NLSF302
四2输入或非门
该NLSF302是一种先进的高速CMOS 2输入NOR门
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL而
保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
NLSF302 =器件代码
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NLSF302MNR2
NLSF302MNR2G
包
QFN16
QFN16
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第4版
高速：吨
PD
= 3.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 2.0
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
功能兼容其他标准逻辑系列
QFN -16封装
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 40场效应管或10个等效门
无铅包装是可用*
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
标记图
16
1
NLSF
302
ALYW
G
G
出版订单号：
NLSF302/D
NLSF302
V
CC
Y4
A1
16
Y1
15
14
13
B1
16
1
4
3
5
7
9
8
10
13
12
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
A2
15
Y1
Y2
1
NLSF302
MN套餐
12
B4
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
NC
2
11
NC
3
（ TOP VIEW ）
10
A4
4
9
Y3
5
B2
6
GND
7
A3
8
B3
图1.逻辑图
图2.引脚分配（ QFN - 16 ）
最大额定值
参数
符号
V
CC
V
in
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
直流输出电压
V
OUT
I
IK
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
50
450
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
输出二极管电流
I
OK
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
储存温度
I
CC
P
D
mW
°C
T
英镑
- 65至+ 150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
参数
直流电源电压
直流输入电压
符号
V
CC
V
in
民
2.0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
直流输出电压
V
OUT
T
A
V
CC
+85
100
20
工作温度
40
0
0
°C
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
=5.0 V
±
0.5 V
t
r
, t
f
NS / V
http://onsemi.com
2
NLSF302
DC电气特性
参数
测试条件
符号
V
IH
V
IL
V
CC
V
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= - 4085 ℃下
民
最大
民
最大
单位
V
V
V
最小高级别
输入电压
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
1.50
V
CC
x 0.7
1.50
V
CC
x 0.7
最底层
输入电压
最小高级别
输出电压
0.50
V
CC
x 0.3
0.50
V
CC
x 0.3
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
OH
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
2.58
3.94
2.48
3.80
最底层
输出电压
V
OL
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
0.36
0.36
0.44
0.44
最大输入漏
当前
最大静态
电源电流
V
in
= 5.5 V或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
in
0至5.5
5.5
±
0.1
2.0
±
1.0
20.0
mA
mA
I
CC
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
4
T
A
= - 4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
民
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
单位
ns
最大传播延迟，
输入A或B到输出Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
最大输入电容
C
in
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
15
功率耗散电容（注1 ）
C
PD
pF
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每门） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 5.0V)
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
测试点
A或B
50%
t
PLH
50 ％V
CC
*包括所有探测和夹具电容
t
PHL
V
CC
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
典型值
0.3
0.3
最大
0.8
0.8
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
输入
图3.开关波形
图4.测试电路
http://onsemi.com
3
图5.输入等效电路
NLSF302
包装尺寸
16引脚QFN
CASE 485G -01
版本C
D
A
B
销1
位置
E
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.25和0.30毫米端子。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
5. L
最大
条件不能违背0.2 MM
LEAD之间的TIP最小间距
和国旗
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.18
0.30
3.00 BSC
1.65
1.85
3.00 BSC
1.65
1.85
0.50 BSC
0.18 TYP
0.30
0.50
0.15 C
0.15 C
0.10 C
顶视图
16 X
0.08 C
SIDE VIEW
A1
C
16X
L
5
注5
4
16X
K
1
12
16X
b
底部视图
0.10 C A B
0.05 C
注3
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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D2
e
8
9
16
13
A
座位
飞机
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
裸露焊盘
E2
e
http://onsemi.com
4
NLSF302/D
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