NIS6111
BERStIC （提高效率
整流系统）
超高效，高速二极管
在NIS6111或门二极管是一种高速，高效率，混合
整流器，设计用于低电压，大电流的系统中，如
那些需要为今天的数字电路。它结合高速
与功率MOSFET集成电路来创建具有一个二极管
相同的正向压降特性的MOSFET 。它提供了更高的
效率开关电源，以及在二极管或运算
应用程序。
它提供了在电阻低，可以通过进一步降低
除了外部MOSFET 。它具有最高的反
在行业中的任何设备的恢复速度。
特点
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记号
图
1
PLLP32
CASE 488AC
1
32
NIS6111
AWLYYWWG
应用
冗余电源高可用性系统
静态ORing二极管
低电压，隔离输出
反激，正激变换器，半桥转换器
5
引脚分配
针
1
2
3
4
5
符号
阳极
BIAS
门
阴极
注册在
功能
电源输入连接到系统
内部稳压器的输出提供电源
内部只。需要在该引脚连接任何外部元件。
栅极驱动器输出为内部和外部
N沟道MOSFET
电源输出连接至系统
输入的内部稳压器
注册在
阳极
1
设备
NIS6111QPT1
NIS6111QPT1G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NIS6111/D
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年8月，
启5
1
1
4
3
2
（底视图）
4
阴极
5
门
NTD110N02R
3
低正向压降提高系统效率
超高速
可在高侧和低侧配置中使用
24 V评级
允许使用外部MOSFET的扩展电流处理
容量
无铅包装是可用*
NIS6111 =具体设备守则
A
=大会地点
WL
=晶圆地段
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
引脚连接
等效电路
订购信息
包
PLLP32
PLLP32
（无铅）
航运
1500磁带&卷轴
1500磁带&卷轴
NIS6111
最大额定值
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
等级
反向重复峰值电压（V
K
到V
A
)
山顶稳压器输入（注册在）电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
模拟模具热电阻（最小铜区）
MOSFET模具热电阻（最小铜区）
模拟模具热阻（结到顶部局）
MOSFET模具热阻（结到顶部局）
模拟模具热阻（结至底板） （注4 ）
MOSFET模具热阻（结至底板） （注4 ）
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
RRM
VREG
最大
I
FAV
I
FSM
q
的J一
q
M·J -一
q
第j -T
q
M·J -T
q
第j -B
q
M·J -B
T
英镑
T
J
价值
24
28
30
90
83
78
4.9
0.6
30
7.0
55
150
40
到125
单位
V
V
A
A
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
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2
NIS6111
电气特性
(T
J
= 25 ℃，注册时间= 8.0 V时，除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
同步整流器器
在国家
导通模式导通电阻
关国
反向漏电流（V
R
= 24伏）
反向漏电流（V
R
= 24伏，T
J
= 125°C)
开关
（参见图1和图3） （注2）
FET接通时间（我
最大
= 3.0 A，I转速= 1.0 A，V
转
= 5.0 V)
倒胃口传播
延迟时间（VDS = V
OFFSET
到我
D
= 0)
体二极管
在正向电压（注1及3 ）
电源（V
R
= 20 V ，T
J
= 255C)
电源电压（引脚2到引脚1 ） ，内部偏置电压
电容充电时间
（ 0.5 V初始费用， 5.0 V @注册中， 4.5 V， C = 0.22
MF）
T
J
=
40°C
至125℃
净空高度（对于V
帽
= 4.7 V)
最小占空比操作（频率= 100千赫） （注5 ）
延迟时间（t
AMB
= 20°C)
注册电压（引脚5到引脚1 ）
最低电压操作所需的（V
UVLO
+ V
hd
)
最低电压要求的全部栅极驱动（V
CC
+ V
hd
)
控制电路
偏置电源电流（V
BIAS
= 5.0 V)
输入失调电压
关闭电压（ UVLO ）
导通电压（ UVLO ）
1.
2.
3.
4.
5.
脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
脉冲宽度2.0
女士，
占空比
t5%.
开关特性是独立的工作结温。
基于0.062 “ FR4电路板，双面的1盎司铜皮。
所需的最小时间充电的内部电容。
I
BIAS
I
OS
V
UVLO
V
TO
0.8
3.35
3.65
1.3
2.0
3.55
3.81
1.8
5.0
3.65
3.95
mA
mV
V
V
4.8
6.3
V
V
V
CC
t
CHG
t
CHG
V
hd
d
民
T
d
4.8
2.0
1.0
5.0
3.7
4.7
1.27
2.0
51
5.2
5.0
1.5
V
ms
ms
V
%
ns
I = 10位ADC ，V
GS
= 0 V
I = 20的ADC ，V
GS
= 0 V
V
SD
0.75
0.8
1.2
VDC
t
SAT
t
pd
45
35
ns
ns
I
DSS
I
DSS
10
100
mA
mA
（ I = 10位ADC ，V
GS
= 5.0 V)
（ I = 20的ADC ，V
GS
= 5.0 V)
R
ON
3.7
4.7
4.5
mW
http://onsemi.com
3
NIS6111
85
80
75
q
JA
（ C / W ）
70
65
60
55
50
45
40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
JA （M ）
（M ）加热
JA （ A）
（A ）加热
铜面积（毫米
2
)
图7.热阻与铜区的MOSFET （ M）和模拟芯片（ A）
5.15 V
源1
负载
I
2
15 V
5.2 V
源2
图8.测试电路短路或运算测试
短路或运算测试图9.波形
18 V
注册在
阴极
门
负载
负载
12 V
NTD110N02R
注册在
阴极
阳极
阳极
5.0 V
图10.积极的ORing二极管连接带
其他外部FET
图11.负的ORing二极管连接
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5
QQ：2881677436 复制
