【NK9926D南科双N沟道增强型MOSFET特征16V/6A,RDS （ ON）= 32mΩ （MA】,IC型号NK9926D,NK9926D PDF资料,NK9926D经销商,ic,电子元器件-51电子网

NK9926D

南科

双N沟道增强型MOSFET

特征

16V/6A,

DS （ ON）

= 32mΩ （MAX） @V

= 4.5V.

DS （ ON）

= 45mΩ （MAX） @V

= 2.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）。

可靠，坚固耐用。

SOP- 8表面贴装封装。

SOP-8

PPLICATIONS

●

锂离子电池保护电路

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

= 25° ，除非另有说明

符号

极限

±12

单位

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

BVDSS

IDSS

IGSSF

IGSSR

= 25° ，除非另有说明

符号

测试条件

民

典型值。

最大

单位

VGS = 0V ，ID = 250μA

VDS = 6V ， VGS = 0V

VGS = 12V， VDS = 0V

VGS = -12V ， VDS = 0V

100

-100

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

RDS （ ON）

导通电阻

VGS = 2.5V ，ID = 5.2A

mΩ

VGS （ TH）

VGS = VDS ， ID = 250μA

VGS = 4.5V ，ID = 6.0A

0.4

1.3

mΩ

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电压

VSD

VGS = 0V， IS = 1.5A

1.2

南科集团

总部：

联系电话： 0756-8128088

电子信箱：

info@nanker.com

传真： 0756-8889513

深圳销售处：

联系电话： 0755-86022782 ， 86022783 ， 86022910

网址：

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传真： 0755-86022774

2006年9月6日

第1页3

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南科

典型特征

ID ，漏电流（安培）

VGS=2.0V

VGS=2.5，3.5，4.5V

ID ，漏电流（安培）

Tj＝125℃

Tj＝25℃

0.5

VGS=1.5V

2.5

0.5

1.5

2.5

VGS ，栅 - 源极电压（V ）

1.5

VDS ，漏极至源极电压（伏特）

图1.输出特性

图2.Transfer特点

21.5

0.8

D=250uA

BVDSS ，归漏源击穿电压（ V）

VTH ，归栅源阈值

电压（V）的

ID=250uA

0.7

0.6

20.5

0.5

0.4

19.5

0.3

100

150

TJ ，结温（ ℃ ）

0.2

100

150

Tj.Junction温度（℃ ）

图3.Breakdown电压变化

随温度

图4.Gate阈值变化

随温度

2006年9月6日

分页： 1 2 3

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典型特征

0.04

RDS （ ON），归一化导通电阻（ Ω ）

0.06

4.5V/6A

的RDS（on ） - 酮电阻（Ω ）

0.035

0.055

0.05

0.045

0.04

0.035

0.03

0.025

0.02

0.015

VGS=2V

0.03

VGS=2.5V

VGS=3V

VGS=4、5、6V

0.025

0.02

0.015

100

150

Tj.Junction温度（℃ ）

0.01

ID-漏电流（ A）

图5中。

导通电阻变化

随温度

图6 。

导通电阻与漏电流

0.09

0.08

的RDS（on ） - 酮电阻（Ω ）

0.07

IS-源电流（A ）

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

VGS ，栅 - 源极电压（V ）

100

Tj＝150℃

Tj＝25℃

ID=6A

ID=5.2A

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

VSD源极到漏极电压（V ）

图7.On通电阻与栅极 - 源

电压

图8.Source漏极二极管正向

电压

2006年9月6日

第3页3

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