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NJD2873T4
塑料功率晶体管
NPN硅DPAK对于表面贴装
应用
专为高增益音频放大器应用。
特点
http://onsemi.com
无铅包装是否可用
高直流电流增益 -
h
FE
= 120 (最小值) @我
C
= 500毫安
= 40 (分) @我
C
= 2 A
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 0.3伏(最大) @我
C
= 1 A
高电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 65兆赫(最小值) @我
C
= 100毫安
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值:人体模型, 3B
u
8000 V
机器型号,C
u
400 V
1 2
符号
V
CB
V
首席执行官
V
EB
连续
PEAK
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
50
50
5
2
3
0.4
15
0.1
1.68
0.011
-65到+175
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
W
W / ℃,
°C
功率晶体管
2安培
50伏
15瓦
记号
4
最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
A
= 25°C*
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
DPAK
CASE 369C
风格1
YWW
J
2873G
3
Y
WW
G
=年
=工作周
=无铅器件
订购信息
设备
NJD2873
NJD2873G
NJD2873RL
NJD2873RLG
NJD2873T4
NJD2873T4G
DPAK
DPAK
(无铅)
DPAK
DPAK
(无铅)
DPAK
DPAK
(无铅)
航运
75单位/铁
75单位/铁
1800个/卷
1800个/卷
2500个/卷
2500个/卷
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
热阻结到外壳
结到环境*
符号
R
QJC
R
qJA
最大
10
89.3
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时,
推荐使用。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年11月 - 修订版8
出版订单号:
NJD2873T4/D
NJD2873T4
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压(注1 )
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 50伏直流,我
E
= 0)
发射极截止电流(V
BE
= 5 VDC ,我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益(注1 )
(I
C
= 0.5 A ,V
CE
= 2 V)
(I
C
= 2的ADC ,V
CE
= 2 VDC )
(I
C
= 0.75 ADC ,V
CE
= 1.6伏, -40°C
T
J
150°C)
集电极 - 发射极饱和电压(注1 )
(I
C
= 1 A,I
B
= 0.05 A)
基射极饱和电压(注1 ) (我
C
= 1 A,I
B
= 0.05 ADC)
基射极电压上(注1 )
(I
C
= 1 ADC ,V
CE
= 2 VDC )
(I
C
= 0.75 ADC ,V
CE
= 1.6伏, -40°C
T
J
150°C)
动态特性
电流增益 - 带宽积(注2 )
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 10 VDC ,女
TEST
= 10兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0 , F = 0.1兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
[
2%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
f
T
65
兆赫
h
FE
120
40
80
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
1.2
0.95
0.3
1.2
VDC
VDC
360
360
VDC
V
CEO ( SUS )
50
VDC
符号
最大
单位
I
CBO
I
EBO
100
100
NADC
NADC
C
ob
80
pF
http://onsemi.com
2
NJD2873T4
典型特征
25
PD ,功耗(瓦)
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T,温度( ° C)
图1.功率降额
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
175°C
h
FE
,直流电流增益
150°C
V
CE
= 2.0 V
0.4
175°C
150°C
0.3
100°C
25°C
40°C
0.2
100
100°C
25°C
40°C
0.1
IC / IB = 20
0
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
图2.直流电流增益
图3.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
,基射极饱和
电压(V)的
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
175°C
0.1
1
IC / IB = 20
10
40°C
25°C
100°C
150°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.01
0.1
1
10
V
CE
= 2.0 V
40°C
25°C
100°C
150°C
175°C
0.2
0.01
I
C
,集电极电流( AMPS )
I
C
,集电极电流( AMPS )
图4.基射极饱和电压
图5.基射极电压
http://onsemi.com
3
NJD2873T4
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.05
0.02
0.01
0 (单脉冲)
D = 0.5
0.2
0.1
R
QJC
(吨) = R (t)的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
q
JC
(t)
P
( PK)
R(T ) ,瞬态热
电阻(标准化)
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨,时间( ms)的
5
10
20
50
100
200
图6.热响应
http://onsemi.com
4
NJD2873T4
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
发行
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
2 PL
G
0.13 (0.005)
M
J
H
T
风格1 :
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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