NLSF3T125
四路总线缓冲器
具有三态控制输入
该NLSF3T125是制造高速CMOS四路总线缓冲器
与硅栅CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持CMOS
低功耗。
该NLSF3T125需要三态控制输入端（ OE）中设置
高的输出置于高阻抗状态。
在T125的输入与TTL电平兼容。这个装置可以是
用作电平转换器，用于连接3.3伏到5.0伏，因为它具有
全5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该NLSF3T125输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用，不论电源电压。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压 - 输入/输出电压不匹配，电池备份，热
插入等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
http://onsemi.com
QFN16
CASE 485G
记号
图
16
1
XXX
ALYW
高速：吨
PD
= 3.8纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4.0
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
低电平有效输出使能
A1
OE1
A2
OE2
A3
OE3
A4
OE4
16
15
4
3
8
9
12
13
10
Y4
7
Y3
5
Y2
1
Y1
（ TOP VIEW ）
A
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NLSF3T125MNR2
包
QFN16
航运
3000单位/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
功能表
NLSF3T125
输入
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
.
图1.逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
出版订单号：
NLSF3T125/D
NLSF3T125
A1
16
Y1
NC
OE2
A2
OE1 V
CC
15
14
OE4
13
A4
NC
Y4
OE3
裸露焊盘（ EP ）
1
2
3
4
5
Y2
6
7
8
A3
12
11
10
9
GND Y3
图2. QFN - 16引脚（顶视图）
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
输出三态
高电平或者低电平状态
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
75
500
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流（V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
QFN封装
mW
°C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
T
英镑
- 65至+ 150
施加于器件的最大额定值是个人压力限值（不正常的操作条件下），同时无效。如果
压力超过极限设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能会受到影响。功能操作
应仅限于推荐工作条件。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
参数
民
2.0
0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
V
OUT
T
A
直流输出电压
输出三态
高电平或者低电平状态
5.5
V
CC
工作温度
40
0
+ 85
20
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
NS / V
http://onsemi.com
2
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
C
in
功率耗散电容（注2 ）
最大三态输出
电容
（输出高阻抗
状态）
最大输入电容
输出至输出扭曲
最大输出
禁止时间OE为Y
时间， OE
最大输出
启用时间OE为Y
时间， OE
最大传播延迟，
一个为Y
参数
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1.0千瓦
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
测试条件
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
C
PD
http://onsemi.com
NLSF3T125
4
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
A
= 25°C
15.4
14.8
14.5
典型值
6.1
9.5
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
13.2
18.0
16.2
16.9
最大
8.0
11.5
8.0
11.5
1.0
1.5
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
T
A
=
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
9.5
13.0
9.5
13.0
10.0
15.0
19.8
17.4
18.1
最大
1.0
1.5
6.0
8.0
6.5
8.5
10
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
15
T
A
≤
125°C
11.5
15.0
8.5
10.5
12.0
18.0
22.0
19.3
12.0
16.0
19.2
最大
1.5
2.0
7.5
9.5
10
pF
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NLSF3T125
四路总线缓冲器
具有三态控制输入
该NLSF3T125是制造高速CMOS四路总线缓冲器
与硅栅CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持CMOS
低功耗。
该NLSF3T125需要三态控制输入端（ OE）中设置
高的输出置于高阻抗状态。
在T125的输入与TTL电平兼容。这个装置可以是
用作电平转换器，用于连接3.3伏到5.0伏，因为它具有
全5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该NLSF3T125输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用，不论电源电压。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压 - 输入/输出电压不匹配，电池备份，热
插入等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
http://onsemi.com
QFN16
CASE 485G
记号
图
16
1
XXX
ALYW
高速：吨
PD
= 3.8纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4.0
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
低电平有效输出使能
A1
OE1
A2
OE2
A3
OE3
A4
OE4
16
15
4
3
8
9
12
13
10
Y4
7
Y3
5
Y2
1
Y1
（ TOP VIEW ）
A
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NLSF3T125MNR2
包
QFN16
航运
3000单位/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
功能表
NLSF3T125
输入
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
.
图1.逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
出版订单号：
NLSF3T125/D
NLSF3T125
A1
16
Y1
NC
OE2
A2
OE1 V
CC
15
14
OE4
13
A4
NC
Y4
OE3
裸露焊盘（ EP ）
1
2
3
4
5
Y2
6
7
8
A3
12
11
10
9
GND Y3
图2. QFN - 16引脚（顶视图）
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
输出三态
高电平或者低电平状态
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
75
500
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流（V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
QFN封装
mW
°C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
T
英镑
- 65至+ 150
施加于器件的最大额定值是个人压力限值（不正常的操作条件下），同时无效。如果
压力超过极限设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能会受到影响。功能操作
应仅限于推荐工作条件。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
参数
民
2.0
0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
V
OUT
T
A
直流输出电压
输出三态
高电平或者低电平状态
5.5
V
CC
工作温度
40
0
+ 85
20
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
NS / V
http://onsemi.com
2
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
C
in
功率耗散电容（注2 ）
最大三态输出
电容
（输出高阻抗
状态）
最大输入电容
输出至输出扭曲
最大输出
禁止时间OE为Y
时间， OE
最大输出
启用时间OE为Y
时间， OE
最大传播延迟，
一个为Y
参数
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0千瓦
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1.0千瓦
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
测试条件
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
C
PD
http://onsemi.com
NLSF3T125
4
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
A
= 25°C
15.4
14.8
14.5
典型值
6.1
9.5
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
13.2
18.0
16.2
16.9
最大
8.0
11.5
8.0
11.5
1.0
1.5
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
T
A
=
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
9.5
13.0
9.5
13.0
10.0
15.0
19.8
17.4
18.1
最大
1.0
1.5
6.0
8.0
6.5
8.5
10
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
15
T
A
≤
125°C
11.5
15.0
8.5
10.5
12.0
18.0
22.0
19.3
12.0
16.0
19.2
最大
1.5
2.0
7.5
9.5
10
pF
单位
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
