MJB44H11 （ NPN ） ， NJVMJB44H11 （ NPN ） ， MJB45H11 （ PNP ） ， NJVMJB45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
集电极截止电流（V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射极截止电流（V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压（I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益（V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益（V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容（V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
MJB44H11 ， NJVMJB44H11
MJB45H11 ， NJVMJB45H11
C
cb
pF
130
230
50
40
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1.0
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
10
50
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
增益带宽积（我
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
MJB44H11 ， NJVMJB44H11
MJB45H11 ， NJVMJB45H11
开关时间
延迟和上升时间（我
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
MJB44H11 ， NJVMJB44H11
MJB45H11 ， NJVMJB45H11
MJB44H11 ， NJVMJB44H11
MJB45H11 ， NJVMJB45H11
MJB44H11 ， NJVMJB44H11
MJB45H11 ， NJVMJB45H11
f
T
t
d
+ t
r
ns
300
135
500
500
140
100
ns
ns
存储时间（我
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
t
s
下降时间（我
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
t
f
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图1.热响应
http://onsemi.com
2
MJB44H11 （ NPN ） ， NJVMJB44H11 （ NPN ） ， MJB45H11 （ PNP ） ， NJVMJB45H11 （ PNP ）
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0毫秒
100
ms
10
ms
T
C
≤
70° C
占空比
≤
50%
dc
1.0
ms
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
T
A
PD ，功耗（瓦）
T
C
3.0
60
2.0
40
T
C
1.0
20
T
A
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
3
MJB44H11 （ NPN ） ， NJVMJB44H11 （ NPN ） ， MJB45H11 （ PNP ） ， NJVMJB45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
T
J
= 25°C
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJB44H11直流电流增益
图5. MJB45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
- 40°C
25°C
- 40°C
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图6. MJB44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJB45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图8. MJB44H11导通电压
图9. MJB45H11导通电压
http://onsemi.com
4
MJB44H11 （ NPN ） ， NJVMJB44H11 （ NPN ） ， MJB45H11 （ PNP ） ， NJVMJB45H11 （ PNP ）
包装尺寸
D
2
PAK 3
CASE 418B -04
ISSUE
C
E
B
4
V
W
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
1
2
3
S
A
T
座位
飞机
K
G
D
3 PL
M
J
H
T B
M
W
0.13 (0.005)
变量
CON组fi guration
区
L
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
R
N
U
L
P
L
M
M
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
10.49
8.38
16.155
3.504
1.016
5.080
沥青
外形尺寸：毫米
2X
2X
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
