NLAS4599
低压单电源
SPDT模拟开关
该NLAS4599是一种先进的高速CMOS单刀 -
制造与硅栅CMOS双掷模拟开关
技术。它实现了高速传输延迟和低开
电阻，同时保持低功耗。此开关
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源电压范围（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，
热插入等。
http://onsemi.com
记号
图表
SOT–23/TSOP–6/SC–59
DT后缀
CASE 318G
AO
d
1
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏; MM > 200 V
芯片的复杂性： 38场效应管
SC–70/SC–88/SOT–363
DF后缀
CASE 419B
AO
d
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
该数据表的尺寸段。
SELECT
1
V
+
2
GND
3
6
5
4
NO
COM
NC
功能表
图1.引脚分配
SELECT
L
H
在海峡
NC
NO
2X1
COM
U
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
2002年4月 - 6牧师
U
U
通道选择
2X0
NO
NC
1
出版订单号：
NLAS4599/D
NLAS4599
绝对最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度， 1毫米从案例10秒
在偏置结温
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
而下面的GND
125°C （注5 ）
SC–88
TSOP6
SC–88
TSOP6
参数
价值
-0.5到+7.0
–0.5
≤
V
IS
≤
V
CC
)0.5
–0.5
≤
V
I
≤
+ 7.0
$50
200
200
-65到+150
260
150
2000
200
不适用
$300
333
333
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，
SELECT
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
特征
民
2.0
GND
GND
–55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
NLAS4599
低压单电源
SPDT模拟开关
该NLAS4599是一种先进的高速CMOS单刀 -
制造与硅栅CMOS双掷模拟开关
技术。它实现了高速传输延迟和低开
电阻，同时保持低功耗。此开关
控制的模拟和数字电压在整个可能会发生变化
电源电压范围（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，
热插入等。
http://onsemi.com
记号
图表
SOT–23/TSOP–6/SC–59
DT后缀
CASE 318G
AO
d
1
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏; MM > 200 V
芯片的复杂性： 38场效应管
SC–70/SC–88/SOT–363
DF后缀
CASE 419B
AO
d
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
该数据表的尺寸段。
SELECT
1
V
+
2
GND
3
6
5
4
NO
COM
NC
功能表
图1.引脚分配
SELECT
L
H
在海峡
NC
NO
2X1
COM
U
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
2002年4月 - 6牧师
U
U
通道选择
2X0
NO
NC
1
出版订单号：
NLAS4599/D
NLAS4599
绝对最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度， 1毫米从案例10秒
在偏置结温
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
而下面的GND
125°C （注5 ）
SC–88
TSOP6
SC–88
TSOP6
参数
价值
-0.5到+7.0
–0.5
≤
V
IS
≤
V
CC
)0.5
–0.5
≤
V
I
≤
+ 7.0
$50
200
200
-65到+150
260
150
2000
200
不适用
$300
333
333
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，
SELECT
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
特征
民
2.0
GND
GND
–55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
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