NLSV4T244
4位双电源
非反相级
翻译者
该NLSV4T244是一个4位可配置双电源电压电平
翻译。输入端A
n
和输出B
n
端口被用来追踪2
不同的电源轨，V
CCA
和V
建行
分别。两
电源电压可配置从0.9 V至4.5 V ，允许通用
从输入的低电压转换
n
到输出B
n
端口。
特点
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记号
图表
UQFN12
MU后缀
CASE 523AE
URMG
G
宽V
CCA
和V
建行
工作范围： 0.9 V至4.5 V
高速瓦特/平衡传输延迟
输入和输出都OVT保护4.5 V
非优先V
CCA
和V
建行
测序
在输出三态，直到主动V
CC
到达
断电保护功能
输出切换到三态与V
建行
在GND
超小封装1.7毫米× 2.0毫米UQFN12
这些无铅器件
1
UR =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
SV4T
244
ALYWG
G
SV4T244G
AWLYWW
典型应用
手机，PDA ，其它便携式设备
重要信息
ESD保护所有引脚：
HBM （人体模型） > 1500 V
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NLSV4T244MUTAG
NLSV4T244DR2G
包
航运
UQFN12 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SO- 14 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
NLSV4T244DTR2G TSSOP14 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第3版
1
出版订单号：
NLSV4T244/D
NLSV4T244
最大额定值
符号
V
CCA
, V
建行
V
I
V
C
V
O
直流电源电压
直流输入电压
控制输入
直流输出电压
（断电）
（主动模式）
（三态模式）
I
IK
I
OK
I
O
I
CCA
, I
建行
I
GND
T
英镑
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
A
n
OE
B
n
B
n
B
n
等级
价值
0.5
至+5.5
0.5
至+5.5
0.5
至+5.5
0.5
至+5.5
0.5
至+5.5
0.5
至+5.5
20
50
±50
±100
±100
65
+150
V
I
＆ LT ; GND
V
O
＆ LT ; GND
V
CCA
= V
建行
= 0
条件
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CCA
, V
建行
V
I
V
C
V
IO
正直流电源电压
总线输入电压
控制输入
总线输出电压
（掉电模式）
（主动模式）
（三态模式）
T
A
Dt
/
DV
工作温度范围
输入转换上升或房价
V
I
从30％到70 ％的V
CC
; V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
OE
B
n
B
n
B
n
参数
民
0.9
GND
GND
GND
GND
GND
40
0
最大
4.5
4.5
4.5
4.5
V
建行
4.5
+85
10
单位
V
V
V
V
V
V
°C
nS
http://onsemi.com
3
NLSV4T244
总静态功耗（I
CCA
+ I
建行
)
405C
到+ 855C
V
建行
(V)
4.5
V
CCA
(V)
4.5
3.3
2.8
1.8
0.9
民
最大
2
2
<2
<1
＆ LT ; 0.5
民
3.3
最大
2
2
<1
<1
＆ LT ; 0.5
民
2.8
最大
2
2
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
民
1.8
最大
2
2
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
民
0.9
最大
< 1.5
< 1.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
单位
μA
μA
μA
μA
μA
注：将电源电压V之前，将接地
CCA
或V
建行
。此设备设计为与该特征，该电序列
V的
CCA
和V
建行
不会损坏IC 。
AC电气特性
405C
到+ 855C
V
建行
(V)
4.5
符号
t
PLH
,
t
PHL
（注1 ）
3.3
最大
1.6
1.7
1.9
2.1
2.4
2.6
3.7
3.9
4.1
4.4
2.6
3.7
3.9
4.1
4.4
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
民
最大
1.8
1.9
2.1
2.4
2.7
3.8
3.9
4.1
4.4
4.7
3.8
3.9
4.1
4.4
4.7
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
民
2.8
最大
2.0
2.1
2.3
2.5
2.8
4.0
4.1
4.3
4.5
4.8
4.0
4.1
4.3
4.5
4.8
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
民
1.8
最大
2.1
2.3
2.5
2.7
3.0
4.1
4.3
4.5
4.7
5.0
4.1
4.3
4.5
4.7
5.0
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
民
1.2
最大
2.3
2.6
2.8
3.0
3.3
4.3
4.6
4.8
5.0
5.3
4.3
4.6
4.8
5.0
5.3
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
nS
nS
nS
单位
nS
参数
传播
延迟，
A
n
到B
n
V
CCA
(V)
4.5
3.3
2.8
1.8
1.2
民
t
PZH
,
t
PZL
（注1 ）
产量
ENABLE ，
OE到B
n
4.5
3.3
2.5
1.8
1.2
t
PHZ
,
t
PLZ
（注1 ）
产量
禁用，
OE到B
n
4.5
3.3
2.5
1.8
1.2
t
OSHL
,
t
OSLH
（注1 ）
输出
产量
歪斜，
时间
4.5
3.3
2.5
1.8
1.2
按照图3 1.传播延迟定义。
电容
符号
C
IN
C
I / O
C
PD
参数
控制引脚输入电容
I / O引脚输入电容
功率耗散电容
测试条件
V
CCA
= V
建行
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CCA / B
V
CCA
= V
建行
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CCA / B
V
CCA
= V
建行
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CCA
， F = 10 MHz的
典型值
（注2 ）
3.5
5.0
20
单位
pF
pF
pF
2.典型值是在T
A
= +25°C.
3. C
PD
被定义为IC的等效电容由该工作电流可由下式计算的值：
I
CC （操作）
^
C
PD
X V
CC
架F
IN
×N个
SW
在那里我
CC
= I
CCA
+ I
建行
和N
SW
=输出开关总数。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
