NM25C041 4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行外设接口
（SPI），同步总线）
1999年3月
NM25C041
4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行
外设接口（ SPI ）同步总线）
概述
该NM25C041是4096位模式1 SPI （串行外设
接口）的CMOS EEPROM这是专为高可靠性
非易失性数据存储的应用。 SPI接口功能
一字节宽的格式（所有数据以8位字传送）到
接口与摩托罗拉68HC11微处理器，或同等学历，
在一个2.1MHz的时钟的传输速率。 （该接口被认为是
最快的串行通信方法。 ）这4线SPI接口
允许最终用户充分EEPROM的功能，同时保持销
最大的PC板空间数量和空间要求低
利用率。
SPI接口需要四个I / O引脚的每个EEPROM器件：
片选（ CS ） ，时钟（ SCK ） ，串行数据输入（ SI ）和串行数据
输出（ SO ） ，以及2个其他控制引脚：写保护（ WP ）和
保持（HOLD） 。写保护引脚可被用来关闭
写操作，锁定销被用于中断的SI
数据流，并将该设备保持状态期间微处理器的
处理器指令生成。请参考下面的dia-
克和说明的更多细节。
所有的编程周期是完全独立的定时和不
需要擦除或类似的设置，编程的任何单元格之前。
编程可以在3种模式进行，地址（字节）写的，
第（ 4地址/字节）写或
偏
页写。此外，
EEPROM中设有4个级别的写保护，其中的
的数据，编程一次，不能被改变。这是受控
由状态寄存器并在此更详细地描述
数据表。为了防止杂散编程， EEPROM的
既有写使能命令，该命令将立即被禁用
每次编程操作之后，和一个写保护（WP ）引脚
必须拉高编程。
特点
s
2.1 MHz的时钟速率@ 2.7V至5.5V
s
组织成512 ×8位4096
s
与单独的芯片相同的三线式总线上的多个芯片
选择线
s
自定时编程周期
s
14个字节在一个时间同时编程
s
状态寄存器编程时可以轮询监控
RDY / BUSY
s
无论是写保护（ WP ）引脚和“自写入禁止后，
规划“提供了硬件和软件写
保护
s
块写保护功能，防止意外
写到
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚DIP和8引脚SO
框图
CS
HOLD
SCK
SI
指令
注册
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
V
CC
V
SS
WP
地址
计数器/
注册
节目
启用
V
PP
EEPROM阵列
4096位
(512 x 8)
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
1 512
读/写安培
数据输入/输出寄存器
8位
数据输出
卜FF器
SO
非挥发
状态寄存器
SPI 是摩托罗拉公司的注册商标。
DS800002-1
1999仙童半导体公司
NM25C041牧师D.1
1
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NM25C041 4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行外设接口
（SPI），同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N）
和SO封装（ M8 ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
DS800002-2
引脚名称
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
暂停串行数据
电源
订购信息
NM
25
C
XX
LZ ê
XX
包
TEMP 。 RANGE
信
N
M8
无
V
E
空白
L
LZ
041
C
接口
25
NM
描述
8引脚DIP
8引脚SO
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
4K ，模式1
CMOS
SPI
仙童非易失性
内存
工作电压范围
密度/模式
2
NM25C041牧师D.1
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NM25C041 4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行外设接口
（SPI），同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
引线温度（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作条件
工作环境温度
NM25C041
NM25C041E
NM25C041V
电源（V
CC
)
NM25C041
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
直流和交流电气特性
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
闵CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
持有至输出低Z
输出禁止时间
持有至输出高阻
写周期时间
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
民
最大
3
50
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
2.1
2.0
2.0
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
190
190
240
240
100
90
240
100
90
C
L
= 200 pF的
0
100
C
L
= 200 pF的
240
100
1-4字节
10
240
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
电容（注4 ）
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1 MHz的
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200 pF的
0.1 * V
CC
- 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- 0.7 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值
3
2
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注3 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注4 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
NM25C041牧师D.1
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NM25C041 4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行外设接口
（SPI），同步总线）
低电压2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注5 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C041L/LZ
NM25C041LE/LZE
NM25C041LV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V - 4.5V
直流和交流电气特性
2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V
25C041L/LE
25C041LZ/LZE
分钟。
马克斯。
3
A
10
1
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
I
OL
- 0.8毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
（注6 ）
（注6 ）
（注7 ）
410
410
500
500
100
240
500
100
240
500
0
240
500
240
1-4字节
15
0
240
500
240
15
410
410
500
500
100
240
500
100
240
500
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
10
不适用
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
A
A
V
V
V
V
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
25C041LV
民
最大
3
符号
I
CC
I
CCSB
参数
工作电流
待机电流
L
LZ
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
分钟。 CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
保持输出低Z
输出禁止时间
持有至输出喜
写周期时间
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
单位
mA
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注8 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200 pF的
0.1 * V
CC
- 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- 0.7 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注5 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级，以及功能操作
器件在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注7 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注8 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
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NM25C041 4K位串行接口的CMOS EEPROM （串行外设接口
（SPI），同步总线）
AC测试条件
（续）
V
IH
CS
V
IL
图1.同步数据时序
V
IH
SCK
V
IL
V
IH
SI
V
IL
V
OH
SO
V
OL
, ,,
t
CSH
t
CSS
t
CSN
t
CLH
t
CLL
t
DIS
t
DIN
t
PD
t
PD
t
DF
高阻
高阻
DS800002-4
图2.保持时间
SCK
t
HDS
HOLD
t
HDN
t
HDS
t
HDN
t
HZ
SO
t
LZ
DS800002-6
5
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