NLAS4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
TTL电平兼容,单刀, 8位
加共关闭
http://onsemi.com
该NLAS4051是MC14051的改进版本,
MC74HC4051制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3.0
V通过一个6.0 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。
特点
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
NLAS4051G
AWLYWW
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
NLAS
4051
ALYWG
G
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4051和MAX4051A
二分之一的电阻工作在5.0 V
单或双电源供电
单2.5-5.0 V操作,或双
±3.0
V操作
随着V
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V接口
逻辑,没有翻译所需
Address和禁止逻辑都是过压容限,并五月
驱动的V高达+6.0 V不管
CC
改进的线性度标准HC4051设备
1
16
QSOP16
QS后缀
CASE 492
1
A
WL ,L
Y
WW, W
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
S4051
ALYW
1
热门SOIC和节省空间的TSSOP , QSOP和16引脚
套餐
无铅包可用*
V
CC
16
NO
2
15
NO
4
14
NO
0
13
NO
6
添加
C
添加
B
添加
A
12
11
10
9
订购信息
设备
NLAS4051DR2
NLAS4051DR2G
NLAS4051DTR2
包
SOIC16
SOIC16
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
1
NO
1
2
3
4
NO
7
5
NO
5
6
7
8
GND
NO
3
COM
抑制V
EE
NLAS4051DTR2G TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
(无铅)
NLAS4051QSR
QSOP16
2500 /磁带&卷轴
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年5月 - 第3版
出版订单号:
NLAS4051/D
NLAS4051
真值表
地址
抑制
1
0
0
0
0
0
0
0
0
C
X
不在乎
0
0
0
0
1
1
1
1
B
X
不在乎
0
0
1
1
0
0
1
1
A
X
不在乎
0
1
0
1
0
1
0
1
在交换机上*
NO
2
所有开关打开
COM -NO
0
COM -NO
1
COM -NO
2
COM -NO
3
COM -NO
4
COM -NO
5
COM -NO
6
COM -NO
7
添加
C
添加
B
添加
A
逻辑
COM
NO
3
NO
4
NO
5
NO
6
NO
7
抑制
NO
0
NO
1
* NO和COM引脚是相同的并且可以互换。或者可以考虑
的输入或输出;信号通过同样在任一方向。
图2.逻辑图
最大额定值
参数
符号
V
EE
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
正直流电源电压(注1 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
(参考GND)
V
IN
I
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
-65
)150
260
T
英镑
T
L
T
J
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
)150
143
164
164
500
450
450
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
q
JA
° C / W
功率消耗在静止空气中,
P
D
mW
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
V
ESD
V
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. Ⅴ的绝对值
CC
$|V
EE
|
≤
7.0.
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
http://onsemi.com
2
NLAS4051
推荐工作条件
参数
符号
V
EE
民
最大
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
0
V
CC
5.5
(注6)(参照GND )
V
IN
T
A
工作温度范围,所有封装类型
55
0
0
125
100
20
_C
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
t
r
, t
f
NS / V
6.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
55
至25℃
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
参数
最低高电平输入电压,
地址和禁止输入
条件
符号
V
IH
最大低电平输入电压,
地址和禁止输入
V
IL
V
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源电流
(每包)
V
IN
= 6.0或GND
地址,抑制和
V
IS
= V
CC
或GND
I
IN
I
CC
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
最大“开”电阻
(注7 )
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= (V
EE
到V
CC
)
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
R
ON
0
0
3.0
0
0
3.0
3.0
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
V
IS
= 2.0 V
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
), V
IS
= 3.0 V
|I
S
| = 10 mA时, V
IS
= 2.0 V
DR
ON
W
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
|I
S
| = 10毫安V
COM
= 1, 2, 3.5 V
V
COM
= 2, 0, 2 V
RFLAT (ON)的
I
NC (关闭)
I
否(关)
4.5
3.0
W
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
最大导通通道
漏电流,
通道 - 通道
I
COM(上)
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
7.在电源电压(V
CC
)接近2.5伏的导通电阻的模拟开关变得极为非线性的。因此,对于低电压
操作建议这些设备只被用于控制数字信号。
http://onsemi.com
3