NM24Wxx 2K / 4K / 8K / 16K位标准2线总线接口
串行EEPROM与全阵列写保护
初步
1999年3月
NM24Wxx
2K / 4K / 8K / 16K位标准2线总线接口
串行EEPROM与全阵列写保护
概述
该NM24Wxx设备四千〇九十六分之二千〇四十八/ 8192 / 16,384位， respec-
的CMOS非易失性电可擦除存储器疑心， 。这些
器件符合在IIC两线协议的所有规格和
被设计为最小化器件的引脚数，并简化PC板
布局要求。
整个力旺电子可以被禁用（写保护）由CON-
necting的WP引脚连接到V
CC
。该内存便成为天经地义
除非WP被切换到V
SS
.
该通信协议使用时钟（SCL ）和数据
I / O （ SDA）线到主控之间的同步时钟数据
（例如微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
标准的IIC协议允许的最大的16K
这是在2K支持飞兆半导体的家庭EEPROM存储器，
4K，8K ， 16K和设备，允许用户配置
存储在应用程序需要以任意组合
EEPROM的。
仙童的EEPROM的设计和测试应用程序
要求高耐用性，高可靠性和低功耗的消耗
化。
特点
s
硬件写保护的整个存储器
s
低功耗CMOS
200μA典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机典型的（L ）
0.1μA待机典型（LZ）
s
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
s
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
s
自定时写周期
- 6ms的典型写周期时间
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO和8引脚TSSOP
s
提供三种温度范围
- 商业： 0 °至+ 70°C
- 扩展（ E） ： -40 °C至+ 85°C
- 汽车（ V） ： -40 °C至+ 125°C
框图
VCC
VSS
WP
启动循环
SDA
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
负载
A2
A1
A0
字
地址
计数器
INC。
16/
32/
64/
128/
E2PROM
ARRAY
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
SCL
XDEC
0/1/2/3
4
4
16
读/写
YDEC
器件地址位
CK
DIN
8
DOUT
数据寄存器
DS500074-1
1999仙童半导体公司
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NM24Wxx牧师C.2
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串行EEPROM与全阵列写保护
连接图
双列直插式封装（ N） ， SO封装（ M8 ）和TSSOP封装（ MT8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
8
7
VCC
WP
SCL
SDA
NC
A1
A2
VSS
1
2
8
7
VCC
WP
SCL
SDA
NC
NC
A2
VSS
1
2
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
NC
NC
NC
VSS
1
2
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
NM24W02
3
4
6
5
3
4
NM24W04
6
5
NM24W08
3
4
NM24W16
3
4
DS500074-2
DS500074-3
DS500074-4
DS500074-18
顶视图
见包装数N08E （N ） ， M08A （ M8 ） ，和MTC08 （ MT8 ）
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
NC
器件地址输入
地
数据I / O
时钟输入
写保护
电源
无连接
订购信息
NM
24
W
XX
LZ
E
XX
包
信
N
M8
MT8
无
E
V
空白
L
LZ
02
04
08
16
W
接口
24
NM
描述
8引脚DIP
8引脚SO8
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
2K
4K
8K
16K
整个阵列写保护
IIC
仙童非易失性
内存
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度
2
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产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM24Wxx
NM24WxxE
NM24WxxV
正电源。
NM24Wxx
NM24WxxL
NM24WxxLZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V
标准的V
CC
（ 4.5V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
V
V
V
低V
CC
（ 2.7V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流对于L
待机电流为LZ
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
V
V
V
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压（ 5V ） 。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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串行EEPROM与全阵列写保护
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
x 0.5
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 4.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM24Wxx
- NM24WxxL ， NM24WxxLZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
0
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM24Wxx总线接口电路被禁用时， SDA被允许保持每总线级的上拉电阻高，并且该设备不给其从地址作出响应。
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总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
SDA
OUT
背景信息（ IIC总线）
如所提到的， IIC总线允许同步双向的COM
使用SCL （时钟）发送器/接收器之间的通信
和SDA （数据I / O）线。所有的通信必须使用启动
一个有效的起始条件，包括一个停止条件，
用一个确认条件的接收确认
化。
另外，因为IIC总线被设计为支持其他设备
如RAM ， EPROM中，等等， devce类型标识符字符串必须
按照起始条件。对于EEPROM的，这4位串
1010 ，是前4位的从机地址。
如下图所示，在IIC总线上的EEPROM的可被配置成
以任何方式要求，而对于标准的IIC协议，总
内存寻址不能超过16K （ 16,384位） 。 EEPROM
存储器地址的编程是通过2种方法来控制：
硬件配置的A0，A1和A2引脚（设备
地址引脚）上拉或下拉电阻来。
所有
未使用的引脚必须接地
（连接到V
SS
).
软件解决内所需的页块
设备存储器阵列（如从地址字符串发送） 。
寻址的EEPROM存储单元会发送一个
命令字符串包含以下信息：
[设备类型] - [设备地址] - [ PAGE BLOCK
地址] - [字节地址]
,,
TSU： STA
THD： STA
IN
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
DS500074-5
释义
字
页面
8位数据
16顺序地址（一个字节
每个），其可以被编程
在一个“页写”节目
周期
2048 （ 2K ）位分成16
可寻址存储器页。 （ 8
位）×（ 16个字节）× （16页） = 2048
位
任何IIC设备控制
数据（如带微处理器的转移
处理器）
被控制的设备（ EEPROM的
始终被视为奴隶）
目前，设备上发送数据
公交车（可以是硕士或
从站）。
目前，设备上接收数据
公交车（主或从）
页块
主
SLAVE
发射机
接收器
记忆的16K 2 - Wire总线的例子
VCC
VCC
SDA
SCL
VCC
VCC
VCC
VCC
NM24W02
A0 A1 A2 VSS
NM24W02
A0 A1 A2 VSS
NM24W04
A0 A1 A2 VSS
NM24W08
A0 A1 A2 VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
DS500074-6
注意：
在SDA上拉电阻需要由于IIC总线器件的漏极开路/集电极开路输出。
在SCL上拉电阻被推荐的，因为正常的SCL线不活跃“高”状态。
所以建议总线电容小于400pF的。
特定定时和寻址的考虑中更详细在下面的章节中描述。
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