NLAS3699B
双DPDT超低R
ON
开关
该NLAS3699B是两个独立的超低低R
ON
DPDT
模拟开关。该器件是专为低工作电压，高
扬声器的输出电流开关的手机应用程序。它可以
切换平衡立体声输出。该NLAS3699B可以处理
在单音平衡式麦克风/扬声器/铃声发生器
模式。该器件包含一个突破前先功能。
特点
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记号
图表
16
QFN16
CASE 485AE
1
1.65 4.5 V V
CC
函数直接从狮子电池
最大击穿电压： 5.5 V
微小的3 ×3mm的QFN无铅封装
会见JEDEC MO- 220规范
低静态功耗
这是一个Pb - Free设备*
手机扬声器/麦克风开关
铃声 - 芯片/功放开关
四个不平衡（单端）开关
立体声平衡（推挽式）开关
典型应用
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
D1
16
1S1 Vcc的4S2
15
14
13
重要信息
ESD保护：
1S2
12IN
2S1
D2
1
HBM （人体模型） > 8000 V
MM （机器型号） > 400 V
连续额定电流流经各开关
±300
mA
符合：符合JEDEC MO- 220 ，发行H，变化VEED - 6
引脚对引脚兼容STG3699
2
3
4
5
6
7
2S2 3S1 GND
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版0
出版订单号：
NLAS3699B/D
1
8
单电源供电
NLAB
3699
ALYWG
G
12
D4
4S1
34IN
3S2
11
10
9
D3
NLAS3699B
D
S2
S1
IN
图1.输入等效电路
引脚说明
QFN封装引脚＃
1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15
2, 10
4, 8, 12, 16
6
14
符号
1S1到4S1 ， 1S2到4S2
1-2IN ， 3-4IN
D1至D4
GND
V
CC
独立通道
控制
公共信道
接地（ V）
正电源电压
名称和功能
真值表
IN
H
L
*高阻抗。
S1
ON
关（ *）
S2
关（ *）
ON
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2
NLAS3699B
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
t
r
, t
f
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC相对于V
CC
或GND
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 1.6 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 4.5 V
0
0
参数
价值
*0.5
to
)5.5
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
*0.5 v
V
I
v)5.5
$300
$500
$100
20
10
单位
V
V
V
mA
mA
mA
NS / V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 1.6 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 4.5 V
参数
民
1.65
GND
GND
*40
0
0
最大
4.5
V
CC
V
CC
)85
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
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3
NLAS3699B
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
条件
V
CC
1.8
2.5
3.6
4.3
1.8
2.5
3.6
4.3
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
4.3
0
1.65 4.5
*405C
255℃
1.2
1.7
2.2
2.6
0.4
0.5
0.7
0.9
$0.1
$0.5
$1.0
t855C
1.2
1.7
2.2
2.6
0.4
0.5
0.7
0.9
$1.0
$2.0
$2.0
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-405C 255℃
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注2 ）
条件
V
IN
v
V
IL
或V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.2 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 4.0 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或4.0 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或4.0 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或4.0 V
V
CC
2.5
3.0
4.3
2.5
3.0
4.3
2.5
3.0
4.3
4.3
10
民
最大
0.65
0.6
0.55
0.15
0.15
0.15
0.06
0.05
0.05
10
100
t855C
民
最大
0.75
0.75
0.70
0.15
0.15
0.15
0.06
0.05
0.05
100
nA
单位
W
R
平
NC / NO导通电阻平坦度
（注2,4）
W
DR
ON
导通电阻匹配通道间
（注2和3）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注2）
COM在
漏电流
（注2 ）
4.3
10
10
100
100
nA
2.设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
3.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
之间60034-1或NS2 。
测量在规定的模拟4.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
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4
NLAS3699B
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.3 4.5
2.3 4.5
V
IS
(V)
1.5
1.5
*405C
255℃
民
典型*
最大
50
30
t855C
民
最大
60
40
单位
ns
ns
ns
3.0
1.5
2
15
符号
t
ON
t
关闭
t
BBM
参数
开启时间
关断时间
最小中断前先时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图3和4）
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图3和4）
V
IS
= 3.0
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图2）
典型@ 25 ，V
CC
= 4.5 V
C
IN
C
SN
C
D
控制引脚输入电容
锡港电容
D端口电容当开关启用
7.0
72
230
pF
pF
pF
*典型特性是在25 ℃。
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应（图12）
最大直通损耗
关通道隔离（图13 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图8 ）
总谐波失真THD +
噪声（图7）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图5）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图5）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 pF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图5）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
x
DV
OUT
（图6）
F
IS
= 20赫兹到20千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
2 V
PP
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图5）
V
CC
(V)
1.65 4.5
255C
典型
20
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
1.65 4.5
1.65 4.5
1.65 4.5
4.5
1.65 4.5
0.06
62
50
0.01
62
dB
dB
pC
%
dB
5.关通道隔离= 20log10 （VCOM / VNO ）的Vcom =输出， VNO =输入到开关。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
