NLAS1053
2 ： 1复用器/解复用器模拟
开关
该NLAS1053是制造先进的CMOS模拟开关
与硅栅CMOS技术。它实现了非常高的速度
传播延迟和低导通电阻，同时保持CMOS
低功耗。该装置由一个单一的2：1的
复用器/解复用器（ SPDT ） ，类似于安森美半导体的NLAS4053
模拟和数字电压在整个电源是可以变化
范围（从V
CC
到GND） 。
的抑制和选择输入引脚具有过电压保护的
允许电压高于V
CC
高达7.0 V至存在而不会损坏
的部分的动作或中断，而不管操作的
电压。
特点
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1
US8
美国后缀
CASE 493-01
标记DIAGRAMS
8
AC M
G
G
1
AC =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
高速：吨
PD
= 1纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高带宽，改进的线性度和低RDS
ON
INH引脚允许两个通道“OFF”状态（具有高）
RDS
ON
25
W,
性能非常类似于NLAS4053
先断后电路，可防止发生意外短裤
可用于视频切换频率超过50 MHz的
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏; MM
＆ GT ;
200 V，清洁发展机制
＆ GT ;
1500 V
微小US8包装，只有2.1× 3.0毫米
无铅包装是否可用
订购信息
设备
NLAS1053US
COM
1
INH
2
N / C
3
GND
4
8
7
6
5
V
CC
CH0
CH1
SELECT
INH
NLAS1053USG
包
US8
航运
3000 /磁带&卷轴
US8
3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
功能表
SELECT
X
L
H
CH 0
关闭
ON
关闭
通道1
关闭
关闭
ON
图1.引脚分配
H
L
L
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第2版
出版订单号：
NLAS1053/D
NLAS1053
最大额定值
参数
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
模拟输出电压（V
CH
或V
COM
)
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
符号
V
CC
V
IN
V
IS
I
IK
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
价值
0.5
to
+7.0
0.5 ≤
V是
≤ +7.0
0.5 ≤
V是
≤
V
CC
+0.5
50
65
to
+150
260
+150
250
250
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ;
2000
200
不适用
±300
V
单位
V
V
V
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
闭锁性能
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
特征
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
跨关闭开关静态或动态电压
模拟输入电压（CH 2， COM）的
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
（使能输入）
V
cc
= 3.3 V
±
0.3 V
V
cc
= 5.0 V
±
0.5 V
归一化故障率
符号
V
CC
V
IN
V
IO
V
IS
T
A
t
r
, t
f
民
2.0
GND
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 110°C
T
J
= 100°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图2.故障率与
时间结温
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2
NLAS1053
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
保证最高限额
V
CC
参数
开启时间
（图12和13）的
INH输出到
关断时间
（图12和13）的
INH输出到
转换时间（通道选择
化时间）
（图）
选择输出
最低
先开后合式时间
测试条件
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
符号
t
ON
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
-55
至25℃
民
典型*
7
5
4
3
7
5
4
3
18
13
12
9
12
11
6
5
最大
12
10
9
8
12
10
9
8
28
21
16
14
＆ LT ;
85_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
＆ LT ;
125_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
单位
ns
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
ns
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图与）
t
TRANS
ns
V
IS
= 3.0 V（图3）
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
t
BBM
ns
典型@ 25 ， VCC = 5.0 V
最大输入电容，选择/ INH输入
模拟量I / O （关闭）
通用I / O （关闭）
馈通（开关）
*典型特征是在25_C 。
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
（上）
8
10
10
20
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
（图10 ）
最大穿心损耗
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
V
IN =
V
CC到
GND ，女
IS
= 20千赫
t
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000 pF的
Q = C
L
*
DV
OUT
（图8）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，RL = RGEN = 600
W
C
L
= 50 pF的
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
关通道隔离
（图10 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O
（图15）
总谐波失真
总谐波失真+噪声
（图14）
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4
符号
BW
V
ONL
V
ISO
Q
THD
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
3
3
3
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
dB
dB
pC
5.5
0.1
%
QQ：2881677436 复制
