NLAS7222A
高速USB 2.0
（ 480 Mbps）的双刀双掷开关
安森美半导体的NLAS7222A系列模拟开关电路
利用公司先进的亚微米CMOS生产
技术，实现了业界领先的性能。
该NLAS7222A可以是2至1端口模拟开关。其广泛
带宽和低比特到比特歪斜允许它通过高速
差分信号具有良好的信号完整性。该开关是
双向的，并且提供很少或没有衰减的高速的
在输出端的信号。行业领先的优势包括：
小于250 ps的传播延迟，从它的低信道产生的
电阻和低I / O电容。它的高通道至通道
串扰抑制导致最小的噪音干扰。它的带宽
足够宽，能够通过高速USB 2.0差分信号
（480 Mb / s的） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图
WQFN10
CASE 488AQ
1
XX M
G
G
UQFN10
CASE 488AT
1
XX M
G
G
R
ON
通常是6.5
W
在V
CC
= 3 V
低比特对位偏斜：通常50 PS
OVT的D +和D-高达3.6 V
掉电保护：
当V
CC
= 0V ， D +和D-可以容忍高达3.6伏
低串扰： -45分贝@ 250兆赫
低电流消耗： 1
mA
近零传播延迟： 250 ps的
通道导通电容： 6.5 pF的（典型）
V
CC
经营范围： + 3.0V至+ 3.6V
> 700 MHz带宽（或数据频）
这是一个Pb - Free设备
器件代码
XX = 2A或Y
=日期代码
M
G
=无铅器件
（注：微球可在任一位置）
XX
=
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
典型应用
差分信号数据路由
USB 2.0信号路由
重要信息
连续额定电流流经各开关
±50
mA
8千伏I / O至GND ESD保护
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 第1版
出版订单号：
NLAS7222A/D
NLAS7222A
HSD1
7
HSD2
6
表1.引脚说明
针
S
5
功能
选择输入
OUTPUT ENABLE
数据端口
OE
V
CC
8
D
GND
OE
HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ，
HSD2- ， D +，D-
9
控制
4
S
10
3
D+
表2.真值表
OE
1
0
0
S
X
0
1
HSD1+,
HSD1
关闭
ON
关闭
HSD2+,
HSD2
关闭
关闭
ON
1
2
HSD1+
HSD2+
图1.引脚连接和逻辑图
（ TOP VIEW ）
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
正直流电源电压
模拟开关的输入电压
HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ， HSD2-
D+, D
数字选择输入电压
连续直流电流（通过模拟开关）
功耗
储存温度
人体模型
I / O至GND
所有引脚
参数
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+ 0.3
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
0.5
-65到+150
8
2
单位
V
V
V
IN
I
D
P
D
T
S
ESD
V
mA
W
°C
kV
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
OS
V
IN
T
A
t
r
, t
f
正直流电源电压
模拟量I / O电压（ HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ， HSD2- ）
模拟常见的输出电压（D + ， D-）
数字选择输入电压
工作温度范围
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
民
3.0
GND
GND
GND
40
0
最大
3.6
V
CC
3.6
V
CC
+85
15
单位
V
V
V
V
°C
ns
http://onsemi.com
2
NLAS7222A
50
W
参考
输入
产量
50
W
发电机
50
W
DUT
发送
通道开关控制/ s的测试插座进行归一化。断隔离跨关信道进行测量。损耗
是一个在开关的带宽。 V
ISO
，带宽和V
ONL
独立于输入信号的方向。
V
ISO
=关通道隔离= 20日志
V
ONL
=在信道损耗= 20日志
VOUT
VIN为V
IN
在100千赫
VOUT
对于V
IN
在100千赫至50兆赫
VIN
带宽（ BW ）=低于V频率3分贝
ONL
V
CT
=使用V
ISO
设置和测试，以终止50所有其他交换机模拟量输入/输出
W
图5.关通道隔离/在信道损耗（ BW ） /串扰
（通道为关通道） / V
ONL
DUT
开放
产量
V
IN
V
CC
GND
C
L
产量
关闭
关闭
DV
OUT
V
IN
On
图6.电荷注入（ Q）
http://onsemi.com
5
NLAS7222A
3.3 V ，宽带，
2 -1端口（ DPDT ）开关
与启用
安森美半导体的NLAS7222A系列模拟开关电路
利用公司先进的亚微米CMOS生产
技术，实现了业界领先的性能。
该NLAS7222A可以是2至1端口模拟开关。其广泛
带宽和低比特到比特歪斜允许它通过高速
差分信号具有良好的信号完整性。该开关是
双向的，并且提供很少或没有衰减的高速的
在输出端的信号。行业领先的优势包括：
小于250 ps的传播延迟，从它的低信道产生的
电阻和低I / O电容。它的高通道至通道
串扰抑制导致最小的噪音干扰。它的带宽
足够宽，能够通过高速USB 2.0差分信号
（480 Mb / s的） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图
WQFN10
CASE 488AQ
1
XX
M
G
=具体设备守则
=日期代码
=无铅器件
XX M
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
R
ON
通常是6.5
W
在V
CC
= 3 V
低比特对位偏斜：通常50 PS
OVT的D +和D-高达3.6 V
掉电保护：
当V
CC
= 0V ， D +和D-可以容忍高达3.6伏
低串扰： -45分贝@ 250兆赫
低电流消耗： 1
mA
近零传播延迟： 250 ps的
通道导通电容： 6.5 pF的（典型）
V
CC
经营范围： + 3.0V至+ 3.6V
> 720 MHz带宽（或数据频）
这是一个Pb - Free设备
典型应用
差分信号数据路由
USB 2.0信号路由
重要信息
连续额定电流流经各开关
±50
mA
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年10月 - 修订版0
出版订单号：
NLAS7222A/D
NLAS7222A
HSD1
7
HSD2
6
表1.引脚说明
针
S
5
功能
选择输入
OUTPUT ENABLE
数据端口
OE
V
CC
8
D
GND
OE
HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ，
HSD2- ， D +，D-
9
控制
4
S
10
3
D+
表2.真值表
OE
1
0
0
S
X
0
1
HSD1+,
HSD1
关闭
ON
关闭
HSD2+,
HSD2
关闭
关闭
ON
1
2
HSD1+
HSD2+
图1.引脚连接和逻辑图
（ TOP VIEW ）
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
正直流电源电压
模拟开关的输入电压
HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ， HSD2-
D+, D
数字选择输入电压
连续直流电流（通过模拟开关）
功耗
储存温度
参数
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+ 0.3
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
0.5
-65到+150
单位
V
V
V
IN
I
D
P
D
T
S
V
mA
W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
OS
V
IN
T
A
t
r
, t
f
正直流电源电压
模拟量I / O电压（ HSD1 + ， HSD1- ， HSD2 + ， HSD2- ）
模拟常见的输出电压（D + ， D-）
数字选择输入电压
工作温度范围
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
民
3.0
GND
GND
GND
40
0
最大
3.6
V
CC
3.6
V
CC
+85
15
单位
V
V
V
V
°C
ns
http://onsemi.com
2
NLAS7222A
50
W
参考
输入
产量
50
W
发电机
50
W
DUT
发送
通道开关控制/ s的测试插座进行归一化。断隔离跨关信道进行测量。损耗
是一个在开关的带宽。 V
ISO
，带宽和V
ONL
独立于输入信号的方向。
V
ISO
=关通道隔离= 20日志
V
ONL
=在信道损耗= 20日志
VOUT
VIN为V
IN
在100千赫
VOUT
对于V
IN
在100千赫至50兆赫
VIN
带宽（ BW ）=低于V频率3分贝
ONL
V
CT
=使用V
ISO
设置和测试，以终止50所有其他交换机模拟量输入/输出
W
图5.关通道隔离/在信道损耗（ BW ） /串扰
（通道为关通道） / V
ONL
DUT
开放
产量
V
IN
V
CC
GND
C
L
产量
关闭
关闭
DV
OUT
V
IN
On
图6.电荷注入（ Q）
http://onsemi.com
5
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