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NJG1143UA2
GPS低噪声放大器MMIC砷化镓
!
概述
该NJG1143UA2
是GPS LNA的GaAs MMIC功能非常劳工处。尺寸,低
噪声系数,高增益和低电流consumpition 。该NJG1143UA2
从1.5V至3.6V单电源工作,具有待机模式,以节省
供给电流,并且仅需要三个外部元件。该
NJG1143UA2具有片上ESD保护。该NJG1143UA2是可用
一个非常小的,无铅,无卤素, 1.0毫米X 1.0毫米X 0.37毫米, 6针
EPFFP6 -A2包。
!
特点
& QUOT ;
低电源电压
& QUOT ;
低控制电压
& QUOT ;
低电流消耗
!
包装外形
NJG1143UA2
+ 2.85V (典型值) 。 ( + 1.5V + 3.6V )
+ 1.8V (典型值) 。
(+1.5V~+3.6V)
4.0毫安典型。
@V
DD
=2.85V, V
CTL
=1.8V
7
μ
一个典型。
@V
DD
=2.85V, V
CTL
= 0V ,待机模式
& QUOT ;
高增益
20.0分贝典型。
@V
DD
=2.85V, V
CTL
= 1.8V , F = 1575MHz
& QUOT ;
低噪声系数
0.70分贝典型。
@V
DD
=2.85V, V
CTL
= 1.8V , F = 1575MHz
& QUOT ;
输入功率1分贝增益压缩点-16.5dBm典型。 @V
DD
=2.85V, V
CTL
= 1.8V , F = 1575MHz
& QUOT ;
高输入IP3
-2.0dBm典型。 @V
DD
=2.85V, V
CTL
= 1.8V , F = 1575 + 1575.1MHz
& QUOT ;
待机功能
& QUOT ;
小尺寸封装
EPFFP-A2
(包装尺寸: 1.0mmx1.0mmx0.37mm典型值)。
& QUOT ;
集成ESD保护电路
& QUOT ;
无铅和无卤素
!
引脚配置
( TOP VIEW )
GND
5
4
VDD
6
RFIN
BIAS
电路
逻辑
电路
引脚连接
1. GND
2. VCTL
3. RFOUT
4. Vdd的
5. GND
6. RFIN
GND
RFOUT
1
VCTL
3
2
!
真值表
为“H” = V
CTL
(H)为“L” = V
CTL
(L)
VCTL
H
L
LNA模式
主动模式
待机模式
注:规格和说明本数据表所列如有变更,恕不另行通知。
Ver.2010-07-17
-1-
NJG1143UA2
!
绝对最大额定值
T
a
= + 25 ° C,Z
s
=Z
l
=50Ω
参数
电源电压
控制电压
输入功率
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DD
V
CTL
P
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
V
DD
=2.85V
条件
评级
5.0
5.0
+15
590
-40~+85
-55~+150
单位
V
V
DBM
mW
°C
°C
4层FR4印刷电路板具有通孔
( 101.5mmx114.5mm ) ,T
j
=150°C
!
电气特性1 ( DC )
(一般条件:T已
a
=+25°C,
Z
s
=Z
l
=50Ω)
参数
电源电压
符号
V
DD
V
的CTL (H)的
V
的CTL (L)的
I
DD1
I
DD2
I
DD3
I
DD4
I
CTL
条件
VDD端子
1.5
典型值
-
最大
3.6
单位
V
控制电压(高)
VCTL端
1.5
1.8
3.6
V
控制电压(低)
VCTL端
主动模式
VDD端子
V
DD
=2.85V, V
CTL
=1.8V
主动模式
VDD端子
V
DD
=1.8V, V
CTL
=1.8V
待机模式
VDD端子
V
DD
=2.85V, V
CTL
=0V
待机模式
VDD端子
V
DD
=1.8V, V
CTL
=0V
V
CTL
1.8V,
VCTL端
0
0
0.3
V
电源电流1
-
4.0
6.5
mA
电源电流2
-
3.0
4.7
mA
电源电流3
-
7.0
15.0
μ
A
电源电流4
-
4.0
10.0
μ
A
控制电流
-
5.0
12.0
μ
A
-2-
NJG1143UA2
!
电气特性2 ( RF ,V
DD
=2.85V)
(一般条件: V
DD
=2.85V, V
CTL
1.8V ,频率= 1.575GHZ ,T
a
=+25°C,
Z
s
=Z
l
=50Ω,
与应用电路)
参数
小信号增益1
符号
Gain1
条件
17.5
典型值
20.0
最大
22.0
单位
dB
噪声系数1
在1分贝增益输入功率
压缩点1
输入3阶
截取点1
RF输入端口驻波比1
NF1
P-1dB(IN)
_1
IIP3_1
不包括PCB和
连接器损耗
(0.08dB)
-
0.70
0.95
dB
-19.0
f1=Freq
f2=Freq+100kHz
Pin=-34dBm
-16.5
-
DBM
-6.0
-2.0
-
DBM
VSWR
i
1
VSWR
o
1
-
1.5
2.0
RF输出端口驻波比1
1.5
2.0
!
电气特性3 ( RF ,V
DD
=1.8V)
(一般条件: V
DD
=1.8V, V
CTL
1.8V ,频率= 1.575GHZ ,T
a
=+25°C,
Z
s
=Z
l
=50Ω,
与应用电路)
参数
小信号增益2
符号
Gain2
条件
16.5
典型值
19.0
最大
21.0
单位
dB
噪声系数2
在1分贝增益输入功率
压缩点2
输入3阶
截取点2
RF输入端口驻波比2
NF2
P-1dB(IN)
_2
IIP3_2
不包括PCB和
连接器损耗
(0.08dB)
-
0.75
1.10
dB
-22.0
f1=Freq
f2=Freq+100kHz
Pin=-34dBm
-19.5
-
DBM
-10.0
-6.0
-
DBM
VSWR
i
2
VSWR
o
2
-
1.5
2.3
RF输出端口驻波比2
1.3
1.7
-3-
NJG1143UA2
!
终端信息
1
符号
GND
描述
接地端子。这些端子应连接到接地平面作为
尽可能优秀的射频性能。
控制电压端。
输入逻辑高电平时, LNA轮在LNA活跃
模式。输入为逻辑低电平时, LNA的转弯处的待机模式。
2
VCTL
3
RFOUT
射频输出端相连。需要一个外部电容C1 。电容器C1是
不仅一个匹配部件,也是一个隔直流电容器。
电源电压端。旁路至地电容C2尽可能靠近
可以给IC 。
接地端子。这些端子应连接到接地平面作为
尽可能优秀的射频性能。
射频输入端。需要MACHING电感L1 。集成了DC阻断
capaciotr 。
4
VDD
5
GND
6
RFIN
-4-
NJG1143UA2
!
电气特性的研究
条件: V
DD
=2.85V, V
CTL
= 1.8V ,TA = + 25
o
C, Zs的= ZL = 50Ω ,与应用电路
S11, S22
S21, S12
VSWR
ZIN , ZOUT
S11 , S22 ( F = 50MHz的 20GHz的)
S21 , S12 ( F = 50MHz的 20GHz的)
-5-
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    -
    -
    -
    -
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联系人:李先生
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联系人:销售部1部
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NJG1143UA2
JRC
25+23+
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