NLAS4684
超低阻值
双路SPDT模拟开关
该NLAS4684是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
为常闭（NC ）开关，
0.8
W
为常开开关（ NO）在2.7 V.
该器件还具有保证歇制作切换之前，
保证了开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4684可在一个2.0× 1.5毫米凸点芯片阵列。
焊锡凸块的间距为0.5mm ，易于处理。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
超低R
ON
,
t0.5
W
在2.7 V
阈值调整到功能与1.8 V控制在
V
CC
= 2.73.3 V
单电源供电，从1.8-5.5 V
微小的2× 1.5毫米凸点芯片
低串扰，
t
83分贝在100kHz
全0 -V
CC
信号处理能力
高隔离度， -65分贝100千赫
低待机电流，
t50
nA
低失真，
t0.14%
THD
R
ON
0.15平整度
W
引脚对引脚替代的MAX4684
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
无铅包可用
手机
喇叭开关
电源开关
调制解调器
汽车
A1
Microbump10
CASE 489AA
A1
4684
AYWWG
G
1
1
QFN10
CASE 485C
NLAS
4684
ALYWG
G
1
Micro10
CASE 846B
4684
AYWG
G
应用
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 15牧师
出版订单号：
NLAS4684/D
NLAS4684
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
I
CLMP 1
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC
峰值电流为输入钳位二极管的COM / NC / NO
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$300
$500
$300
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
条件
V
CC
$10%
2.0
2.5
3.0
5.0
2.0
2.5
3.0
5.0
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
180
t855C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
t1255C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
nA
2.设计保证。
http://onsemi.com
3
NLAS4684
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-555C 255℃
符号
R
ON
（ NC ）
参数
数控“ON”时电阻
（注3）
条件
V
IN
v
V
IL
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0
V
COM
= 4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
1.0 V或4.5 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
$10%
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
5.5
1
民
最大
0.6
0.5
0.4
1.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
1
10
t855C
民
最大
0.7
0.5
0.4
1.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
10
100
t1255C
民
最大
0.8
0.5
0.5
1.0
1.0
0.9
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
100
nA
单位
W
R
ON
（NO）的
编号为“ON”时电阻
（注3）
W
R
FLAT （ NC ）
NC_On通电阻
平整度（注3,5）
W
R
平（NO）的
NO_On通电阻
平整度（注3,5）
W
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
（注3和4）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
NC或NO关
漏电流
（图13） （注3）
COM在
漏电流
（图13） （注3）
5.5
2
2
20
20
200
200
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
4.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
http://onsemi.com
4
NLAS4684
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）（典型的特征是在25℃下）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
3.0
V
IS
(V)
1.3
1.5
2.8
1.3
1.5
2.8
1.5
2
15
*555C
255℃
民
典型值
最大
60
50
30
50
40
30
t855C
民
最大
70
60
35
55
50
35
t1255C
民
最大
70
60
35
55
50
35
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
关断时间
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
ns
t
BBM
最小中断前先
时间（注6 ）
V
IS
= 3.0
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图3）
ns
典型@ 25 ，V
CC
= 5.0 V
C
NC
关闭
C
NO
关闭
C
NC
On
C
NO
On
NC关断电容， F = 1兆赫
NO关断电容， F = 1兆赫
NC导通电容， F = 1兆赫
NO导通电容， F = 1兆赫
102
104
322
330
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应
最大直通损耗
关通道隔离（注7 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图10和图11 ）
总谐波失真THD +
噪声（图9）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图6）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 nF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
DV
OUT
（图7）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
1 V RMS
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
NC
NO
V
CC
V
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
典型
255C
6.5
9.5
0.05
65
15
0.14
83
pC
%
dB
dB
dB
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
6， -55°C规格由设计保证。
7，关闭通道，隔离= 20log10 （VCOM /新视窗）在（参见图6） 。
http://onsemi.com
5
NLAS4684
超低阻值
双路SPDT模拟开关
该NLAS4684是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
为常闭（NC ）开关，
0.8
W
为常开开关（ NO）在2.7 V.
该器件还具有保证歇制作切换之前，
保证了开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4684可在一个2.0× 1.5毫米凸点芯片阵列。
焊锡凸块的间距为0.5mm ，易于处理。
特点
A1
Microbump10
CASE 489AA
A1
http://onsemi.com
记号
图表
超低R
ON
,
t0.5
W
在2.7 V
阈值调整到功能与1.8 V控制在
V
CC
= 2.73.3 V
单电源供电，从1.8-5.5 V
微小的2× 1.5毫米凸点芯片
低串扰，
t
83分贝在100kHz
全0 -V
CC
信号处理能力
高隔离度， -65分贝100千赫
低待机电流，
t50
nA
低失真，
t0.14%
THD
R
ON
0.15平整度
W
引脚对引脚替代的MAX4684
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
无铅包装是可用*
手机
喇叭开关
电源开关
调制解调器
汽车
4684
AYWW
A1
4684
AYWWG
1
1
QFN10
CASE 485C
NLAS
4684
ALYW
1
NLAS
4684
ALYW
G
Micro10
CASE 846B
1
NLAS
4684
ALYW
应用
A
L
Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 11牧师
出版订单号：
NLAS4684/D
NLAS4684
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
I
CLMP 1
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC
峰值电流为输入钳位二极管的COM / NC / NO
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$300
$500
$300
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
条件
V
CC
$10%
2.0
2.5
3.0
5.0
2.0
2.5
3.0
5.0
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
50
t855C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
t1255C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
nA
2.设计保证。
http://onsemi.com
3
NLAS4684
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-555C 255℃
符号
R
ON
（ NC ）
参数
数控“ON”时电阻
（注3）
条件
V
IN
v
V
IL
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0
V
COM
= 4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
1.0 V或4.5 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
$10%
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
5.5
1
民
最大
0.6
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
1
10
t855C
民
最大
0.7
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
10
100
t1255C
民
最大
0.8
0.5
0.5
2.0
1.0
0.9
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
100
nA
单位
W
R
ON
（NO）的
编号为“ON”时电阻
（注3）
W
R
FLAT （ NC ）
NC_On通电阻
平整度（注3,5）
W
R
平（NO）的
NO_On通电阻
平整度（注3,5）
W
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
（注3和4）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
NC或NO关
漏电流
（图13） （注3）
COM在
漏电流
（图13） （注3）
5.5
2
2
20
20
200
200
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
4.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
http://onsemi.com
4
NLAS4684
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）（典型的特征是在25℃下）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
3.0
V
IS
(V)
1.3
1.5
2.8
1.3
1.5
2.8
1.5
2
15
*555C
255℃
民
典型值
最大
60
50
30
50
40
30
t855C
民
最大
70
60
35
55
50
35
t1255C
民
最大
70
60
35
55
50
35
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
关断时间
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
ns
t
BBM
最小中断前先
时间（注6 ）
V
IS
= 3.0
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图3）
ns
典型@ 25 ，V
CC
= 5.0 V
C
NC
关闭
C
NO
关闭
C
NC
On
C
NO
On
NC关断电容， F = 1兆赫
NO关断电容， F = 1兆赫
NC导通电容， F = 1兆赫
NO导通电容， F = 1兆赫
102
104
322
330
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应
最大直通损耗
关通道隔离（注7 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图10和图11 ）
总谐波失真THD +
噪声（图9）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图6）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 nF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
DV
OUT
（图7）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
1 V RMS
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
NC
NO
V
CC
V
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
典型
255C
6.5
9.5
0.05
65
15
0.14
83
pC
%
dB
dB
dB
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
6， -55°C规格由设计保证。
7，关闭通道，隔离= 20log10 （VCOM /新视窗）在（参见图6） 。
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5
NLAS4684
超低阻值
双路SPDT模拟开关
该NLAS4684是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
为常闭（NC ）开关，
0.8
W
为常开开关（ NO）在2.7 V.
该器件还具有保证歇制作切换之前，
保证了开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4684可在一个2.0× 1.5毫米凸点芯片阵列。
焊锡凸块的间距为0.5mm ，易于处理。
特点
A1
Microbump10
CASE 489AA
A1
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记号
图表
超低R
ON
,
t0.5
W
在2.7 V
阈值调整到功能与1.8 V控制在
V
CC
= 2.73.3 V
单电源供电，从1.8-5.5 V
微小的2× 1.5毫米凸点芯片
低串扰，
t
83分贝在100kHz
全0 -V
CC
信号处理能力
高隔离度， -65分贝100千赫
低待机电流，
t50
nA
低失真，
t0.14%
THD
R
ON
0.15平整度
W
引脚对引脚替代的MAX4684
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
无铅包装是可用*
手机
喇叭开关
电源开关
调制解调器
汽车
4684
AYWW
A1
4684
AYWWG
1
1
QFN10
CASE 485C
NLAS
4684
ALYW
1
NLAS
4684
ALYW
G
Micro10
CASE 846B
1
NLAS
4684
ALYW
应用
A
L
Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 11牧师
出版订单号：
NLAS4684/D
NLAS4684
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
I
CLMP 1
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC
峰值电流为输入钳位二极管的COM / NC / NO
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$300
$500
$300
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
条件
V
CC
$10%
2.0
2.5
3.0
5.0
2.0
2.5
3.0
5.0
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
50
t855C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
t1255C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
nA
2.设计保证。
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3
NLAS4684
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-555C 255℃
符号
R
ON
（ NC ）
参数
数控“ON”时电阻
（注3）
条件
V
IN
v
V
IL
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0
V
COM
= 4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
1.0 V或4.5 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
$10%
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
5.5
1
民
最大
0.6
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
1
10
t855C
民
最大
0.7
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
10
100
t1255C
民
最大
0.8
0.5
0.5
2.0
1.0
0.9
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
100
nA
单位
W
R
ON
（NO）的
编号为“ON”时电阻
（注3）
W
R
FLAT （ NC ）
NC_On通电阻
平整度（注3,5）
W
R
平（NO）的
NO_On通电阻
平整度（注3,5）
W
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
（注3和4）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
NC或NO关
漏电流
（图13） （注3）
COM在
漏电流
（图13） （注3）
5.5
2
2
20
20
200
200
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
4.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
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4
NLAS4684
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）（典型的特征是在25℃下）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
3.0
V
IS
(V)
1.3
1.5
2.8
1.3
1.5
2.8
1.5
2
15
*555C
255℃
民
典型值
最大
60
50
30
50
40
30
t855C
民
最大
70
60
35
55
50
35
t1255C
民
最大
70
60
35
55
50
35
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
关断时间
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
ns
t
BBM
最小中断前先
时间（注6 ）
V
IS
= 3.0
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图3）
ns
典型@ 25 ，V
CC
= 5.0 V
C
NC
关闭
C
NO
关闭
C
NC
On
C
NO
On
NC关断电容， F = 1兆赫
NO关断电容， F = 1兆赫
NC导通电容， F = 1兆赫
NO导通电容， F = 1兆赫
102
104
322
330
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应
最大直通损耗
关通道隔离（注7 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图10和图11 ）
总谐波失真THD +
噪声（图9）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图6）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 nF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
DV
OUT
（图7）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
1 V RMS
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
NC
NO
V
CC
V
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
典型
255C
6.5
9.5
0.05
65
15
0.14
83
pC
%
dB
dB
dB
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
6， -55°C规格由设计保证。
7，关闭通道，隔离= 20log10 （VCOM /新视窗）在（参见图6） 。
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5
QQ：2880707522 复制
