NLAS44599
低压单电源
双路DPDT模拟开关
该NLAS44599是一种先进的双独立双CMOS
制造与硅极双掷（DPDT）模拟开关
栅CMOS技术。它实现了高速传输延迟
和低导通电阻，同时保持CMOS低功率
耗散。这DPDT控制的模拟和数字电压，这可能
在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
通过电源电压
输入/输出电压不匹配，电池备份，
热插入等。
该NLAS44599也可以用来作为一个四2选1 multiplexer-
有两个选择引脚，每个控制信号分离器模拟开关
2复用器，解复用器。
http://onsemi.com
记号
图表
16
1
16
QFN16
MN后缀
CASE 485G
AS
4459
ALYW
当前
最热
1
C
ALYW
前
最热*
*以前版本的该设备可能被标记为
在该图中示出。
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
NLAS
4459
ALYW
1
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 158场效应管
无铅包可用
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年4月，
启示录13
1
出版订单号：
NLAS44599/D
NLAS44599
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％
35%
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
QFN16
TSSOP16
QFN16
TSSOP16
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$50
800
450
*65
to
)150
260
+150
LEVEL 1
UL 94 -V0 （0.125英寸）
2000
200
1000
$300
80
164
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
单位
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
2.0
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
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3
NLAS44599
低压单电源
双路DPDT模拟开关
该NLAS44599是一种先进的双独立双CMOS
制造与硅极双掷（DPDT）模拟开关
栅CMOS技术。它实现了高速传输延迟
和低导通电阻，同时保持CMOS低功率
耗散。这DPDT控制的模拟和数字电压，这可能
在整个电源范围内变化（从V
CC
到GND） 。
该设备已被设计成使得导通电阻（R
ON
）是多
在输入电压高于R组低，更线性的
ON
典型的CMOS
模拟开关。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容。
通道选择输入结构时提供保护
0 V至5.5 V之间的电压被施加，无论供应
电压。这种投入结构有助于防止设备损坏造成的
通过电源电压
输入/输出电压不匹配，电池备份，
热插入等。
该NLAS44599也可以用来作为一个四2选1 multiplexer-
有两个选择引脚，每个控制信号分离器模拟开关
2复用器，解复用器。
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记号
图表
16
1
16
QFN16
MN后缀
CASE 485G
AS
4459
ALYW
当前
最热
1
C
ALYW
前
最热*
*以前版本的该设备可能被标记为
在该图中示出。
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
NLAS
4459
ALYW
1
通道选择输入过压容限为5.5 V
快速交换和传播速度
先开后合式电路
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
二极管保护提供通道选择输入
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 158场效应管
无铅包可用
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年7月
启示录14
1
出版订单号：
NLAS44599/D
NLAS44599
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
P
D
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
V
ESD
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
或V
COM
)
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％
35%
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
QFN16
TSSOP16
QFN16
TSSOP16
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$50
800
450
*65
to
)150
260
+150
LEVEL 1
UL 94 -V0 （0.125英寸）
2000
200
1000
$300
80
164
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
单位
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
热阻
mA
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试JESD22 - C101 -A 。
4.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
2.0
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 100°C
T
J
= 110°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
100
时间，岁月
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
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