NIS6201
浮，调节供给
泵
在NIS6201电荷泵被设计为提供经济的，低
级电源电路地平面以上的潜力，例如驱动
为ORing二极管。这是一个非常具有成本效益的替代品少，
隔离，开关电源。
它包含一个内部线性稳压器和一个多功能电荷泵
以允许偏压电压源必须从地面传送
引用源到一个更高的电势。电荷的设计
泵可为任何所需的隔离电压，作为高电压
组件外部的泵，并且可以相应地尺寸。
特点
http://onsemi.com
记号
图
8
8
1
1
6201
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
SOIC - 8 NB
CASE 751
6201
AYWW
G
集成线性稳压器和电荷泵
热限制保护
可调电压输出
高电压隔离
这是一个Pb - Free设备
应用
ORing二极管
浮监控电路
LED驱动器
V
CC
引脚连接
N / C 1
N / C 2
SIGGND 3
COMP
4
（ TOP VIEW ）
8
7
6
5
PWRGND
DRIVE
V
REG
V
CC
0.50 V
调节器
15 V
+
订购信息
设备
NIS6201DR2G
包
SOIC8
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
+
150毫伏
过度充电
DRIVE
1.0兆赫
振荡器
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
SIGGND
COMP
V
REG
PWRGND
图1.电荷泵框图
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 第1版
出版订单号：
NIS6201/D
NIS6201
引脚功能说明
针
1, 2
3
4
5
6
7
8
符号
N / C
SIGGND
COMP
V
CC
V
REG
DRIVE
PWRGND
无连接。
接地参考引脚的控制电路。这应该连接到接地印刷电路板的电源。
线性稳压器的反馈和补偿网络连接到该引脚。
输入功率芯片。有一个内部钳位在15 V ，允许该引脚上并联稳压器电路
高电压输入。
这是内部线性稳压器的稳压输出。
振荡器的输出驱动器，驱动外部二极管/电容网络。
接地参考引脚的驱动电流。
描述
最大额定值
等级
输入电压工作（注1 ）
COMP引脚电压
驱动电流，峰值
驱动电流，平均
热阻，结到空气
最小面积铜
1年
2
铜（1盎司，单面）
热阻，结到引脚（引脚1 ）
功率耗散@ T
A
= 25°C
最小面积铜
1年
2
铜（1盎司，单面）
工作温度范围
非工作温度范围
焊接温度，焊接（ 10秒）
符号
V
CC
V
COMP
I
DPK
I
DAVG
Q
JA
175
114
Q
JL
P
最大
.57
.88
T
J
T
J
T
L
-40至125
-55到150
260
°C
°C
°C
41
° C / W
W
价值
-0.3至15
4.5
3.0
0.05
单位
V
V
A
A
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
1.以上这个电压，串联电阻是必要的，以限制电流流入并联稳压器。
电气特性
（除非另有说明： V
CC
= 15 V, V
REG
= 12 V ，驱动杆开，T
J
= 25°C.)
特征
振荡器
频率
司机
导通电阻，高侧FET
导通电阻，低边FET
线性稳压器
参考电压引脚4
T
J
= -40 125 ℃的
净空（V
CC
–V
REG
) V
CC
= 7 V，I
DRIVE
= 10毫安
设备总
最小工作输入电压
偏置电流（工作）
偏置电流（ COMP引脚= 600毫伏）
V
CC
齐纳击穿电压
V
民
I
BIAS
I
BIAS_SD
V
齐纳
7.0
14.5
3.6
3.0
15
4.6
3.6
V
mA
mA
V
V
REF
V
HEAD
490
475
500
505
155
510
525
220
mV
mV
R
DSON （ HI）
R
DSON （低）
9.5
9.5
12
W
W
f
OSC
0.9
1.3
1.45
兆赫
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NIS6201
操作说明
DC输入
VCC引脚的额定电流为15的最大直流电压
伏。一个内部并联二极管，在实际应用
其中，电压可能会超过15伏。对于电压
大于15伏的外部分流电阻必须
串联在Vcc脚加。这个电阻的大小必须
这样，在低线，其两端的电压降将使
对于更大的输入电压比所述输出端的
LDO和在高线，使得电流流入芯片的确
不超过其额定功率。
LDO
NIS6201
PWR GND
SIG GND
COMP
8
3
4
VSET
6
V REG
0.1uF
VBIAS
内部LDO包含一个P沟道FET和错误
放大器具有一个0.5伏参考。分压器是
从Vreg的脚需要COMP引脚来设定输出
的LDO 。这个输出电压（ VREG）是所使用的电压
用于电荷泵振荡器。分频器可
从下面的公式计算：
RBIAS
+
0.50 V
IBIAS
图6.偏置电压分压器
过充比较
的Ibias通常在100
mA
1 mA和套
偏置电流中的分频器。
RSET
+
RBIAS （VREG
*
0.50 V)
0.50 V
过充电比较器提供保护
从功能的开启过压状态。
图7示出了用于该电荷的典型配置
泵。在导通时有一个分压器组成的
两个电容器和两个二极管。如果该装置被
在电压下运行显著高于Vreg的水平，它
可以将Vreg的电容充电远远超出其预定
的水平。
V
CC
1.25 V
+
调节器
+
0.10 V
过度充电
1兆赫
振荡器
DRIVE
COMP
V
REG
GND
图7.过充电电路
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5
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