NLSF1174
D0
D1
数据
输入
D2
D3
D4
D5
时钟
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
同相
输出
RESET
图2.逻辑图
设计/值表
设计标准
内门数*
内部逻辑门的延迟
内部栅极功耗
高速动力产品
*相当于一个两输入与非门。
价值
40.5
1.5
5.0
.0075
单位
ea
ns
mW
pJ
最大额定值
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中，在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 35
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85 ° C（注5 ）
QFN
QFN
PDIP ， SOIC ， TSSOP
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND） （注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
价值
*0.5
to
)7.0
*1.5
到V
CC
)1.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$25
$50
*65
to
)150
260
)150
80
800
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u100
u500
$300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
闭锁性能
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
6.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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2
NLSF1174
推荐工作条件
参数
直流电源电压
（参考GND）
符号
V
CC
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流输入电压，输出电压
（参考GND ） （注7 ）
V
IN
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图4 ）
*55
0
0
0
)125
1000
500
400
°C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
r
, t
f
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高或低逻辑输入电压电平。
DC电气特性
（电压参考GND）
参数
最低高电平输入电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
v855C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
*555C
255℃
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v1255C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
单位
V
最大低电平输入电压
V
IL
最小高电平输出电压
V
OH
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
最大低电平输出电压
V
OL
V
IN
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
最大输入漏电流
V
IN
= V
CC
或GND
I
IN
I
CC
最大静态电源电流
（每包）
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
在典型的参数值8.信息，连同高频或高负荷的考虑，可以在半导体中
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
参数
符号
f
最大
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图4和7 ）
最大传输延迟，时钟到Q
（图5和7 ）
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
C
in
最大传输延迟，复位到Q
（图2和7）
最大输出转换时间，任何输出
（图4和7 ）
最大输入电容
62
pF
功率耗散电容，每启用输出（注10 ）
C
PD
9.传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
10.用于确定在无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
V
V
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
V
0.26
0.26
0.33
0.33
$0.1
4.0
$1.0
40
$1.0
160
mA
mA
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
*555C
255℃
6.0
30
35
v855C
4.8
24
28
v1255C
4.0
20
24
单位
兆赫
110
22
19
110
21
19
75
15
13
10
140
28
24
140
28
24
95
19
16
10
165
33
28
160
32
27
110
22
19
10
ns
ns
ns
pF
典型@ 255℃ ，V
CC
= 5.0 V
QQ：2881677436 复制
