NLU1G08
单路2输入与门
该NLU1G08 MiniGatet是一种先进的高速CMOS
2输入与门的超小尺寸。
该NLU1G08输入和输出结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。
特点
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记号
图表
UDFN6
MU后缀
CASE 517AA
2M
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值） @ V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
过压容限（ OVT ）输入和输出引脚
超小型封装
这些无铅器件
1
1
IN B
1
6
V
CC
ULLGA6
1.0 x 1.0
CASE 613AD
2M
IN A
2
5
NC
1
ULLGA6
1.2 x 1.0
CASE 613AE
2M
GND
3
4
输出Y
ULLGA6
1.45 x 1.0
CASE 613AF
1
2
M
=器件标识
=日期代码
2M
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
引脚分配
IN A
IN B
＆放大器;
输出Y
1
2
IN B
IN A
GND
输出Y
NC
V
CC
图2.逻辑符号
3
4
5
6
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 第2版
出版订单号：
NLU1G08/D
NLU1G08
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
I
闭锁
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
氧指数：28 34
V
IN
＆ LT ; GND
V
OUT
＆ LT ; GND
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-20
±20
±12.5
±25
±25
-65到+150
260
150
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
±500
mA
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注2 ）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
DT / DV
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
工作自由空气的温度
输入过渡上升或下降速率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
参数
民
1.65
0
0
-55
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
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2
NLU1G08
DC电气特性
T
A
= 25
5C
民
0.75 x
V
CC
0.70 x
V
CC
0.25 x
V
CC
0.30 x
V
CC
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0
0
0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
10
典型值
最大
T
A
=
+855C
民
0.75 x
V
CC
0.70 x
V
CC
0.25 x
V
CC
0.30 x
V
CC
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
mA
mA
V
0.25 x
V
CC
0.30 x
V
CC
V
V
最大
T
A
= -555C到
+1255C
民
最大
单位
V
符号
V
IH
参数
低电平
输入电压
条件
V
CC
(V)
1.65
2.3
5.5
V
IL
低电平
输入电压
1.65
2.3
5.5
V
OH
高位
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
V
V
OL
低电平
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
输入漏
当前
静
电源电流
0
v
V
IN
v
5.5 V
0
v
V
IN
v
V
CC
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
T
A
= 25
5C
民
典型值
4.1
5.9
3.5
4.2
5.5
5.0
11
最大
8.8
12.3
5.9
7.9
10
T
A
=
+855C
民
最大
10.5
14
7.0
9.0
10
T
A
= -555C到
+1255C
民
最大
12.5
16.5
9.0
11
10
pF
pF
单位
ns
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
传播延迟，
输入A或B
输出y
V
CC
(V)
3.0以
3.6
4.5
5.5
TEST
条件
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容
（注3）
3. C
PD
被定义为内部等效电容是从动态工作电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以通过等式I来获得
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载
动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC.
http://onsemi.com
3
NLU1G08
V
CC
输入
50%
t
PLH
输出y
50% V
CC
GND
t
PHL
V
OH
50% V
CC
V
OL
*包括所有探测和夹具电容。
A 1 - MHz方波输入推荐
对于传播延迟测试。
C
L*
产量
输入A或B
图3.开关波形
图4.测试电路
订购信息
设备
NLU1G08MUTCG
NLU1G08AMX1TCG
NLU1G08BMX1TCG
NLU1G08CMX1TCG
包
UDFN6
（无铅）
ULLGA6 ， 1.45 ×1.0
（无铅）
ULLGA6 ， 1.2× 1.0
（无铅）
ULLGA6 ， 1.0× 1.0
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
QQ：2880707522 复制
