NIF5002N
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
42 V ， 2.0 A单N沟道， SOT- 223
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HDPlust设备是一种先进的系列功率MOSFET
它采用安森美半导体最新的MOSFET技术工艺
以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
V
（ BR ） DSS
（夹紧）
42 V
R
DS （ ON）
典型值
165毫瓦@ 10 V
I
D
最大
2.0 A*
*最大电流限制值依赖于输入
条件。
漏
过压
保护
M
PWR
门
输入
R
G
电流限制
与自动重新启动热关断
短路保护
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
无铅包可用
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
来源
4
1
2
SOT223
CASE 318E
方式3
应用
灯光
螺线管
小马达
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
(R
G
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续漏电流
功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
@ T
T
= 25 ° C（注3 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
价值
42
42
"14
1.1
1.7
8.9
-55
150
150
单位
V
V
V
3
标记图
1
门
AYW
5002N
G
G
2
漏
3
来源
4
漏
内部限制
W
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
5002N =具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 32 V, V
G
= 5.0 V，I
PK
= 1.0 A,
L = 300 mH的，R
G（ EXT ）
= 25
W)
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
mJ
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 启示录7
出版订单号：
NIF5002N/D
NIF5002N
热特性
特征
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到标签 - 稳态（注3 ）
1.表面安装到分垫的FR4印刷电路板， （ 2盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
2.表面安装到2“平方FR4电路板（1”平方， 1盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
3.表面安装到分垫的FR4印刷电路板， （ 2盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJT
价值
114
72
14
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
（注4 ）
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
42
40
46
45
0.25
1.1
50
55
55
4.0
20
100
mA
V
-MV /°C的
mW
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
DSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 32 V
门输入电流
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
静态漏 - 源极导通电阻
I
GSSF
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
DS
= 0 V, V
GS
= 5.0 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 150
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
1.3
1.8
4.0
165
305
195
360
190
350
1.0
2.2
6.0
200
400
230
460
230
460
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 0.5 A
源极 - 漏极正向电压上
开关特性
开启时间
关断时间
上压摆率
摆率关闭
t
D（上）
t
D（关闭）
dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.0 A
V
GS
= 10 V, V
DD
= 12 V,
I
D
= 2.5 A，R
L
= 4.7
W,
(10% V
in
到90％我
D
)
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0至10伏，
V
DD
= 12伏， 70％至50％的
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0至10伏，
V
DD
= 12伏，50 ％至70％的
V
ms
20
65
1.2
0.5
30
100
V / ms的
自我保护特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注5 ）
电流限制
I
LIM
V
DS
= 10 V, V
GS
= 5.0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
3.1
2.0
3.8
2.8
150
135
150
135
4.7
3.2
5.7
4.3
175
160
165
150
6.3
4.3
7.6
5.7
200
185
185
170
°C
A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
温度限制（关断）
温度极限（电路复位）
温度限制（关断）
温度极限（电路复位）
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
T
LIM （关闭）
T
LIM （上）
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
ESD电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
静电放电能力
ESD
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
5.故障条件被视为超出部分的正常工作范围。
4000
400
V
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2
NIF5002N
典型性能曲线
10
I
S
，源电流（安培）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
10毫秒
1.0
0.1
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1.0
10
dc
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.01
0.1
100
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图7.二极管的正向电压与电流
图8.最大额定正向偏置
安全工作区
1.0
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
T，时间（S ）
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
0.1
0.01
1.0E03
图9.热响应
订购信息
设备
NIF5002NT1
NIF5002NT1G
NIF5002NT3
NIF5002NT3G
包
SOT223
SOT223
（无铅）
SOT223
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
NIF5002N
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L1
H
E
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
1.50
6.70
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.060
0.264
0°
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
D
b1
4
H
E
1
2
3
E
b
e1
e
q
C
q
A
0.08 (0003)
A1
L1
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
HDPlus是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的商标。
安森美半导体
和
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5
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