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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第252页 > NJD35N04G
NJD35N04G
NPN达林顿功率
晶体管
这种高电压大功率达林顿管经过特别设计,
感应式应用,如电子点火器,开关
监管机构和电机控制。
特点
http://onsemi.com
卓越的安全工作区
高V
CE
;高电流增益
这些无铅器件
好处
在更高的权力,性能可靠
专为感性负载
非常低的电流需求
应用
达林顿
功率晶体管
4安培
350伏
45瓦
记号
4
1 2
内燃机点火控制
开关稳压器
电机控制
光镇流器
摄影闪光灯
3
DPAK
CASE 369C
风格1
YWW
NJD
35N04G
最大额定值
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
350
700
700
5.0
4.0
8.0
0.5
45
0.36
65
to
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
Y
=年
WW
=工作周
NJD35N04 =器件代码
G
=无铅器件
订购信息
设备
NJD35N04G
NJD35N04T4G
DPAK
(无铅)
DPAK
(无铅)
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
热特性
特征
热阻
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
价值
2.78
71.4
单位
° C / W
半导体元件工业有限责任公司, 2010
, 2010年7月
第2版
1
出版订单号:
NJD35N04/D
NJD35N04G
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10毫安, L = 10毫亨)
集电极截止电流(V
CE
= 500 V)
(I
B
= 0) (V
CE
= 500 V ,T
C
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 350 V)
(I
B
= 0) (V
CE
= 300 V ,T
C
= 125°C)
发射极截止电流(V
BE
= 5.0伏)
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20 mA)的
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20毫安125C )
基射极饱和电压
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20 mA)的
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20毫安125C )
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V 125C )
直流电流增益
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 4.0 A,V
CE
= 2.0伏)
动态特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 10 V , F = 1.0兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 0.1兆赫)
开关特性
V
CC
= 12 V, V
= 250 V , L = 4 mH的
I
C
= 2 A,I
B1
= 20 mA时,我
B2
=
20
mA
t
s
t
f
18
0.8
毫秒
f
T
C
ob
90
兆赫
V
CE ( SAT )
V
CEO ( SUS )
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
350
VDC
符号
典型值
最大
单位
50
250
50
250
5.0
MADC
MADC
MADC
1.5
VDC
V
BE ( SAT )
2.0
VDC
V
BE(上)
2.0
VDC
h
FE
2000
300
60
pF
C
B
E
2千瓦
图1.达林顿电路原理图
http://onsemi.com
2
NJD35N04G
典型特征
50
P
D
,功耗( W)
45
35
30
25
20
15
10
5.0
0
10
10
30
50
70
90
110
130
150
170
T,温度( ° C)
0.1
T
C
h
FE
,直流电流增益
40
10,000
125°C
1000
25°C
100
V
CE
= 2 V
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
图2.功率降额
4.0
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25°C
125°C
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
I
c
/I
b
= 100
2.4
2.0
1.6
图3.直流电流增益
V
BE ( SAT )
,基射极饱和
电压(V)的
25°C
1.2
0.8
0.4
0
125°C
I
c
/I
b
= 100
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
10
图4.集电极 - 发射极饱和电压
图5.基射极饱和电压
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
2.0
I
C
,集电极电流( A)
10
10毫秒
100毫秒
1毫秒
300
mS
1.6
25°C
DC
1.0
1.2
0.1
0.8
125°C
0.4
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
V
CE
= 2 V
0.01
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
1000
图6.基射极电压
图7.正向偏置安全工作区
( FBSOA )
http://onsemi.com
3
NJD35N04G
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
版本D
C
A
B
c2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.热PAD轮廓可选WITHIN
尺寸B3 ,L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存,突起,或毛刺。模具
闪存,突起,或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
0.040
0.155
MILLIMETERS
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
1.01
3.93
E
b3
L3
1
4
A
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
3.0
0.118
风格1 :
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
NJD35N04/D
NJD35N04G
NPN达林顿功率
晶体管
这种高电压大功率达林顿管经过特别设计,
感应式应用,如电子点火器,开关
监管机构和电机控制。
特点
http://onsemi.com
卓越的安全工作区
高V
CE
;高电流增益
这些无铅器件
好处
在更高的权力,性能可靠
专为感性负载
非常低的电流需求
应用
达林顿
功率晶体管
4安培
350伏
45瓦
记号
4
1 2
3
Y
=年
WW
=工作周
NJD35N04 =器件代码
G
=无铅器件
内燃机点火控制
开关稳压器
电机控制
光镇流器
摄影闪光灯
DPAK
CASE 369C
风格1
YWW
NJD
35N04G
最大额定值
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
350
700
700
5.0
4.0
8.0
0.5
45
0.36
-65
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
订购信息
设备
NJD35N04G
NJD35N04T4G
DPAK
(无铅)
DPAK
(无铅)
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
热特性
特征
热阻
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
价值
2.78
71.4
单位
° C / W
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年4月 - 第1版
出版订单号:
NJD35N04/D
NJD35N04G
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10毫安, L = 10毫亨)
集电极截止电流(V
CE
= 500 V)
(I
B
= 0) (V
CE
= 500 V ,T
C
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 350 V)
(I
B
= 0) (V
CE
= 300 V ,T
C
= 125°C)
发射极截止电流(V
BE
= 5.0伏)
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20 mA)的
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20毫安125C )
基射极饱和电压
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20 mA)的
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 20毫安125C )
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V 125C )
直流电流增益
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 4.0 A,V
CE
= 2.0伏)
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 10 V , F = 1.0兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 0.1兆赫)
开关特性
V
CC
= 12 V, V
= 250 V , L = 4 mH的
I
C
= 2 A,I
B1
= 20 mA时,我
B2
= -20毫安
t
s
t
f
18
0.8
毫秒
f
T
90
兆赫
V
CE ( SAT )
V
CEO ( SUS )
350
VDC
符号
典型值
最大
单位
I
CES
50
250
50
250
5.0
MADC
I
首席执行官
MADC
I
EBO
MADC
1.5
VDC
V
BE ( SAT )
2.0
VDC
V
BE(上)
2.0
VDC
h
FE
2000
300
C
ob
60
pF
C
B
E
2千瓦
图1.达林顿电路原理图
http://onsemi.com
2
NJD35N04G
典型特征
50
P
D
,功耗( W)
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
10
30
50
70
90
110
130
150
170
T,温度( ° C)
10
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
T
C
h
FE
,直流电流增益
125°C
1000
25°C
10,000
100
V
CE
= 2 V
图2.功率降额
4.0
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
25°C
125°C
I
c
/I
b
= 100
2.4
2.0
1.6
图3.直流电流增益
V
BE ( SAT )
,基射极饱和
电压(V)的
25°C
1.2
0.8
0.4
0
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
125°C
I
c
/I
b
= 100
图4.集电极 - 发射极饱和电压
图5.基射极饱和电压
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
2.0
I
C
,集电极电流( A)
10
10毫秒
100毫秒
1毫秒
300
mS
1.6
DC
1.0
25°C
1.2
0.1
0.8
125°C
V
CE
= 2 V
0.4
0.1
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
0.01
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
1000
图6.基射极电压
图7.正向偏置安全工作区
( FBSOA )
http://onsemi.com
3
NJD35N04G
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
发行
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
2 PL
G
0.13 (0.005)
M
J
H
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
风格1 :
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
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