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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第53页 > NLAST4599
NLAST4599
低压单电源
SPDT模拟开关
该NLAST4599是一种先进的高速CMOS单刀 -
制造与硅栅CMOS双掷模拟开关
技术。它实现了高速传输延迟和低开
电阻,同时保持低功耗。此开关
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源电压范围(从V
CC
到GND) 。
该设备已被设计成使得导通电阻(R
ON
)是多
在输入电压高于R组低,更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加,无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配,电池备份,
热插入等。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
TSOP6
DT后缀
CASE 318G
1
A1AYWG
G
选择引脚兼容TTL电平
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗:我
CC
= 2
mA
(最大)在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000伏; MM > 200 V
芯片的复杂性: 38场效应管
无铅包可用
SC88/SC70/SOT363
DF后缀
CASE 419B
1
A1 M
G
G
A1
A
Y
W
M
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
=日期代码*
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或位置和下划线
可根据生产地点而有所不同。
SELECT
1
V
+
2
GND
3
6
5
4
功能表
NO
SELECT
COM
NC
L
H
在海峡
NC
NO
图1.引脚分配
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
2X1
COM
U
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年5月 - 8版本
U
U
通道选择
2X0
NO
NC
1
出版订单号:
NLAST4599/D
NLAST4599
最大额定值
(注1 )
参数
正直流电源电压
模拟输入电压(V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流,流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度, 1毫米从案例10秒
在偏置结温
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
SC88
TSOP6
SC88
TSOP6
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
V
ESD
价值
-0.5到+7.0
0.5
V
IS
V
CC
)0.5
0.5
V
I
+ 7.0
$50
200
200
-65到+150
260
150
2000
200
不适用
$300
333
333
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
V
闭锁性能
热阻
I
闭锁
q
JA
mA
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
特征
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压( NC , NO , COM )
工作温度范围
输入信号上升和下降时间
SELECT
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
0
0
100
20
2.0
GND
GND
55
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温与时间的关系
于0.1%的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间,岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
NLAST4599
直流特性 - 数字部分(电压参考GND)
保证限额
参数
最低高电平输入
电压,选择输入
最大低电平输入
电压,选择输入
最大输入漏
目前,选择输入
关机漏电流
最大静态电源
当前
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
符号
V
IH
V
CC
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
0
5.5
-55 255℃
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+0.1
+10
1.0
<855C
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+1.0
+10
1.0
<1255C
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+1.0
+10
2.0
单位
V
V
IL
V
I
IN
I
关闭
I
CC
mA
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
保证限额
参数
最大“开”电阻
(图17 - 23 )
条件
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
我< 10.0毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
IN
我< 10.0毫安
V
IS
= 1V, 2V, 3.5V
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
IN
我< 10.0毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0 V
COM
4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NC
漂浮的
or
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
符号
R
ON
V
CC
2.5
3.0
4.5
5.5
4.5
-55 255℃
85
45
30
25
4
<855C
95
50
35
30
4
<1255C
105
55
40
35
5
单位
W
导通电阻平坦度
(图17 - 23 )
导通电阻匹配
通道之间
NO或NC关闭泄漏
电流(图9)
COM渗漏
电流(图9)
R
(上)
W
DR
ON
(上)
4.5
2
2
3
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
I
COM(上)
5.5
5.5
1
1
10
10
100
100
nA
nA
http://onsemi.com
3
NLAST4599
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒)
保证最高限额
V
CC
参数
开启时间
(图12和13)的
测试条件
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
符号
t
ON
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
V
IS
(V)
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
-55 25℃
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
典型*
23
16
11
9
7
5
4
3
12
11
6
5
最大
28
21
16
14
12
10
9
8
<85_C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
30
25
20
20
15
15
12
12
<125_C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
30
25
20
20
15
15
12
12
单位
ns
关断时间
(图12和13)的
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
t
关闭
ns
最少休息先接后
让时间
V
IS
= 3.0 V(下图4)
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
t
BBM
ns
典型@ 25 , VCC = 5.0 V
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O (关闭)
通用I / O (关闭)
馈通(开关)
*典型特征是在25_C 。
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
8
10
10
20
pF
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
(图10 )
最大穿心损耗
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IN =
V
CC到
GND ,女
IS
= 20千赫
t
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000 pF的
Q = C
L
*
DV
OUT ,
(图8)
关通道隔离
(图10 )
电荷注入选择输入到
通用I / O
(图15)
总谐波失真
总谐波失真+噪声
(图14)
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹,R
L
= RGEN = 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
订购信息
设备命名
电路
指标
设备
功能
苏FFI X
DF
NL
AS
4599
DT
T1
磁带&
REEL
苏FFI X
T2
设备
NLAST4599DFT2
NLAST4599DFT2G
NLAST4599DTT1
NLAST4599DTT1G
技术
SC88/SC70/SOT363
SC88/SC70/SOT363
(无铅)
TSOP6
TSOP6
(无铅)
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
符号
BW
V
ONL
V
ISO
Q
THD
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
2
2
2
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
dB
dB
pC
%
5.5
0.1
航运
NLAST4599
DUT
V
CC
0.1
mF
300
W
产量
V
OUT
35 pF的
输入
V
CC
GND
t
BMM
90%
产量
90 %的V
OH
开关选择引脚
GND
图4吨
BBM
(时间休息前先)
V
CC
DUT
V
CC
0.1
mF
开放
产量
V
OUT
300
W
35 pF的
产量
V
OL
t
ON
t
关闭
输入
0V
V
OH
90%
90%
50%
50%
输入
图5吨
ON
/t
关闭
V
CC
DUT
产量
开放
300
W
V
OUT
35 pF的
输入
V
CC
50%
0V
V
OH
产量
V
OL
10%
t
关闭
t
ON
10%
50%
输入
图6吨
ON
/t
关闭
http://onsemi.com
5
NLAST4599
低压单电源
SPDT模拟开关
该NLAST4599是一种先进的高速CMOS单刀 -
制造与硅栅CMOS双掷模拟开关
技术。它实现了高速传输延迟和低开
电阻,同时保持低功耗。此开关
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源电压范围(从V
CC
到GND) 。
该设备已被设计成使得导通电阻(R
ON
)是多
在输入电压高于R组低,更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用,不论电源电压。这
输入结构有助于防止因电源电压装置的破坏 -
输入/输出电压不匹配,电池备份,热插入,等等。
http://onsemi.com
记号
图表
SOT-23/TSOP-6/SC-59
DT后缀
CASE 318G
A1
d
1
选择引脚兼容TTL电平
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗:我
CC
= 2
mA
(最大)在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000伏; MM > 200 V
芯片的复杂性: 38场效应管
SC-70/SC-88/SOT-363
DF后缀
CASE 419B
A1
d
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
该数据表的尺寸段。
SELECT
1
V
+
2
GND
3
6
5
4
NO
COM
NC
功能表
图1.引脚分配
SELECT
L
H
在海峡
NC
NO
2X1
COM
U
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
2002年11月 - 修订版6
U
U
通道选择
2X0
NO
NC
1
出版订单号:
NLAST4599/D
NLAST4599
绝对最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压(V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流,流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度, 1毫米从案例10秒
在偏置结温
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
而下面的GND
125°C (注5 )
SC-88
TSOP6
SC-88
TSOP6
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5
V
IS
V
CC
)0.5
-0.5
V
I
+ 7.0
$50
200
200
-65到+150
260
150
2000
200
不适用
$300
333
333
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
V
I
闩了
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压( NC , NO , COM )
工作温度范围
输入信号上升和下降时间,
SELECT
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
特征
2.0
GND
GND
-55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温与时间的关系
于0.1%的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间,岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
NLAST4599
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
保证限额
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压,选择
输入
最大的低级别
输入电压,选择
输入
最大输入漏
目前,选择输入
电源关闭
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
0
5.5
-55 255℃
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+0.1
+10
1.0
<855C
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+1.0
+10
1.0
<1255C
2.0
2.0
2.0
0.5
0.8
0.8
+1.0
+10
2.0
单位
V
V
IL
V
I
IN
I
关闭
I
CC
A
A
A
DC电气特性 - 模拟部分
保证限额
符号
R
ON
参数
最大“开”
阻力
(图17 - 23 )
导通电阻平坦度
(图17 - 23 )
导通电阻匹配
通道之间
NO或NC关闭泄漏
电流(图9)
COM渗漏
电流(图9)
条件
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
我< 10.0毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
IN
我< 10.0毫安
V
IS
= 1V, 2V, 3.5V
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
IN
我< 10.0毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0 V
COM
4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NC
漂浮或
V
NO
1.0 V或4.5 V与V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
2.5
3.0
4.5
5.5
4.5
-55 255℃
85
45
30
25
4
<855C
95
50
35
30
4
<1255C
105
55
40
35
5
单位
W
R
(上)
W
DR
ON
(上)
4.5
2
2
3
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
I
COM(上)
5.5
5.5
1
1
10
10
100
100
nA
nA
http://onsemi.com
3
NLAST4599
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒)
保证最高限额
V
CC
符号
t
ON
参数
开启时间
(图12和13)的
测试条件
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
V
IS
(V)
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
2.0
2.0
3.0
3.0
-55 25℃
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
典型*
23
16
11
9
7
5
4
3
12
11
6
5
最大
28
21
16
14
12
10
9
8
<85_C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
30
25
20
20
15
15
12
12
<125_C
5
5
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
30
25
20
20
15
15
12
12
单位
ns
t
关闭
关F的时间
(图12和13)的
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图5和6)
ns
t
BBM
最低
突破性在─让时间
突破前
V
IS
= 3.0 V(下图4)
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
F
ns
*典型特征是在25_C 。
典型@ 25 , VCC = 5.0 V
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O (关闭)
通用I / O (关闭)
馈通(开关)
8
10
10
20
pF
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
V
CC
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
(图10 )
最大穿心损耗
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
F = 100千赫V
IS
=
1 V RMS
千赫;
V
IN
V之间居中
CC
和GND
(图7)
V
IN =
V
CC到
GND ,女
IS
= 20千赫
t
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000 pF的
Q = C
L
*
V
OUT
(图8)
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹,R
L
= RGEN = 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
V
3.0
30
45
4.5
5.5
55
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
-2
2
-2
2
-2
-93
93
-93
93
-93
1.5
3.0
单位
兆赫
V
ONL
dB
V
ISO
关通道
关通道隔离
(图10 )
电荷注入选择输入到
在UT
通用I / O
( g
(图15)
)
dB
Q
pC
C
THD
总谐波失真
总谐波失真+噪声
(图14)
5.5
0.1
%
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4
NLAST4599
DUT
V
CC
0.1
mF
300
产量
V
OUT
35 pF的
输入
V
CC
GND
t
BMM
90%
产量
90 %的V
OH
开关选择引脚
GND
图4吨
BBM
(时间休息前先)
V
CC
DUT
V
CC
0.1
mF
开放
产量
V
OUT
300
35 pF的
产量
V
OL
t
ON
t
关闭
输入
0V
V
OH
90%
90%
50%
50%
输入
图5吨
ON
/t
关闭
V
CC
DUT
产量
开放
300
V
OUT
35 pF的
输入
V
CC
50%
0V
V
OH
产量
V
OL
10%
10%
50%
输入
t
关闭
t
ON
图6吨
ON
/t
关闭
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