【NIS5101SMART HotPlugt IC /浪涌限幅器/断路器智能热插拔集成电路相结合的控制】,IC型号NIS5101E2T1G,NIS5101E2T1G PDF资料,NIS5101E2T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NIS5101

SMART HotPlugt IC /浪涌

限幅器/断路器

智能热插拔集成电路相结合的控制

功能和功率FET到单个IC中，节省了设计时间和

减少了所需的完整的热交换部件的数量

应用程序。它被设计成允许安全地插入和取出的

电子设备-48 V背板。该芯片的特点

简便的使用结合的综合解决方案。

智能热插拔包括用户可选择的欠压和

过压锁定水平。它还具有可调节的电流限制的

可以从最大程度用单个电阻降低。

工作在最大电流等级，无需额外的外部

组件。内部过热关断电路，大大

增加了该装置的可靠性。

特点

http://onsemi.com

记号

图

S- PAK

EX后缀

CASE 553AA

NIS5101EX

AYWWG

集成功率器件

100 V操作

热限制保护

可调电流限制

无需外部电流分流要求

欠压和过压停工

6.5连续操作

额定UIS

主/镜像MOSFET电流比820 ： 1

无铅包可用

的VoIP （互联网语音协议）服务器

-48 V电信系统

+ 24V无线基站电源

中心局交换

电子电路断路器

7输入+

= 1为热或锁存

2热自动重试

=大会地点

=年

WW =工作周

G =无铅器件

订购信息

设备

NIS5101E1T1

NIS5101E1T1G

包

S- PAK

闭锁

S- PAK

闭锁

（无铅）

S- PAK

自动重试

S- PAK

自动重试

（无铅）

航运

2000个/卷

典型应用

NIS5101E2T1

NIS5101E2T1G

2000个/卷

电压

调节器

热

关闭

4, 8

漏

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

UVLO /

启用

欠压

封锁

OVLO

过压

关闭

当前

极限

当前

极限

INPUT =

1, 2

图1.框图

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年11月 - 21牧师

出版订单号：

NIS5101/D

NIS5101

引脚功能说明

针

1, 2

4, 8

符号

INPUT =

电流限制

漏

OVLO

UVLO / ENABLE

输入+

描述

负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。

该引脚短路，输入 - 引脚的最大电流限制设置。如果降低电流限制水平

脚 - 需要，串联电阻该引脚与输入之间加入。

漏功率FET ，这也是该负载下的交换节点的。

过压关机点从这个引脚输入+电源通过编程的电阻。

从输入+到UVLO引脚上的电阻调节，在该设备将开启电压。漏极开路

设备可以连接到该引脚，这将抑制操作中，在其低阻抗状态时。

正输入端的电压的设备。

最大额定值

等级

输入电压工作（ +输入为输入 - ）

瞬态（1秒）

稳态

漏极电压，工作（漏输入 - ）

瞬态（1秒）

稳态

漏电流，连续（T

= 25 ℃， 2.0中

铜，双面电路板， 1盎司）

工作温度范围

非工作温度范围

焊接温度，焊接（ 10秒）

漏极电流峰值（内部限制）

热阻，结到空气

在0.5

铜

在1.0

铜

功率耗散@ T

= 25°C

在0.5

铜

在1.0

铜

静电放电抗扰度设备处理（所有引脚）

ESD抗扰性板级（注1 ）

雷击，防浪涌（ 8 ×20

毫秒）

（注1 ）

符号

-0.3 110

-0.3 100

-0.3 110

-0.3 100

DAVG

qJA

最大

1.4

2.4

HBM

JESD22A114B

IEC 61000-4-2

（ 3级）

IEC 61000-4-5

（ 3级）

2.0

6.0

2.0

6.5

-40至145

-55至175

260

°C

° C / W

价值

单位

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

只引脚，并使用在这些连接的外部68 V双向TVS器件（ P6SMB68AT3 ） - 1.应用输入+和输入之间

销。

http://onsemi.com

NIS5101

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

功率场效应管

充电时间（开启至额定最大电流）

抗性

零栅极电压漏极电流

= 100 V

, V

= 0 V

)

检测电压容差（V

输入

= 48 V ， RextI

极限

= 20

输出电容（V

= 48 V

, V

= 0 V

， F = 10 kHz时）

热限制

关断结温（注4 ）

迟滞（注4 ）

过压/欠压

导通电压值（Rext

UVLO

迟滞值（Rext

UVLO

导通电压值（Rext

UVLO

= 270千瓦）

迟滞值（Rext

UVLO

= 270千瓦）

齐纳电压（ UVLO引脚电压在导通）

OVLO阈值（输入+增加， Rext的

OVLO

OVLO阈值（输入+增加， Rext的

OVLO

= 300千瓦）

OVLO迟滞（输入+减少， Rext的

OVLO

= 300千瓦）

电流限制

短路电流限制（ RextI

极限

= 20

（注5 ）

过载电流限制（ RextI

极限

= 20

（注4和5）

设备总

偏置电流（工作）（V

输入

= 48 V ，R

UVLO

偏置电流（非经营性）（V

输入

= 30 V ，R

UVLO

最低工作电压（R

UVLO

= 30千瓦）

BIAS

VIN

民

1.4

800

LIM1

LIM2

3.5

5.4

4.2

6.0

5.0

6.6

HYST

OVhyst

41.5

6.3

3.5

14.3

100

3.0

8.0

5.0

4.7

50.5

9.7

6.5

17.5

6.4

HYST

125

135

145

°C

CHG

DSON

DSS

SENSE

5.0

3.0

326

符号

民

典型值

最大

单位

脉冲测试：脉冲宽度300

女士，

占空比的2％。

开关特性是独立的工作结点温度。

验证设计。

请参考说明有关在短路和过载情况下器件的电流限制操作。

http://onsemi.com

NIS5101

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

100

开启-40°C

超载-40°C

极限

(A)

超载25℃

超载120℃

短路-40°C

短路25℃

短路120℃

UVLO触发门限（ V）

关断-40°C

0.1

关断25℃

关闭120℃

EXT

极限

(W)

100

1000

100

UVLO_R

EXT

（ kW）的

1000

开通25℃

开通120℃

图2.电流限制调节

（对于主/镜像MOSFET流动比率的解释，

见第11页）

100

OVLO TRIP POINT （ V）

开通25℃

100

OVLO_R

EXT

（ kW）的

1000

OVLO TRIP POINT （ V）

关断25℃

100

图3. UVLO调整

关闭120℃

100

OVLO_R

EXT

（ kW）的

1000

开通120℃

图4. OVLO调整，T

= 255C

100

关断-40°C

OVLO TRIP POINT （ V）

开启-40°C

100

OVLO_R

EXT

（ kW）的

1000

外壳温度（ ° C）

115

105

图5. OVLO调整，T

= 1205C

在0.5

铜区

1年

铜区

2年

铜区

设备到达

热关断

连续电流（ A）

图6. OVLO调整，T

= 405C

图7.连续电流与外壳温度

（测试的双面铜电路板进行1盎司）

http://onsemi.com

NIS5101

典型应用电路图&工作波形

= 25 ° C除非另有说明）

UVLO

输入+

UVLO / EN

NIS5101

漏

OVLO

当前

极限

INPUT =

直流 - 直流

变流器

OVLO

极限

图8.典型应用

负载电容

470

GND

BOUNCE

BUS电压

负载

电压

负载

当前

1 A /格

48 V

图9.打开波形为470

负载电容

http://onsemi.com