NLB-310
0
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
在NLB -310可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻器的NLB -310提供了灵活性和稳定性。该
NLB - 310封装在一个低成本，表面贴装塑料
封装，提供易于装配的高容量
带与卷筒的要求。
符号
级联宽带
砷化镓MMIC放大器的直流到10GHz
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
B
MILLIMETERS
分钟。
喃。
马克斯。
分钟。
英寸
喃。马克斯。
D
4M
A
C
N5
1
2
3
4
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
0.535 REF 。
2.39 2.54 2.69
0.436 0.510 0.586
2.19 2.34 2.49
1.91 2.16 2.41
1.32 1.52 1.72
0.10 0.15 0.20
0.535 0.660 0.785
0.05 0.10 0.15
0.65 0.75 0.85
0.85 0.95 1.05
4.53 4.68 4.83
4.73 4.88 5.03
0.021 REF 。
0.094 0.100 0.106
0.017 0.020 0.023
0.086 0.092 0.098
0.075 0.085 0.095
0.052 0.060 0.068
0.004 0.006 0.008
0.021 0.026 0.031
0.002 0.004 0.006
0.025 0.029 0.033
0.033 0.037 0.041
0.178 0.184 0.190
0.186 0.192 0.198
E
6
0.08 S
飞机座位
注：所有尺寸以毫米为单位，并且
以英寸为单位的尺寸仅供参考。
F
1J
G
2
H
压力表飞机
S
0.1
L3
Kx3
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：微-X ， 4针，塑料
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.7分贝增益， + 12.6dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.9dBm@6.0GHz和
GND
4
标记 - N6
+13.1dBm@10.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
10GHz
NLB -310 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NLB-310-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NLB-310
功能框图
转A6 040409
4-139
NLB-310
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.0
12.7
10.7
10.0
9.7
9.6
±0.3
1.6:1
1.75:1
1.6:1
1.5:1
1.8:1
1.6:1
12.6
14.9
13.1
5.0
+28.9
+27.9
-17
4.6
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 4.6V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 5.0GHz的到10.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为7.0GHz
F = 7.0GHz到11.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为7.0GHz
F = 7.0GHz到11.0GHz
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=10.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
f=6.0GHz
F = 0.1GHz至20.0GHz
8.5
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
4.4
4.8
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
125
>1,000,000
174
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-140
转A6 040409
NLB-310
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。因为DC是目前该引脚上，隔直电容， suit-
能够为工作频率，应当在大多数使用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同引脚2 。
在RF
4
GND
转A6 040409
4-141
NLB-310
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
()
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
4-142
转A6 040409
NLB-310
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A6 040409
4-143
NLB-310
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
在NLB -310可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻器的NLB -310提供了灵活性和稳定性。该
NLB - 310封装在一个低成本，表面贴装塑料
封装，提供易于装配的高容量
带与卷筒的要求。
符号
级联宽带
砷化镓MMIC放大器的直流到10GHz
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
B
MILLIMETERS
分钟。
喃。
马克斯。
分钟。
英寸
喃。马克斯。
D
4M
A
C
N5
1
2
3
4
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
0.535 REF 。
2.39 2.54 2.69
0.436 0.510 0.586
2.19 2.34 2.49
1.91 2.16 2.41
1.32 1.52 1.72
0.10 0.15 0.20
0.535 0.660 0.785
0.05 0.10 0.15
0.65 0.75 0.85
0.85 0.95 1.05
4.53 4.68 4.83
4.73 4.88 5.03
0.021 REF 。
0.094 0.100 0.106
0.017 0.020 0.023
0.086 0.092 0.098
0.075 0.085 0.095
0.052 0.060 0.068
0.004 0.006 0.008
0.021 0.026 0.031
0.002 0.004 0.006
0.025 0.029 0.033
0.033 0.037 0.041
0.178 0.184 0.190
0.186 0.192 0.198
E
6
0.08 S
飞机座位
注：所有尺寸以毫米为单位，并且
以英寸为单位的尺寸仅供参考。
F
1J
G
2
H
压力表飞机
S
0.1
L3
Kx3
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：微-X ， 4针，塑料
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.7分贝增益， + 12.6dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.9dBm@6.0GHz和
GND
4
标记 - N6
+13.1dBm@10.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
10GHz
NLB-310-T1
磁带&卷， 1000件
NLB-310-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NLB-310
功能框图
转A8 060412
4-139
NLB-310
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.0
12.7
10.7
10.0
9.7
9.6
±0.3
1.6:1
1.75:1
1.6:1
1.5:1
1.8:1
1.6:1
12.6
14.9
13.1
5.0
+28.9
+27.9
-17
4.6
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 4.6V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 5.0GHz的到10.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为7.0GHz
F = 7.0GHz到11.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为7.0GHz
F = 7.0GHz到11.0GHz
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=10.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
f=6.0GHz
F = 0.1GHz至20.0GHz
8.5
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
4.4
4.8
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
125
>1,000,000
174
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-140
转A8 060412
NLB-310
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。因为DC是目前该引脚上，隔直电容， suit-
能够为工作频率，应当在大多数使用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同引脚2 。
在RF
4
GND
转A8 060412
4-141
NLB-310
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
4-142
转A8 060412
NLB-310
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A8 060412
4-143
QQ：2880707522 复制
