NLAS4599
低压单电源
SPDT模拟开关
该NLAS4599是一种先进的高速CMOS单刀 -
制造与硅栅CMOS双掷模拟开关
技术。它实现了高速传输延迟和低开
电阻，同时保持低功耗。此开关
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源电压范围（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，
热插入等。
http://onsemi.com
记号
图表
TSOP6
DT后缀
CASE 318G
1
6
SC88
DF后缀
CASE 419B
1
A0 =具体设备守则
A =大会地点
Y =年
W =工作周
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A0 MG
G
1
A0AYWG
G
1
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 38场效应管
无铅包可用
SELECT
1
6
5
4
NO
COM
NC
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
功能表
SELECT
L
H
在海峡
NC
NO
V
+
2
GND
3
图1.引脚分配
COM
图2.逻辑符号
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年6月 - 9牧师
U
U
通道选择
U
2X0
2X1
NO
NC
1
出版订单号：
NLAS4599/D
NLAS4599
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度， 1毫米从案例10秒
在偏置结温
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
SC88
TSOP6
SC88
TSOP6
参数
价值
-0.5到+7.0
0.5
≤
V
IS
≤
V
CC
)0.5
0.5
≤
V
I
≤
+ 7.0
$50
200
200
-65到+150
260
150
2000
200
不适用
$300
333
333
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
3.经测试JESD22 - C101 -A
4.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，
SELECT
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
归一化故障率
特征
民
2.0
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
