NLAS1053
2 ： 1复用器/解复用器模拟
开关
该NLAS1053是制造先进的CMOS模拟开关
与硅栅CMOS技术。它实现了非常高的速度
传播延迟和低导通电阻，同时保持CMOS
低功耗。该装置由一个单一的2：1的
复用器/解复用器（ SPDT ） ，类似于安森美半导体的NLAS4053
模拟和数字电压在整个电源是可以变化
范围（从V
CC
到GND） 。
的抑制和选择输入引脚具有过电压保护的
允许电压高于V
CC
高达7.0 V至存在而不会损坏
的部分的动作或中断，而不管操作的
电压。
特点
http://onsemi.com
1
US8
美国后缀
CASE 493-01
标记DIAGRAMS
8
AC M
G
G
1
AC =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
高速：吨
PD
= 1纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高带宽，改进的线性度和低RDS
ON
INH引脚允许两个通道“OFF”状态（具有高）
RDS
ON
25
W,
性能非常类似于NLAS4053
先断后电路，可防止发生意外短裤
可用于视频切换频率超过50 MHz的
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏; MM
＆ GT ;
200 V，清洁发展机制
＆ GT ;
1500 V
微小US8包装，只有2.1× 3.0毫米
无铅包装是否可用
订购信息
设备
NLAS1053US
COM
1
INH
2
N / C
3
GND
4
8
7
6
5
V
CC
CH0
CH1
SELECT
INH
NLAS1053USG
包
US8
航运
3000 /磁带&卷轴
US8
3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
功能表
SELECT
X
L
H
CH 0
关闭
ON
关闭
通道1
关闭
关闭
ON
图1.引脚分配
H
L
L
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第2版
出版订单号：
NLAS1053/D
NLAS1053
最大额定值
参数
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
模拟输出电压（V
CH
或V
COM
)
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注5 ）
符号
V
CC
V
IN
V
IS
I
IK
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
价值
0.5
to
+7.0
0.5 ≤
V是
≤ +7.0
0.5 ≤
V是
≤
V
CC
+0.5
50
65
to
+150
260
+150
250
250
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ;
2000
200
不适用
±300
V
单位
V
V
V
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
闭锁性能
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
特征
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
跨关闭开关静态或动态电压
模拟输入电压（CH 2， COM）的
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
（使能输入）
V
cc
= 3.3 V
±
0.3 V
V
cc
= 5.0 V
±
0.5 V
归一化故障率
符号
V
CC
V
IN
V
IO
V
IS
T
A
t
r
, t
f
民
2.0
GND
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
= 130°C
T
J
= 120°C
T
J
= 110°C
T
J
= 100°C
T
J
= 90°C
T
J
= 80°C
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图2.故障率与
时间结温
http://onsemi.com
2
NLAS1053
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
保证最高限额
V
CC
参数
开启时间
（图12和13）的
INH输出到
关断时间
（图12和13）的
INH输出到
转换时间（通道选择
化时间）
（图）
选择输出
最低
先开后合式时间
测试条件
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
符号
t
ON
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
-55
至25℃
民
典型*
7
5
4
3
7
5
4
3
18
13
12
9
12
11
6
5
最大
12
10
9
8
12
10
9
8
28
21
16
14
＆ LT ;
85_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
＆ LT ;
125_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
单位
ns
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
ns
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图与）
t
TRANS
ns
V
IS
= 3.0 V（图3）
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
t
BBM
ns
典型@ 25 ， VCC = 5.0 V
最大输入电容，选择/ INH输入
模拟量I / O （关闭）
通用I / O （关闭）
馈通（开关）
*典型特征是在25_C 。
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
（上）
8
10
10
20
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
（图10 ）
最大穿心损耗
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图7）
V
IN =
V
CC到
GND ，女
IS
= 20千赫
t
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000 pF的
Q = C
L
*
DV
OUT
（图8）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，RL = RGEN = 600
W
C
L
= 50 pF的
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
关通道隔离
（图10 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O
（图15）
总谐波失真
总谐波失真+噪声
（图14）
http://onsemi.com
4
符号
BW
V
ONL
V
ISO
Q
THD
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
3
3
3
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
dB
dB
pC
5.5
0.1
%
NLAS1053
2 ： 1复用器/解复用器模拟
开关
该NLAS1053是制造先进的CMOS模拟开关
与硅栅CMOS技术。它实现了非常高的速度
传播延迟和低导通电阻，同时保持CMOS
低功耗。该装置由一个单一的2：1的
复用器/解复用器（ SPDT ） ，类似于安森美半导体的NLAS4053
模拟和数字电压在整个电源是可以变化
范围（ VCC和GND ） 。
的抑制和选择输入引脚具有过电压保护的
允许电压高于VCC至7.0 V至出现无损伤
的部分的动作或中断，而不管操作的
电压。
http://onsemi.com
记号
图表
8
高速： tPD的= 1纳秒（典型值） ，在VCC = 5.0 V
低功耗： ICC = 2
A
（最大）在TA = 25℃
高带宽，改进的线性度和低RDSON
INH引脚允许两个通道“OFF”状态（具有高）
RDSON
25
，性能非常相似， NLAS4053
先断后电路，可防止发生意外短裤
可用于视频切换频率超过50 MHz的
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏; MM
＆ GT ;
200 V，清洁发展机制
＆ GT ;
1500 V
微小US8包装，只有2.1× 3.0毫米
US8
美国后缀
CASE 493-01
AC
1
D
AC
D
=器件代码
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
COM
1
INH
2
N / C
3
GND
4
8
7
6
5
VCC
CH0
CH1
SELECT
INH
H
L
L
功能表
SELECT
X
L
H
CH 0
关闭
ON
关闭
通道1
关闭
关闭
ON
图1.引脚分配
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年2月 - 修订版0
出版订单号：
NLAS1053/D
NLAS1053
最大额定值
符号
VCC
VIN
VIS
IIK
TSTG
TL
TJ
q
JA
PD
MSL
FR
VESD
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
模拟输出电压（ VCH和VCOM ）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
参数
价值
0.5
to
+7.0
0.5 ≤
V是
≤ +7.0
0.5 ≤
V是
≤
VCC
+0.5
50
65
to
+150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL- 94 -VO （0.125英寸）
＆ GT ;
2000
200
不适用
V
单位
V
V
V
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
ILatch式闭锁性能
上述VCC和GND下面的85_C （注5 ）
±300
mA
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
VCC
VIN
VIO
VIS
TA
TR ， TF
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
跨关闭开关静态或动态电压
模拟输入电压（CH 2， COM）的
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间，
（使能输入）
归一化故障率
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
VCC = 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
GND
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
VCC
+125
100
20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130℃
TJ = 120℃
TJ = 100℃
TJ = 110℃
TJ = 90℃
TJ = 80℃
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图2.故障率与
时间结温
http://onsemi.com
2
NLAS1053
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
最低高电平输入
电压，选择并抑制
输入
条件
VCC
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
VIL
最大低电平输入
电压，选择并抑制
输入
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
IIN
最大输入漏
目前，选择并抑制
输入
最大静态电源
当前
VIN = 5.5 V或GND
0 V至5.5 V
*55_C
to
25_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$0.1
t85_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$1.0
t125_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$1.0
mA
V
单位
V
ICC
选择并抑制= VCC或GND
5.5
1.0
1.0
2.0
mA
DC电气特性 - 模拟部分
保证限额
符号
罗恩
参数
最大“开”
阻力
（图17 - 23 ）
导通电阻平坦度
（图17 - 23 ）
导通电阻匹配
通道之间
CH1 CH0或关闭泄漏
电流（图9）
COM渗漏
电流（图9）
条件
VIN = VIL或VIH
VIS = GND到VCC
IINI
≤
10.0毫安
VIN = VIL或VIH
IINI
≤
10.0毫安
VIS = 1V ， 2V ， 3.5V
VIN = VIL或VIH
IINI
≤
10.0毫安
VCH1或VCH0 = 3.5 V
VIN = VIL或VIH
VCH1或VCH0 = 1.0 VCOM 4.5 V
VIN = VIL或VIH
VCH1 1.0 V或4.5 V与VCH0
漂浮或
VCH1 1.0 V或4.5 V与VCH1
漂浮的
VCOM = 1.0 V或4.5 V
VCC
2.5
3.0
4.5
5.5
4.5
-55
255℃
70
40
20
16
4
＆ LT ;
855C
85
46
28
22
4
＆ LT ;
1255C
105
52
34
28
5
单位
W
RFLAT
（上）
DR
ON
（上）
ICH0
ICH1
ICOM （ ON）
W
4.5
2
2
3
W
5.5
5.5
1
1
10
10
100
100
nA
nA
http://onsemi.com
3
NLAS1053
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0纳秒）
保证最高限额
VCC
符号
吨
参数
开启时间
（图12和13）的
INH输出到
关断时间
（图12和13）的
INH输出到
转换时间（频道
选择时间）
（图）
选择输出
最低
先开后合式时间
先断后
测试条件
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图4和5）
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
-55
至25℃
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
典型*
7
5
4
3
7
5
4
3
18
13
12
9
12
11
6
5
最大
12
10
9
8
12
10
9
8
28
21
16
14
＆ LT ;
85_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
＆ LT ;
125_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
单位
ns
花花公子
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图4和5）
ns
ttrans
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图与）
ns
TBBM
VIS = 3.0 V（图3）
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
F
ns
*典型特征是在25_C 。
典型@ 25 ， VCC = 5.0 V
CIN
CNO或CNC
CCOM
C（ ON）
最大输入电容，选择/ INH输入
模拟量I / O （关闭）
通用I / O （关闭）
馈通（开关）
8
10
10
20
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
VCC
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
（图10 ）
最大穿心损耗
条件
VIN =
0 dBm的
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
VIN =
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
F = 100 kHz的VIS =
1 V RMS
千赫;
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
VIN = VCC和GND ， FIS = 20千赫
TR = TF = 3纳秒
RIS = 0
W,
CL = 1000 pF的
Q = CL *
V
OUT
（图8）
FIS = 20赫兹至100千赫兹，RL = RGEN = 600
W,
CL = 50 pF的
VIS = 5.0 VPP正弦波
V
3.0
30
45
4.5
5.5
55
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
3
3
3
3
3
93
93
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
VONL
dB
VISO
关通道
关通道隔离
（图10 ）
电荷注入选择输入到
在UT
通用I / O
( g
)
（图15）
dB
Q
pC
C
THD
总谐波失真
总谐波失真+噪声
（图14）
5.5
0.1
%
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4
NLAS1053
2 ： 1复用器/解复用器模拟
开关
该NLAS1053是制造先进的CMOS模拟开关
与硅栅CMOS技术。它实现了非常高的速度
传播延迟和低导通电阻，同时保持CMOS
低功耗。该装置由一个单一的2：1的
复用器/解复用器（ SPDT ） ，类似于安森美半导体的NLAS4053
模拟和数字电压在整个电源是可以变化
范围（ VCC和GND ） 。
的抑制和选择输入引脚具有过电压保护的
允许电压高于VCC至7.0 V至出现无损伤
的部分的动作或中断，而不管操作的
电压。
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记号
图表
8
高速： tPD的= 1纳秒（典型值） ，在VCC = 5.0 V
低功耗： ICC = 2
A
（最大）在TA = 25℃
高带宽，改进的线性度和低RDSON
INH引脚允许两个通道“OFF”状态（具有高）
RDSON
25
，性能非常相似， NLAS4053
先断后电路，可防止发生意外短裤
可用于视频切换频率超过50 MHz的
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏; MM
＆ GT ;
200 V，清洁发展机制
＆ GT ;
1500 V
微小US8包装，只有2.1× 3.0毫米
US8
美国后缀
CASE 493-01
AC
1
D
AC
D
=器件代码
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
COM
1
INH
2
N / C
3
GND
4
8
7
6
5
VCC
CH0
CH1
SELECT
INH
H
L
L
功能表
SELECT
X
L
H
CH 0
关闭
ON
关闭
通道1
关闭
关闭
ON
图1.引脚分配
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年2月 - 修订版0
出版订单号：
NLAS1053/D
NLAS1053
最大额定值
符号
VCC
VIN
VIS
IIK
TSTG
TL
TJ
q
JA
PD
MSL
FR
VESD
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
模拟输出电压（ VCH和VCOM ）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数： 30 ％ - 35 ％
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
参数
价值
0.5
to
+7.0
0.5 ≤
V是
≤ +7.0
0.5 ≤
V是
≤
VCC
+0.5
50
65
to
+150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL- 94 -VO （0.125英寸）
＆ GT ;
2000
200
不适用
V
单位
V
V
V
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
ILatch式闭锁性能
上述VCC和GND下面的85_C （注5 ）
±300
mA
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
VCC
VIN
VIO
VIS
TA
TR ， TF
正直流电源电压
数字输入电压（选择并抑制）
跨关闭开关静态或动态电压
模拟输入电压（CH 2， COM）的
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间，
（使能输入）
归一化故障率
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
VCC = 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
GND
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
VCC
+125
100
20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
器件结温与时间的关系
于0.1％的接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130℃
TJ = 120℃
TJ = 100℃
TJ = 110℃
TJ = 90℃
TJ = 80℃
1
1
10
时间，岁月
100
1000
图2.故障率与
时间结温
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2
NLAS1053
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
最低高电平输入
电压，选择并抑制
输入
条件
VCC
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
VIL
最大低电平输入
电压，选择并抑制
输入
2.0
2.5
3.0
4.5
5.5
IIN
最大输入漏
目前，选择并抑制
输入
最大静态电源
当前
VIN = 5.5 V或GND
0 V至5.5 V
*55_C
to
25_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$0.1
t85_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$1.0
t125_C
1.5
1.9
2.1
3.15
3.85
0.5
0.6
0.9
1.35
1.65
$1.0
mA
V
单位
V
ICC
选择并抑制= VCC或GND
5.5
1.0
1.0
2.0
mA
DC电气特性 - 模拟部分
保证限额
符号
罗恩
参数
最大“开”
阻力
（图17 - 23 ）
导通电阻平坦度
（图17 - 23 ）
导通电阻匹配
通道之间
CH1 CH0或关闭泄漏
电流（图9）
COM渗漏
电流（图9）
条件
VIN = VIL或VIH
VIS = GND到VCC
IINI
≤
10.0毫安
VIN = VIL或VIH
IINI
≤
10.0毫安
VIS = 1V ， 2V ， 3.5V
VIN = VIL或VIH
IINI
≤
10.0毫安
VCH1或VCH0 = 3.5 V
VIN = VIL或VIH
VCH1或VCH0 = 1.0 VCOM 4.5 V
VIN = VIL或VIH
VCH1 1.0 V或4.5 V与VCH0
漂浮或
VCH1 1.0 V或4.5 V与VCH1
漂浮的
VCOM = 1.0 V或4.5 V
VCC
2.5
3.0
4.5
5.5
4.5
-55
255℃
70
40
20
16
4
＆ LT ;
855C
85
46
28
22
4
＆ LT ;
1255C
105
52
34
28
5
单位
W
RFLAT
（上）
DR
ON
（上）
ICH0
ICH1
ICOM （ ON）
W
4.5
2
2
3
W
5.5
5.5
1
1
10
10
100
100
nA
nA
http://onsemi.com
3
NLAS1053
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0纳秒）
保证最高限额
VCC
符号
吨
参数
开启时间
（图12和13）的
INH输出到
关断时间
（图12和13）的
INH输出到
转换时间（频道
选择时间）
（图）
选择输出
最低
先开后合式时间
先断后
测试条件
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图4和5）
(V)
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
-55
至25℃
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
典型*
7
5
4
3
7
5
4
3
18
13
12
9
12
11
6
5
最大
12
10
9
8
12
10
9
8
28
21
16
14
＆ LT ;
85_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
＆ LT ;
125_C
民
2
2
1
1
2
2
1
1
5
5
2
2
1
1
1
1
最大
15
15
12
12
15
15
12
12
30
25
20
20
单位
ns
花花公子
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图4和5）
ns
ttrans
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
（图与）
ns
TBBM
VIS = 3.0 V（图3）
RL = 300
W,
CL = 35 pF的
F
ns
*典型特征是在25_C 。
典型@ 25 ， VCC = 5.0 V
CIN
CNO或CNC
CCOM
C（ ON）
最大输入电容，选择/ INH输入
模拟量I / O （关闭）
通用I / O （关闭）
馈通（开关）
8
10
10
20
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
VCC
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB带宽或
最低频率响应
（图10 ）
最大穿心损耗
条件
VIN =
0 dBm的
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
VIN =
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
F = 100 kHz的VIS =
1 V RMS
千赫;
VIN VCC和GND之间居中
（图7）
VIN = VCC和GND ， FIS = 20千赫
TR = TF = 3纳秒
RIS = 0
W,
CL = 1000 pF的
Q = CL *
V
OUT
（图8）
FIS = 20赫兹至100千赫兹，RL = RGEN = 600
W,
CL = 50 pF的
VIS = 5.0 VPP正弦波
V
3.0
30
45
4.5
5.5
55
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
5.5
典型
25°C
170
200
200
3
3
3
3
3
93
93
93
93
93
1.5
3.0
单位
兆赫
VONL
dB
VISO
关通道
关通道隔离
（图10 ）
电荷注入选择输入到
在UT
通用I / O
( g
)
（图15）
dB
Q
pC
C
THD
总谐波失真
总谐波失真+噪声
（图14）
5.5
0.1
%
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
