添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第383页 > NLAS4051DR2G
NLAS4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
TTL电平兼容,单刀, 8位
加共关闭
http://onsemi.com
该NLAS4051是MC14051的改进版本,
MC74HC4051制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3.0
V通过一个6.0 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。
特点
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
NLAS4051G
AWLYWW
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
NLAS
4051
ALYWG
G
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4051和MAX4051A
二分之一的电阻工作在5.0 V
单或双电源供电
单2.5-5.0 V操作,或双
±3.0
V操作
随着V
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V接口
逻辑,没有翻译所需
Address和禁止逻辑都是过压容限,并五月
驱动的V高达+6.0 V不管
CC
改进的线性度标准HC4051设备
1
16
QSOP16
QS后缀
CASE 492
1
A
WL ,L
Y
WW, W
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
S4051
ALYW
1
热门SOIC和节省空间的TSSOP , QSOP和16引脚
套餐
无铅包可用*
V
CC
16
NO
2
15
NO
4
14
NO
0
13
NO
6
添加
C
添加
B
添加
A
12
11
10
9
订购信息
设备
NLAS4051DR2
NLAS4051DR2G
NLAS4051DTR2
SOIC16
SOIC16
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
1
NO
1
2
3
4
NO
7
5
NO
5
6
7
8
GND
NO
3
COM
抑制V
EE
NLAS4051DTR2G TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
(无铅)
NLAS4051QSR
QSOP16
2500 /磁带&卷轴
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年5月 - 第3版
出版订单号:
NLAS4051/D
NLAS4051
真值表
地址
抑制
1
0
0
0
0
0
0
0
0
C
X
不在乎
0
0
0
0
1
1
1
1
B
X
不在乎
0
0
1
1
0
0
1
1
A
X
不在乎
0
1
0
1
0
1
0
1
在交换机上*
NO
2
所有开关打开
COM -NO
0
COM -NO
1
COM -NO
2
COM -NO
3
COM -NO
4
COM -NO
5
COM -NO
6
COM -NO
7
添加
C
添加
B
添加
A
逻辑
COM
NO
3
NO
4
NO
5
NO
6
NO
7
抑制
NO
0
NO
1
* NO和COM引脚是相同的并且可以互换。或者可以考虑
的输入或输出;信号通过同样在任一方向。
图2.逻辑图
最大额定值
参数
符号
V
EE
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
正直流电源电压(注1 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
(参考GND)
V
IN
I
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
-65
)150
260
T
英镑
T
L
T
J
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
)150
143
164
164
500
450
450
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
q
JA
° C / W
功率消耗在静止空气中,
P
D
mW
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
V
ESD
V
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. Ⅴ的绝对值
CC
$|V
EE
|
7.0.
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
http://onsemi.com
2
NLAS4051
推荐工作条件
参数
符号
V
EE
最大
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
0
V
CC
5.5
(注6)(参照GND )
V
IN
T
A
工作温度范围,所有封装类型
55
0
0
125
100
20
_C
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
t
r
, t
f
NS / V
6.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
55
至25℃
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
参数
最低高电平输入电压,
地址和禁止输入
条件
符号
V
IH
最大低电平输入电压,
地址和禁止输入
V
IL
V
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源电流
(每包)
V
IN
= 6.0或GND
地址,抑制和
V
IS
= V
CC
或GND
I
IN
I
CC
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
最大“开”电阻
(注7 )
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= (V
EE
到V
CC
)
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
R
ON
0
0
3.0
0
0
3.0
3.0
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
V
IS
= 2.0 V
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
), V
IS
= 3.0 V
|I
S
| = 10 mA时, V
IS
= 2.0 V
DR
ON
W
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
|I
S
| = 10毫安V
COM
= 1, 2, 3.5 V
V
COM
= 2, 0, 2 V
RFLAT (ON)的
I
NC (关闭)
I
否(关)
4.5
3.0
W
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
最大导通通道
漏电流,
通道 - 通道
I
COM(上)
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
7.在电源电压(V
CC
)接近2.5伏的导通电阻的模拟开关变得极为非线性的。因此,对于低电压
操作建议这些设备只被用于控制数字信号。
http://onsemi.com
3
NLAS4051
AC特性
(输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
参数
测试条件
符号
t
BBM
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
-55 25℃
1.0
1.0
1.0
典型*
6.5
5.0
3.5
v85_C
v125_C
单位
ns
最少休息先接后
让时间
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图19)
0.0
0.0
3.0
*典型特征是在25_C 。
AC特性
(C
L
= 35 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
0
0
0
3.0
0
0
0
3.0
0
0
0
3.0
-55 25℃
典型值
22
20
16
16
22
18
16
16
22
18
16
16
最大
40
28
23
23
40
28
23
23
40
28
23
23
v85°C
最大
45
30
25
25
45
30
25
25
45
30
25
25
v125°C
最大
50
35
30
28
50
35
30
28
50
35
30
28
单位
ns
参数
转换时间
(地址选择时间)
(图18)
开启时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
抑制到N
O
或N
C
关断时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
抑制到N
O
或N
C
符号
t
TRANS
t
ON
ns
t
关闭
ns
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O
通用I / O
穿心
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
8
10
10
1.0
pF
额外的应用特性
( GND = 0V)
符号
BW
V
CC
V
3.0
4.5
6.0
3.0
3.0
4.5
6.0
3.0
3.0
4.5
6.0
3.0
5.0
3.0
V
EE
V
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
3.0
典型值
25°C
80
90
95
95
93
93
93
93
2
2
2
2
9.0
12
单位
兆赫
参数
最大导通通道带宽或
最低频率响应
条件
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源振幅= 0 dBm的
(图10和22)的
F = 100千赫; V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源= 0 dBm的
(图12和22)的
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源= 0 dBm的
(图10和22)的
V
IN
= V
CC
到V
EE,
f
IS
= 1千赫,T
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000pF的,Q = C
L
*
DV
OUT
(图16和23)的
f
IS
= 1 MHz时,R
L
= 10 KW ,C
L
= 50 pF的,
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 6.0 V
PP
正弦波
(图13)
关通道穿心隔离
V
ISO
dB
最大穿心损耗
V
ONL
dB
电荷注入
Q
pC
总谐波失真THD +噪声
THD
6.0
3.0
0.0
3.0
0.10
0.05
%
http://onsemi.com
4
NLAS4051
100
10
80
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
40
V
CC
= 3.0 V
20
V
CC
= 5.0 V
20
0
20
60
80
100
120
0
4.0
2.0
0
2.0
V
IS
( VDC)的
4.0
6.0
R
ON
(W)
I
CC
( nA的)
60
2.0 V
100
40
3.0 V
4.5 V
5.5 V
温度(℃)
图3.我
CC
与温度,V
CC
= 3 V和5 V
50
图4.
ON
与V
CC
,温度= 255℃
100
90
80
70
R
ON
(W)
60
50
40
30
20
10
0
55°C
85°C
25°C
R
ON
(W)
125°C
125°C
40
25°C
85°C
30
20
55°C
10
0
0.5
1.0
VCOM ( V)
1.5
2.0
0
0.5
1.0
1.5
VCOM ( V)
2.0
2.5
3.0
图5.典型导通电阻
V
CC
= 2.0 V, V
EE
= 0 V
25
85°C
20
15
25°C
10
55°C
5
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
0
0.5
125°C
20
85°C
25
图6.典型导通电阻
V
CC
= 3.0 V, V
EE
= 0 V
125°C
R
ON
(W)
R
ON
(W)
15
10
25°C
55°C
0
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VCOM ( V)
VCOM ( V)
图7.典型导通电阻
V
CC
= 4.5 V, V
EE
= 0 V
图8.典型导通电阻
V
CC
= 5.5 V, V
EE
= 0 V
http://onsemi.com
5
查看更多NLAS4051DR2GPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NLAS4051DR2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NLAS4051DR2G
ON/安森美
2410+
12590
SOP16
十年企业,诚信经营,原装量大价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NLAS4051DR2G
ON/安森美
2410+
12590
SOP16
十年企业,诚信经营,原装量大价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NLAS4051DR2G
ON深圳看
21+
10000
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
NLAS4051DR2G
ON
24+
22
NA
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
NLAS4051DR2G
ON
22+
5000
SOP-16
13528893675¥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NLAS4051DR2G
ON
2425+
11280
SOIC-16
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NLAS4051DR2G
ON/安森美
15+
32000
SOP-16
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NLAS4051DR2G
onsemi
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NLAS4051DR2G
ON/安森美
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NLAS4051DR2G
ON/安森美
24+
9634
SOP16
全新原装现货,原厂代理。
查询更多NLAS4051DR2G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!