.0
2.0
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
190
190
240
240
100
90
240
100
90
C
L
= 200 pF的
0
100
C
L
= 200 pF的
240
100
1-16字节
10
240
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注4 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200 pF的
0.1 * V
CC
– 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- 0.7 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级，以及功能操作
器件在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注3 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注4 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
低电压2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注5 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C160L/LZ
NM25C160LZ/LZE
NM25C160LV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V–4.5V
直流和交流电气特性
2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V （除非另有规定）
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
分钟。 CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
保持输出低Z
输出禁止时间
持有至输出喜
写周期时间
部分
L
LZ
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
25C160L/LE
25C160LZ/LZE
分钟。
马克斯。
3
10
1
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
25C160LV
民
最大
3
10
不适用
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
410
410
500
500
100
240
500
100
240
单位
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
OL
- 0.8毫安
I
OH
= -0.8毫安
（注6 ）
（注6 ）
（注7 ）
410
410
500
500
100
240
500
100
240
C
L
= 200 pF的
0
500
0
240
500
ns
ns
240
500
240
15
ns
ns
ns
ms
C
L
= 200 pF的
500
240
1-16字节
15
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注8 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
I
OL
= 10
A,
I
OH
= 10
A
输入脉冲电平
0.3V至3.5V
定时测量参考电平
输入
0.4V和1.6V
产量
0.8V和1.6V
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注5 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在这些或以上那些在规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注7 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注8 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
NM25C160 16K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
AC测试条件
（续）
VIH
CS
VIL
VIH
SCK
VIL
VIH
SI
VIL
VOH
SO
VOL
图1.同步数据时序图
图2.保持时间
,,
,
TCSS
tclh
TCLL
TDI发动机
tPD的
SCK
TCSH
tCSN
TDIN
TDH
TDF
DS012402-3
THDS
HOLD
tHDN
THDS
tHDN
太赫兹
SO
TLZ
DS012402-6
图3： SPI串行接口
主控MCU
数据输出（ MOSI ）
数据输入（ MISO ）
串行时钟（CLK ）
NM25C16
SPI
芯片
选择
SS0
SS1
SS2
SS3
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
DS012402-4
5
NM25C160牧师D.1
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
