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NIS5101
SMART HotPlugt IC /浪涌
限幅器/断路器
智能热插拔集成电路相结合的控制
功能和功率FET到单个IC中,节省了设计时间和
减少了所需的完整的热交换部件的数量
应用程序。它被设计成允许安全地插入和取出的
电子设备-48 V背板。该芯片的特点
简便的使用结合的综合解决方案。
智能热插拔包括用户可选择的欠压和
过压锁定水平。它还具有可调节的电流限制的
可以从最大程度用单个电阻降低。
工作在最大电流等级,无需额外的外部
组件。内部过热关断电路,大大
增加了该装置的可靠性。
特点
http://onsemi.com
记号
8
1
7
S- PAK
EX后缀
CASE 553AA
NIS5101EX
AYWWG
集成功率器件
100 V操作
热限制保护
可调电流限制
无需外部电流分流要求
欠压和过压停工
6.5连续操作
额定UIS
主/镜像MOSFET电流比820 : 1
无铅包可用
的VoIP (互联网语音协议)服务器
-48 V电信系统
+ 24V无线基站电源
中心局交换
电子电路断路器
7输入+
= 1为热或锁存
2热自动重试
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G =无铅器件
X
订购信息
设备
NIS5101E1T1
NIS5101E1T1G
S- PAK
闭锁
S- PAK
闭锁
(无铅)
S- PAK
自动重试
S- PAK
自动重试
(无铅)
航运
2000个/卷
2000个/卷
典型应用
NIS5101E2T1
NIS5101E2T1G
2000个/卷
2000个/卷
电压
调节器
关闭
4, 8
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
6
UVLO /
启用
欠压
封锁
5
OVLO
过压
关闭
当前
极限
3
当前
极限
INPUT =
1, 2
图1.框图
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年11月 - 21牧师
出版订单号:
NIS5101/D
NIS5101
引脚功能说明
1, 2
3
4, 8
5
6
7
符号
INPUT =
电流限制
OVLO
UVLO / ENABLE
输入+
描述
负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。
该引脚短路,输入 - 引脚的最大电流限制设置。如果降低电流限制水平
脚 - 需要,串联电阻该引脚与输入之间加入。
漏功率FET ,这也是该负载下的交换节点的。
过压关机点从这个引脚输入+电源通过编程的电阻。
从输入+到UVLO引脚上的电阻调节,在该设备将开启电压。漏极开路
设备可以连接到该引脚,这将抑制操作中,在其低阻抗状态时。
正输入端的电压的设备。
最大额定值
等级
输入电压工作( +输入为输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏极电压,工作(漏输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏电流,连续(T
A
= 25 ℃, 2.0中
2
铜,双面电路板, 1盎司)
工作温度范围
非工作温度范围
焊接温度,焊接( 10秒)
漏极电流峰值(内部限制)
热阻,结到空气
在0.5
2
在1.0
2
功率耗散@ T
A
= 25°C
在0.5
2
在1.0
2
静电放电抗扰度设备处理(所有引脚)
ESD抗扰性板级(注1 )
雷击,防浪涌( 8 ×20
毫秒)
(注1 )
符号
V
in
-0.3 110
-0.3 100
V
DD
-0.3 110
-0.3 100
I
DAVG
T
j
T
j
T
L
I
pk
R
qJA
75
43
P
最大
1.4
2.4
HBM
JESD22A114B
IEC 61000-4-2
( 3级)
IEC 61000-4-5
( 3级)
2.0
6.0
2.0
48
kV
kV
kV
A
W
6.5
-40至145
-55至175
260
20
A
°C
°C
°C
A
° C / W
V
价值
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
只引脚,并使用在这些连接的外部68 V双向TVS器件( P6SMB68AT3 ) - 1.应用输入+和输入之间
销。
http://onsemi.com
2
NIS5101
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
功率场效应管
充电时间(开启至额定最大电流)
抗性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 100 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
检测电压容差(V
输入
= 48 V , RextI
极限
= 20
W)
输出电容(V
DS
= 48 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, F = 10 kHz时)
热限制
关断结温(注4 )
迟滞(注4 )
过压/欠压
导通电压值(Rext
UVLO
=
R)
迟滞值(Rext
UVLO
=
R)
导通电压值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
迟滞值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
齐纳电压( UVLO引脚电压在导通)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
=
R)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
OVLO迟滞(输入+减少, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
电流限制
短路电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注5 )
过载电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注4和5)
设备总
偏置电流(工作) (V
输入
= 48 V ,R
UVLO
=
R)
偏置电流(非经营性)(V
输入
= 30 V ,R
UVLO
=
R)
最低工作电压(R
UVLO
= 30千瓦)
2.
3.
4.
5.
I
BIAS
I
BIAS
VIN
1.4
800
18
mA
mA
V
I
LIM1
I
LIM2
3.5
5.4
4.2
6.0
5.0
6.6
A
A
V
on
V
HYST
V
on
V
HYST
V
Z
V
OV
V
OV
V
OVhyst
41.5
6.3
29
3.5
14.3
100
65
3.0
46
8.0
33
5.0
16
74
4.7
50.5
9.7
37
6.5
17.5
83
6.4
V
V
V
V
V
V
V
V
T
SD
T
HYST
125
35
135
40
145
45
°C
°C
t
CHG
R
DSON
I
DSS
V
SENSE
5.0
43
10
3.0
326
50
ms
mW
mA
%
pF
符号
典型值
最大
单位
脉冲测试:脉冲宽度300
女士,
占空比的2%。
开关特性是独立的工作结点温度。
验证设计。
请参考说明有关在短路和过载情况下器件的电流限制操作。
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3
NIS5101
典型性能曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
100
45
开启-40°C
40
超载-40°C
10
I
极限
(A)
超载25℃
超载120℃
短路-40°C
1
短路25℃
短路120℃
UVLO触发门限( V)
35
30
25
关断-40°C
20
0.1
1
15
10
关断25℃
关闭120℃
10
R
EXT
_I
极限
(W)
100
1000
100
UVLO_R
EXT
( kW)的
1000
开通25℃
开通120℃
图2.电流限制调节
(对于主/镜像MOSFET流动比率的解释,
见第11页)
100
90
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开通25℃
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
OVLO TRIP POINT ( V)
关断25℃
100
90
图3. UVLO调整
关闭120℃
80
70
60
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
开通120℃
图4. OVLO调整,T
J
= 255C
100
90
关断-40°C
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开启-40°C
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
外壳温度( ° C)
115
105
95
85
75
65
55
45
35
25
1
图5. OVLO调整,T
J
= 1205C
在0.5
2
铜区
1年
2
铜区
2年
2
铜区
设备到达
热关断
2
3
4
5
6
7
连续电流( A)
图6. OVLO调整,T
J
= 405C
图7.连续电流与外壳温度
(测试的双面铜电路板进行1盎司)
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4
NIS5101
典型应用电路图&工作波形
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
R
UVLO
输入+
UVLO / EN
NIS5101
OVLO
当前
极限
INPUT =
+
直流 - 直流
变流器
+
+
R
OVLO
R
极限
图8.典型应用
负载电容
470
mF
GND
BOUNCE
BUS电压
负载
电压
负载
当前
1 A /格
48 V
图9.打开波形为470
mF
负载电容
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5
NIS5101
SMART HotPlugt IC /浪涌
限幅器/断路器
智能热插拔集成电路相结合的控制
功能和功率FET到单个IC中,节省了设计时间和
减少了所需的完整的热交换部件的数量
应用程序。它被设计成允许安全地插入和取出的
电子设备-48 V背板。该芯片的特点
简便的使用结合的综合解决方案。
智能热插拔包括用户可选择的欠压和
过压锁定水平。它还具有可调节的电流限制的
可以从最大程度用单个电阻降低。
工作在最大电流等级,无需额外的外部
组件。内部过热关断电路,大大
增加了该装置的可靠性。
特点
http://onsemi.com
记号
8
1
7
S- PAK
EX后缀
CASE 553AA
NIS5101EX
AYWW
集成功率器件
100 V操作
热限制保护
可调电流限制
无需外部电流分流要求
欠压和过压停工
6.5连续操作
额定UIS
的VoIP (互联网语音协议)服务器
-48 V电信系统
+ 24V无线基站电源
中心局交换
电子电路断路器
7
输入+
X
= 1为热或锁存
2热自动重试
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
订购信息
设备
S- PAK
闭锁
S- PAK
自动重试
航运
2000个/卷
2000个/卷
典型应用
NIS5101E1T1
NIS5101E2T1
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
电压
调节器
关闭
4, 8
6
UVLO /
启用
欠压
封锁
5
OVLO
过压
关闭
当前
极限
3
当前
极限
INPUT =
1, 2
图1.框图
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年2月 - 15牧师
出版订单号:
NIS5101/D
NIS5101
引脚功能说明
1, 2
3
4, 8
5
6
7
符号
INPUT =
电流限制
OVLO
UVLO / ENABLE
输入+
描述
负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。
该引脚短路,输入 - 引脚的最大电流限制设置。如果降低电流限制水平
脚 - 需要,串联电阻该引脚与输入之间加入。
漏功率FET ,这也是该负载下的交换节点的。
过压关机点从这个引脚输入+电源通过编程的电阻。
从输入+到UVLO引脚上的电阻调节,在该设备将开启电压。漏极开路
设备可以连接到该引脚,这将抑制操作中,在其低阻抗状态时。
正输入端的电压的设备。
最大额定值
等级
输入电压工作( +输入为输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏极电压,工作(漏输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏电流,连续(T
A
= 25 ℃, 2.0中
2
铜,双面电路板, 1盎司)
工作温度范围
非工作温度范围
焊接温度,焊接( 10秒)
漏极电流峰值(内部限制)
热阻,结到空气
在0.5
2
在1.0
2
功率耗散@ T
A
= 25°C
在0.5
2
在1.0
2
静电放电抗扰度设备处理(所有引脚)
ESD抗扰性板级(注1 )
雷击,防浪涌( 8 ×20
毫秒)
(注1 )
符号
V
in
-0.3 110
-0.3 100
V
DD
-0.3 110
-0.3 100
I
DAVG
T
j
T
j
T
L
I
pk
R
qJA
75
43
P
最大
1.4
2.4
HBM
JESD22A114B
IEC 61000-4-2
( 3级)
IEC 61000-4-5
(等级
(乐EL 3 )
2.0
6.0
2.0
48
kV
kV
kV
A
W
6.5
-40至145
-55至175
260
20
A
°C
°C
°C
A
° C / W
V
价值
单位
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
(不正常的操作条件下),同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
只引脚,并使用在这些连接的外部68 V双向TVS器件( P6SMB68AT3 ) - 1.应用输入+和输入之间
销。
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2
NIS5101
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
功率场效应管
充电时间(开启至额定最大电流)
抗性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 100 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
检测电压容差(V
输入
= 48 V , RextI
极限
= 20
W)
输出电容(V
DS
= 48 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, F = 10 kHz时)
热限制
关断结温(注4 )
迟滞(注4 )
过压/欠压
导通电压值(Rext
UVLO
=
R)
迟滞值(Rext
UVLO
=
R)
导通电压值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
迟滞值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
齐纳电压( UVLO引脚电压在导通)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
=
R)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
OVLO迟滞(输入+减少, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
电流限制
短路电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注5 )
过载电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注4和5)
设备总
偏置电流(工作) (V
输入
= 48 V ,R
UVLO
=
R)
偏置电流(非经营性)(V
输入
= 30 V ,R
UVLO
=
R)
最低工作电压(R
UVLO
= 30千瓦)
2.
3.
4.
5.
I
BIAS
I
BIAS
VIN
1.4
800
18
mA
mA
V
I
LIM1
I
LIM2
3.5
5.4
4.2
6.0
5.0
6.6
A
A
V
on
V
HYST
V
on
V
HYST
V
Z
V
OV
V
OV
V
OVhyst
41.5
6.3
29
3.5
14.3
100
65
3.0
46
8.0
33
5.0
16
74
4.7
50.5
9.7
37
6.5
17.5
83
6.4
V
V
V
V
V
V
V
V
T
SD
T
HYST
125
35
135
40
145
45
°C
°C
t
CHG
R
DSON
I
DSS
V
SENSE
5.0
43
10
3.0
326
50
ms
mW
mA
%
pF
符号
典型值
最大
单位
脉冲测试:脉冲宽度300
女士,
占空比的2%。
开关特性是独立的工作结点温度。
验证设计。
请参考说明有关在短路和过载情况下器件的电流限制操作。
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3
NIS5101
典型性能曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
100
45
开启-40°C
40
超载-40°C
10
I
极限
(A)
超载25℃
超载120℃
短路-40°C
1
短路25℃
短路120℃
UVLO触发门限( V)
35
30
25
关断-40°C
20
0.1
1
15
10
关断25℃
关闭120℃
10
R
EXT
_I
极限
(W)
100
1000
100
UVLO_R
EXT
( kW)的
1000
开通25℃
开通120℃
图2.电流限制调节
(对于主/镜像MOSFET流动比率的解释,
见第11页)
100
90
关断25℃
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开通25℃
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
50
40
30
20
10
100
90
图3. UVLO调整
关闭120℃
开通120℃
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
图4. OVLO调整,T
J
= 255C
100
90
关断-40°C
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开启-40°C
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
外壳温度( ° C)
115
105
95
85
75
65
55
45
35
25
1
图5. OVLO调整,T
J
= 1205C
在0.5
2
铜区
1年
2
铜区
2年
2
铜区
设备到达
热关断
2
3
4
5
6
7
连续电流( A)
图6. OVLO调整,T
J
= 405C
图7.连续电流与外壳温度
(测试的双面铜电路板进行1盎司)
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NIS5101
典型应用电路图&工作波形
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
R
UVLO
输入+
UVLO
NIS5101
OVLO / EN
当前
极限
INPUT =
+
直流 - 直流
变流器
+
+
R
OVLO
R
极限
图8.典型应用
负载电容
470
mF
GND
BOUNCE
BUS电压
负载
电压
负载
当前
1 A /格
48 V
图9.打开波形为470
mF
负载电容
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5
NIS5101
SMART HotPlugt IC /浪涌
限幅器/断路器
智能热插拔集成电路相结合的控制
功能和功率FET到单个IC中,节省了设计时间和
减少了所需的完整的热交换部件的数量
应用程序。它被设计成允许安全地插入和取出的
电子设备-48 V背板。该芯片的特点
简便的使用结合的综合解决方案。
智能热插拔包括用户可选择的欠压和
过压锁定水平。它还具有可调节的电流限制的
可以从最大程度用单个电阻降低。
工作在最大电流等级,无需额外的外部
组件。内部过热关断电路,大大
增加了该装置的可靠性。
特点
http://onsemi.com
记号
8
1
7
S- PAK
EX后缀
CASE 553AA
NIS5101EX
AYWW
集成功率器件
100 V操作
热限制保护
可调电流限制
无需外部电流分流要求
欠压和过压停工
6.5连续操作
额定UIS
的VoIP (互联网语音协议)服务器
-48 V电信系统
+ 24V无线基站电源
中心局交换
电子电路断路器
7
输入+
X
= 1为热或锁存
2热自动重试
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
订购信息
设备
S- PAK
闭锁
S- PAK
自动重试
航运
2000个/卷
2000个/卷
典型应用
NIS5101E1T1
NIS5101E2T1
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
电压
调节器
关闭
4, 8
6
UVLO /
启用
欠压
封锁
5
OVLO
过压
关闭
当前
极限
3
当前
极限
INPUT =
1, 2
图1.框图
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年2月 - 15牧师
出版订单号:
NIS5101/D
NIS5101
引脚功能说明
1, 2
3
4, 8
5
6
7
符号
INPUT =
电流限制
OVLO
UVLO / ENABLE
输入+
描述
负输入电压的设备。这被用作用于在IC内部参考。
该引脚短路,输入 - 引脚的最大电流限制设置。如果降低电流限制水平
脚 - 需要,串联电阻该引脚与输入之间加入。
漏功率FET ,这也是该负载下的交换节点的。
过压关机点从这个引脚输入+电源通过编程的电阻。
从输入+到UVLO引脚上的电阻调节,在该设备将开启电压。漏极开路
设备可以连接到该引脚,这将抑制操作中,在其低阻抗状态时。
正输入端的电压的设备。
最大额定值
等级
输入电压工作( +输入为输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏极电压,工作(漏输入 - )
瞬态(1秒)
稳态
漏电流,连续(T
A
= 25 ℃, 2.0中
2
铜,双面电路板, 1盎司)
工作温度范围
非工作温度范围
焊接温度,焊接( 10秒)
漏极电流峰值(内部限制)
热阻,结到空气
在0.5
2
在1.0
2
功率耗散@ T
A
= 25°C
在0.5
2
在1.0
2
静电放电抗扰度设备处理(所有引脚)
ESD抗扰性板级(注1 )
雷击,防浪涌( 8 ×20
毫秒)
(注1 )
符号
V
in
-0.3 110
-0.3 100
V
DD
-0.3 110
-0.3 100
I
DAVG
T
j
T
j
T
L
I
pk
R
qJA
75
43
P
最大
1.4
2.4
HBM
JESD22A114B
IEC 61000-4-2
( 3级)
IEC 61000-4-5
(等级
(乐EL 3 )
2.0
6.0
2.0
48
kV
kV
kV
A
W
6.5
-40至145
-55至175
260
20
A
°C
°C
°C
A
° C / W
V
价值
单位
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
(不正常的操作条件下),同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
只引脚,并使用在这些连接的外部68 V双向TVS器件( P6SMB68AT3 ) - 1.应用输入+和输入之间
销。
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2
NIS5101
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
功率场效应管
充电时间(开启至额定最大电流)
抗性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 100 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
检测电压容差(V
输入
= 48 V , RextI
极限
= 20
W)
输出电容(V
DS
= 48 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, F = 10 kHz时)
热限制
关断结温(注4 )
迟滞(注4 )
过压/欠压
导通电压值(Rext
UVLO
=
R)
迟滞值(Rext
UVLO
=
R)
导通电压值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
迟滞值(Rext
UVLO
= 270千瓦)
齐纳电压( UVLO引脚电压在导通)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
=
R)
OVLO阈值(输入+增加, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
OVLO迟滞(输入+减少, Rext的
OVLO
= 300千瓦)
电流限制
短路电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注5 )
过载电流限制( RextI
极限
= 20
W)
(注4和5)
设备总
偏置电流(工作) (V
输入
= 48 V ,R
UVLO
=
R)
偏置电流(非经营性)(V
输入
= 30 V ,R
UVLO
=
R)
最低工作电压(R
UVLO
= 30千瓦)
2.
3.
4.
5.
I
BIAS
I
BIAS
VIN
1.4
800
18
mA
mA
V
I
LIM1
I
LIM2
3.5
5.4
4.2
6.0
5.0
6.6
A
A
V
on
V
HYST
V
on
V
HYST
V
Z
V
OV
V
OV
V
OVhyst
41.5
6.3
29
3.5
14.3
100
65
3.0
46
8.0
33
5.0
16
74
4.7
50.5
9.7
37
6.5
17.5
83
6.4
V
V
V
V
V
V
V
V
T
SD
T
HYST
125
35
135
40
145
45
°C
°C
t
CHG
R
DSON
I
DSS
V
SENSE
5.0
43
10
3.0
326
50
ms
mW
mA
%
pF
符号
典型值
最大
单位
脉冲测试:脉冲宽度300
女士,
占空比的2%。
开关特性是独立的工作结点温度。
验证设计。
请参考说明有关在短路和过载情况下器件的电流限制操作。
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3
NIS5101
典型性能曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
100
45
开启-40°C
40
超载-40°C
10
I
极限
(A)
超载25℃
超载120℃
短路-40°C
1
短路25℃
短路120℃
UVLO触发门限( V)
35
30
25
关断-40°C
20
0.1
1
15
10
关断25℃
关闭120℃
10
R
EXT
_I
极限
(W)
100
1000
100
UVLO_R
EXT
( kW)的
1000
开通25℃
开通120℃
图2.电流限制调节
(对于主/镜像MOSFET流动比率的解释,
见第11页)
100
90
关断25℃
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开通25℃
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
50
40
30
20
10
100
90
图3. UVLO调整
关闭120℃
开通120℃
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
图4. OVLO调整,T
J
= 255C
100
90
关断-40°C
OVLO TRIP POINT ( V)
80
70
60
开启-40°C
50
40
30
20
10
100
OVLO_R
EXT
( kW)的
1000
外壳温度( ° C)
115
105
95
85
75
65
55
45
35
25
1
图5. OVLO调整,T
J
= 1205C
在0.5
2
铜区
1年
2
铜区
2年
2
铜区
设备到达
热关断
2
3
4
5
6
7
连续电流( A)
图6. OVLO调整,T
J
= 405C
图7.连续电流与外壳温度
(测试的双面铜电路板进行1盎司)
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4
NIS5101
典型应用电路图&工作波形
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
R
UVLO
输入+
UVLO
NIS5101
OVLO / EN
当前
极限
INPUT =
+
直流 - 直流
变流器
+
+
R
OVLO
R
极限
图8.典型应用
负载电容
470
mF
GND
BOUNCE
BUS电压
负载
电压
负载
当前
1 A /格
48 V
图9.打开波形为470
mF
负载电容
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