NLAST44599
低压单电源
双路DPDT模拟开关
该NLAST44599是一种先进的CMOS双独立
DPDT （双刀双掷）模拟开关，与制造
硅栅CMOS技术。它实现了高速传输
延迟和低导通电阻，同时保持CMOS低功耗
耗散。这DPDT控制的模拟和数字电压，这可能
在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
信道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
通过电源电压
输入/输出电压不匹配，电池备份，
热插入等。
该NLAST44599也可以用来作为一个四2选1 multiplexer-
有两个选择引脚，每个控制信号分离器模拟开关
2复用器，解复用器。
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记号
图表
16
1
T
QFN16
MN后缀
CASE 485G
ALYW
（ TOP VIEW ）
选择引脚兼容TTL电平
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
A
L
Y
W
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
16
16
n上次
4459
ALYW
1
静电放电性能：人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 158场效应管
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
无铅包可用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年2月，
启示录7
1
出版订单号：
NLAST44599/D
NLAST44599
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％
35%
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
QFN16
TSSOP16
QFN16
TSSOP16
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
≤
V
IS
≤
V
CC
)0.5
*0.5
≤
V
I
≤
)7.0
$50
800
450
*65
to
)150
260
+150
LEVEL 1
UL- 94 -VO （0.125英寸）
2000
200
1000
$300
80
164
V
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些条件
或超出指定的条件可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
2.0
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
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3
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