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NIS5102
HIGH SIDE
SMART HotPlugE IC /浪涌
限幅器/断路器
该NIS5102是一个控制器/场效应管IC ,节省设计时间和
减少了所需的完整的热交换部件的数量
应用程序。它是专为+12 V应用。
该芯片包括一个时间延迟用于测序应用。它有一个
双功能OVLO引脚,允许多台设备进行联动
一起用于同时导通和关断,从而使单位为
在并行操作。它允许用户选择和欠压
过压锁定水平。其独特的电流限制电路允许
可调电流限制水平,无需外部功率电阻。一
内部温度限制电路大大增加的可靠性
此设备。
特点
http://onsemi.com
记号
1
5102QPxH
AWLYWWG
9x9的MM , 12针PLLP
CASE 488AB
x
A
WL
Y
WW
G
集成功率器件
功率器件热保护
无需外部电流分流要求
同时关机和开机的并联运行
启用/ TIMER引脚
电源良好
9.0至18 V输入范围
10兆瓦
主/镜像MOSFET流动比率1000 : 1
无铅包可用
引脚连接
12
11
10
9
8
7
(底视图)
13
1
2
3
4
5
6
典型应用
高可用性系统
电子电路断路器
12 V分布式架构
订购信息
设备
NIS5102QP1HT1
(闭锁)
航运
NIS5102QP1HT1G 12针PLLP 1500 /磁带&卷轴
(闭锁)
(无铅)
NIS5102QP2HT1
(自动重试)
9×9毫米1500 /磁带&卷轴
12针PLLP
NIS5102QP2HT1G 12针PLLP 1500 /磁带&卷轴
(自动重试)
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 修订版5
= 1或2的
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅
9×9毫米1500 /磁带&卷轴
12针PLLP
出版订单号:
NIS5102/D
NIS5102
V
CC
13
C
收费
5
电压
调节器
收费
当前
极限
10, 11, 12
来源
关闭
2
UVLO
欠压
封锁
6电流限制
7电源良好
1
OVLO
常见
关闭
过压
关闭
启用/
定时器
动力
良好
4 GND
3
启用/定时器
图1.框图
引脚功能说明
1
功能
OVLO
描述
过压关机点从该引脚与V通过编程电阻
CC
供应量。当
与其它设备连接在一起,该引脚还传达关机状态,由于欠压
和过热的原因。所有连接的设备会同时关闭。启动此
条件可以是同时的或测序。
从V电阻
CC
在UVLO引脚调整在该设备将开启电压。
该引脚上的高电平信号使该器件能够开始运作。电容器的连接将
延时接通定时的目的。低输入信号抑制运算,并进行通信,以任何
其它并联器件(通过OVLO引脚)关机。这个信号也可用于重置
热锁存器。
负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。
一个外部电容从这个引脚与源极引脚必需的。这是存储电容器的
内部电荷泵。一个小型的内部电容包括噪声过滤。
电阻(R
极限
)从这个引脚到源极引脚并列设置电流限制水平。
该引脚上的高阻抗信号指示功率器件导通。
源的功率FET ,这也是该负载下的交换节点的。
正输入端的电压的设备。
2
3
UVLO
启用/定时器
4
5
6
7
8, 9
10, 11, 12
13
C
收费
I
极限
电源良好
无连接
来源
V
CC
http://onsemi.com
2
NIS5102
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
输入电压工作,稳定状态(输入+到输入 - )
输入电压,工作,瞬态(输入+到输入 - ) ,1次
漏极电压,工作,稳态(漏输入 - )
漏极电压,工作,瞬态(漏输入 - ) ,1次
漏电流,峰值
连续电流(T
A
= 25 ° C, 0.5
2
垫)
在电源良好引脚电压(引脚7 )
热阻,结到空气
在0.5
2
1年
2
热阻,结到铅
功率耗散(T
A
= 25 ° C, 0.5
2
垫)
工作温度范围(注1 )
非工作温度范围
焊接温度,焊接( 10秒)
符号
V
in
V
in
V
DD
V
DD
I
DPK
I
DAVG
V
max7
Q
JA
76.5
41.2
Q
JL
P
最大
T
J
T
J
T
L
3.2
1.4
-40至175
-55至175
235
价值
-0.3至18
-0.3至25
-0.3至18
-0.3至25
20
10
20
单位
V
V
V
V
A
A
V
° C / W
° C / W
° C / W
W
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.实际最大结温是由一个内部保护电路的限制,也不会达到绝对最大温度为
指定的。
电气特性
(V
CC
= 12 V ,R
极限
= 36
W,
C
收费
= 100 pF的,T
J
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
功率场效应管
延迟时间(使能高到我
S
= 100 mA时)
充电时间(我
S
= 100 mA至我
S
= 5.0 A,R
极限
= 36
W)
导通电阻(V
CC
= 12 V,I
S
= 5.0 A) (注2 )
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 12 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 18 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
输出电容(V
DS
= 12 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, F = 10 kHz时)
热限制
关断温度(注3 )
滞后(注3)
过压/欠压
UVLO导通(输入+增加, Rext的
UVLO
= 620 k)
UVLO迟滞(输入+减少, Rext的
UVLO
= 620 k)
OVLO关断(输入+增加, Rext的
UVLO
= 620 k)
OVLO迟滞(输入+减少, Rext的
UVLO
= 620 k)
并行SHUTDOWN
(上OVLO引脚复用功能)
设备扇出(最少的外部电阻值= 2.0千瓦(注3 )
关断电压阈值( OVLO引脚)
关机状态下输出电压( ISINK = 2.0 mA)的
2.脉冲测试:脉冲宽度300
女士,
占空比的2%。
3.验证设计。
N
风扇
V
SD
V
0.6
0.8
0.3
4.0
0.4
器件
V
V
V
on
V
HYST
V
关闭
V
HYST
10.05
0.45
14.0
0.6
11.15
0.62
16.4
0.78
12.30
0.75
19.0
1.0
V
V
V
V
T
SD
T
HYST
125
135
40
145
°C
°C
T
DLY
t
CHG
R
DSON
I
DSS1
I
DSS2
2.0
1.0
10
13
10
100
ms
ms
mW
mA
mA
pF
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NIS5102
电气特性
(续)
(V
CC
= 12 V ,R
极限
= 36
W,
C
收费
= 100 pF的,T
J
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
电流限制
限流(短路,R
极限
= 36
W)
电流限制(过载,R
极限
= 36
W)
(注3)
启用/定时器
开启电压(导通)
开启电压(关断)
充电电流(与外部电容)
导通延迟(时间从使能高到我
来源
= 100 mA时)
电荷泵
C
收费
(电压引脚上的5相对于地面)
V
CC
± 18伏直流
电源良好
电源良好
当FET为全面增强高阻信号
低Z态输出电压(I
SINK
= 2 mA)的
漏电流( Vpin7 = 12 V ,高阻抗状态)
电源正常延时
(时间从功率FET完全得到增强,电源良好FET改变状态)
设备总
偏置电流(工作,V
CC
= 12 V)
偏置电流(非经营性,V
CC
= 7 V))
最低工作电压
I
BIAS
I
BIAS
VCC
1.3
400
8.5
2.0
700
9.0
mA
mA
V
Vpin7
I
泄漏
t
PWRGOOD
230
2.0
15
300
10
mV
mA
ms
V
Ccharge
18
26
V
V
V
ENON
V
ENoff
I
收费
t
延迟
2.2
65
77
2.2
1.6
88
V
V
mA
ms
I
LIM1
I
LIM2
3.8
7.0
4.8
7.8
5.8
8.6
A
A
符号
典型值
最大
单位
输出电流
源极电压
启用/定时器
门槛
输入
图2.时序图外部使能延时
http://onsemi.com
4
NIS5102
典型性能曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
14
13
UVLO触发门限( V)
12
11
关闭
10
9
8
200
开启
OVLO TRIP POINT ( V)
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
300
400
500
600
700
800
900
1000
9
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
开启
关闭
R
UVLO
( kW)的
R
OVLO
( kW)的
图3. UVLO调整
100
10
图4. OVLO调整
VIN = 12 V
Rext_ILimit = 100
W
超载
的di / dt (A / MS )
1000
10
I
极限
(A)
1
短路
1
0.1
0.1
10
100
R
ILMIT
(W)
0.01
10
100
1000
10000
负载电容( MF)
图5.电流限制调整
图6.负载电容与输出的di / dt
105
95
外壳温度
°C
85
R
DS ( ON)
( mW)的
7.0
9.0
11
13
75
1/4平方英寸面积铜
65
1平方英寸面积铜
55
45
35
25
1.0
3.0
5.0
2平方英寸面积铜
设备到达
热关断
16
14
12
10
8
6
4
2
0
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95 110 125
连续电流,A
T
J
,结温( ° C)
图7.连续电流与外壳温度
(试验上的双面铜基板进行1盎司)
图8.典型
DS ( ON)
- 结
温度
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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