NLU1GT86
单路2输入异或
门， TTL电平
LSTTL兼容输入
该NLU1GT86 MiniGatet是一种先进的CMOS高速
2 ，投入超小尺寸异或门。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该NLU1GT86输入和输出结构提供保护
当被应用，而不管电源的电压高达7.0 V
电压。
特点
1
ULLGA6
1.0 x 1.0
CASE 613AD
http://onsemi.com
记号
图表
UDFN6
MU后缀
CASE 517AA
6M
高速：吨
PD
= 3.1纳秒（典型值） @ V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
CMOS兼容的输出：
V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@负荷
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
超小型封装
这些无铅器件
6M
1
1
ULLGA6
1.2 x 1.0
CASE 613AE
6M
ULLGA6
1.45 x 1.0
CASE 613AF
1
6
M
=器件标识
=日期代码
6M
IN B
1
6
V
CC
IN A
2
5
NC
引脚分配
1
GND
3
4
输出Y
2
3
4
IN B
IN A
GND
输出Y
NC
V
CC
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
5
6
IN A
IN B
=1
功能表
输出Y
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
图2.逻辑符号
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 第2版
出版订单号：
NLU1GT86/D
NLU1GT86
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
IN
＆ LT ; GND
V
OUT
＆ LT ; GND
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-20
±20
±12.5
±25
±25
-65到+150
260
150
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 150
不适用
±500
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
I
闭锁
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
DT / DV
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
工作自由空气的温度
输入过渡上升或下降速率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
参数
民
1.65
0
0
-55
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
2
NLU1GT86
DC电气特性
T
A
= 25
5C
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
低电平输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
低电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
I
OPD
输入漏
当前
静态电源
当前
静态电源
当前
输出漏
当前
0
v
V
IN
v
5.5 V
0
v
V
IN
v
V
CC
V
IN
= 3.4 V
V
OUT
= 5.5 V
条件
V
CC
(V)
3.0
4.5 5.5
3.0
4.5 5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
5.5
0.0
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
1.35
0.5
3.0
4.5
民
1.4
2.0
0.53
0.8
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
1.50
5.0
典型值
最大
T
A
=
+855C
民
1.4
2.0
0.53
0.8
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
1.65
10
mA
mA
mA
mA
V
最大
T
A
= -555C
至+ 1255C
民
1.4
2.0
0.53
0.8
最大
单位
V
V
V
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
T
A
= 25
5C
民
典型值
5.0
6.2
3.1
4.2
5.5
5.0
11
最大
11.0
14.5
6.8
8.8
10
T
A
=
+855C
民
最大
13.0
16.5
6.0
10.0
10
T
A
= -555C
至+ 1255C
民
最大
15.5
19.5
10.0
12.0
10.0
pF
pF
单位
ns
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
传播延迟，输入A的
输出y
V
CC
(V)
3.0以
3.6
4.5
5.5
TEST
条件
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注6 ）
6. C
PD
被定义为内部等效电容是从动态工作电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以通过等式I来获得
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载
动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC.
http://onsemi.com
3
NLU1GT86
输入A或B
50%
t
PLH
输出y
50% V
CC
50% V
CC
GND
t
PHL
V
OH
V
OL
图3.开关波形
V
CC
输入
C
L*
产量
*包括所有探测和夹具电容。
A 1 - MHz方波输入推荐传输延迟的测试。
图4.测试电路
订购信息
设备
NLU1GT86MUTCG
NLU1GT86AMX1TCG
NLU1GT86BMX1TCG
NLU1GT86CMX1TCG
包
UDFN6
（无铅）
ULLGA6 ， 1.45 ×1.0 ， 0.5P
（无铅）
ULLGA6 ， 1.2× 1.0 ， 0.4P
（无铅）
ULLGA6 ， 1.0× 1.0 ， 0.35P
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
