NLAS7242
高速USB 2.0
( 480 Mbps)的双刀双掷开关
该NLAS7242是高速优化的一个双刀双掷开关
USB 2.0便携式应用系统中。它具有超低的
电容C
ON
= 7.5 pF的(典型值) ,高于950 MHz的带宽。它
对于使用单一的USB接口连接器应用进行了优化
路由多种信号类型。了C
ON
和R
ON
两个信道是
适当低让NLAS7242传递任何高速USB数据或
音频信号要适度电阻终端,如
外接耳机。该器件采用一个UQFN10 1.4毫米X 1.8毫米
封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
优化流通引脚排列
R
ON
: 5.0
W
典型值@ V
CC
= 4.2 V
C
ON
: 7.5 pF的典型值@ V
CC
= 3.3 V
V
CC
范围: 1.65 V至4.5 V
典型带宽: 950 MHz的
1.4毫米×1.8毫米× 0.50毫米UQFN10
OVT的常见信号引脚D + / D-高达5.25 V
8 kV的HBM ESD保护所有引脚
这是一个Pb - Free设备
1
UQFN10
CASE 488AT
AD MG
G
AD
M
G
=
=
=
器件代码
日期代码
无铅器件
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
NLAS7242MUTBG
包
UQFN0
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
典型应用
高速USB 2.0数据
手机
便携式设备
NLAS7242
HS
USB
XCVR
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
USB连接器
FS USB
XCVR或
音频
AMP
图1.应用框图
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号:
NLAS7242/D
NLAS7242
HSD2+
7
HSD2
6
OE
V
CC
8
5
HSD1+
HSD1
GND
9
4
控制
S
10
3
1
2
图2.引脚连接和逻辑图
( TOP VIEW )
表1.引脚说明
针
S
OE
HSD1 + , HSD1- , HSD2 + ,
HSD2- , D +,D-
功能
控制输入
OUTPUT ENABLE
数据端口
OE
1
0
0
S
X
0
1
D+
D
表2.真值表
HSD1+,
HSD1
关闭
ON
关闭
HSD2+,
HSD2
关闭
关闭
ON
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
引脚
V
CC
HSDn + ,
HSDn-
D+, D
V
IN
I
CC
T
S
I
IS_CON
HSDn + ,
HSDn- ,
D+, D
HSDn + ,
HSDn- ,
D+, D
S, OE
S, OE
V
CC
控制输入电压,输出电压启用
正DC电源电流
储存温度
模拟信号连续电流闭开关
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
价值
0.5
至+5.5
0.5
到V
CC
+ 0.3
0.5
到5.25
0.5
至+5.5
50
65
+150
$300
V
mA
°C
mA
单位
V
V
I
IS_PK
模拟信号连续电流占空比为10%
$500
mA
I
IN
控制输入电流,输出电流启用
$20
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
HSDn + ,
HSDn-
D+, D
V
IN
T
A
S, OE
控制输入电压,输出电压启用
工作温度
引脚
模拟信号电压
参数
正直流电源电压
民
1.65
GND
GND
GND
40
最大
4.5
V
CC
4.5
V
CC
+85
V
°C
单位
V
V
最大值和最小值,通过跨推荐工作条件测试或设计保证在适用。
典型值列于仅引导和基于列出的部分中,在适用情况下的具体条件。这些条件
是有效的,在特性表中,除非在该试验条件另有规定发现的所有值。
ESD保护
符号
ESD
人体模型
所有引脚
参数
价值
8.0
单位
kV
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2
NLAS7242
DC电气特性
控制输入,输出使能电压
(典型值: T = 25 ° C)
40°C
至+ 85°C
符号
V
IH
引脚
S, OE
参数
控制输入,输出
使高压
(参见图11)
控制输入,输出
启用低电压
(参见图11)
电流输入,输出
使漏电流
0
≤
V
IS
≤
V
CC
测试条件
V
CC
(V)
2.7
3.3
4.2
2.7
3.3
4.2
1.65
4.5
民
1.25
1.3
1.4
典型值
最大
单位
V
V
IL
S, OE
0.35
0.4
0.5
±1.0
V
I
IN
S, OE
mA
电源电流和泄漏
(典型值:T = 25 ° C,V
CC
= 3.3 V)
40°C
至+ 85°C
符号
I
CC
I
OZ
I
关闭
D+, D
引脚
V
CC
参数
静态电源电流
关闭状态漏泄
关机泄漏
当前
测试条件
0
≤
V
IS
≤
V
CC
; I
D
= 0 A
0
≤
V
IS
≤
V
CC
0.5 V
0
≤
V
IS
≤
V
CC
0
≤
V
IS
≤
V
CC
V
CC
(V)
1.65
3.6
3.6
4.5
1.65
4.5
0
民
典型值
±0.1
最大
1.0
1.0
±1.0
±1.0
单位
mA
mA
mA
有限公司诉
IS
SWING导通电阻
(典型值: T = 25 ° C)
40°C
至+ 85°C
符号
R
ON
引脚
参数
导通电阻(注1 )
测试条件
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V至0.4 V
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V至0.4 V
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V至0.4 V
V
CC
(V)
2.7
3.3
4.2
2.7
3.3
4.2
2.7
3.3
4.2
民
典型值
6.0
5.5
5.0
0.55
0.30
0.20
0.60
0.60
0.60
最大
8.6
7.6
7.0
单位
W
R
平
导通电阻平坦度
(注1及2 )
导通电阻匹配
(注1及3 )
W
DR
ON
W
1.设计保证。
测量在规定的模拟2.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
3.
DR
ON
= R
开( MAX)的
R
开(分钟)
HSD1之间
+
和HSD1
或HSD2
+
和HSD2
.
全V
IS
SWING导通电阻
(典型值: T = 25 ° C)
40°C
至+ 85°C
符号
R
ON
引脚
参数
导通电阻
测试条件
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V到V
CC
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V到V
CC
I
ON
= 8毫安
V
IS
= 0 V到V
CC
V
CC
(V)
2.7
3.3
4.2
2.7
3.3
4.2
2.7
3.3
4.2
民
典型值
10
8.0
7.0
4.5
3.0
2.5
0.60
0.60
0.60
最大
13.5
9.75
8.50
单位
W
R
平
导通电阻平坦度
(注4和5)
导通电阻
(注4和6)
W
DR
ON
W
4.通过设计保证。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
6.
DR
ON
= R
开( MAX)的
R
开(分钟)
HSD1之间
+
和HSD1
或HSD2
+
和HSD2
.
http://onsemi.com
3
NLAS7242
AC电气特性
时间/频率
(典型值:T = 25 ° C,V
CC
= 3.3 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 PF, F = 1兆赫)
405C
到+ 855C
符号
t
ON
t
关闭
T
BBM
BW
引脚
封开
打开到关闭
参数
开启时间
(参见图4和5 )
关断时间
(参见图4和5 )
突破前先
时间(参见图3)
3
dB带宽
(参见图10)
C
L
= 5 pF的
测试条件
V
CC
(V)
1.65
4.5
1.65
4.5
1.65
4.5
1.65
4.5
民
2.0
典型值
13.0
12.0
950
最大
30.0
25.0
单位
ns
ns
ns
兆赫
隔离
(典型值:T = 25 ° C,V
CC
= 3.3 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 5 pF的)
405C
到+ 855C
符号
O
IRR
X
TALK
引脚
开放
HSDn +到HSDn-
参数
关断隔离
(参见图6)
非相邻通道
相声
测试条件
F = 240 MHz的
F = 240 MHz的
V
CC
(V)
1.65
4.5
1.65
4.5
民
典型值
22
24
最大
单位
dB
dB
电容
(典型值:T = 25 ° C,V
CC
= 3.3 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 5 pF的)
405C
到+ 855C
符号
C
IN
C
ON
引脚
S, OE
D +到
HSD1 +或
HSD2+
参数
控制引脚,输出使能
输入电容
在电容
测试条件
V
CC
= 0 V , F = 1兆赫
V
CC
= 0 V , F = 10 MHz的
V
CC
= 3.3 V ; OE = 0 V , F = 1兆赫
S = 0 V或3.3 V
V
CC
= 3.3 V ; OE = 0 V , F = 10 MHz的
S = 0 V或3.3 V
关断电容
V
CC
= V
IS
= 3.3 V;
OE = 0 V ,S = 3.3 V或0 V ,
F = 1 MHz的
V
CC
= V
IS
= 3.3 V;
OE = 0 V ,S = 3.3 V或0 V ,
F = 10MHz的
民
典型值
1.5
1.0
7.5
6.5
3.8
最大
单位
pF
C
关闭
HSD1n或
HSD2n
2.0
http://onsemi.com
4