【NID9N05CL功率MOSFET9.0 A， 52 V， N沟道逻辑电平，钳位MOSFET W /】,IC型号NID9N05CLG,NID9N05CLG PDF资料,NID9N05CLG经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第499页 > NID9N05CLG

NID9N05CL

功率MOSFET

9.0 A， 52 V， N沟道逻辑电平，

钳位MOSFET W / ESD保护

在DPAK封装

http://onsemi.com

好处

高能能力为感性负载

低开关噪声产生

特点

V

DSS

（夹紧）

52 V

R

DS （ ON）

典型值

90毫瓦

I

D

最大

（有限公司）

9.0 A

漏

（引脚2,4）

之间的栅极和源极钳位二极管

ESD保护 - HBM 5000 V

活跃的过电压门漏极钳位

可扩展到较低或较高的R

DS （ ON）

内部串联栅极电阻

无铅包可用

门

（引脚1）

R

G

过压

保护

M

PWR

应用

ESD保护

汽车和工业市场：

螺线管驱动器，灯驱动器，小型电机驱动器

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压内部钳位

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

p

= 10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 125°C

(V

DD

= 50 V，I

D（ PK ）

= 1.5 A，V

GS

= 10 V,

R

G

= 25

W)

热阻，结到外壳

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

5259

±15

9.0

35

28.8

-55至175

160

单位

V

V

A

W

°C

mJ

DPAK

CASE 369C

方式2

Y

WW

D9N05CL

G

1

2

3

YWW

D9N

05CLG

来源

（引脚3 ）

记号

图

4

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

5.2

72

100

260

° C / W

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

1

2

3

4

- 门

=漏

=源

=漏

订购信息

°C

设备

NID9N05CLT4

NID9N05CLT4G

NID9N05CL

NID9N05CLG

包

DPAK

DPAK

（无铅）

DPAK

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

75单位/铁

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.当表面安装用1“的焊盘尺寸，（铜面积1.127的FR4板

2

).

2.表面安装在FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

2

).

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年4月 - 启示录7

出版订单号：

NID9N05CL/D

NID9N05CL

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0 V，I

D

= 1.0毫安，T

J

= 25°C)

(V

GS

= 0 V，I

D

= 1.0毫安，T

J

= -40 ° C至125°C ）

温度系数（负）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±8

V, V

DS

= 0 V)

(V

GS

=

±14

V, V

DS

= 0 V)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 100

毫安）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.0 V，I

D

= 1.5 A)

(V

GS

= 3.5 V，I

D

= 0.6 A)

(V

GS

= 3.0 V，I

D

= 0.2 A)

(V

GS

= 12 V，I

D

= 9.0 A)

(V

GS

= 12 V，I

D

= 12 A)

正向跨导（注3 ）（V

DS

= 15 V，I

D

= 9.0 A)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

输入电容

输出电容

传输电容

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V ， F = 10千赫）

(V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V ， F = 10千赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

155

60

25

175

70

30

250

100

40

pF

pF

V

GS （ TH）

1.3

R

DS （ ON）

70

67

g

FS

153

175

90

95

24

181

364

1210

姆欧

1.75

4.5

2.5

V

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

52

50.8

I

DSS

I

GSS

±22

10

25

±10

mA

55

54

10

59

59.5

V

V

毫伏/°C的

mA

符号

民

典型值

最大

单位

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NID9N05CL

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 40 V,

I

D

= 9.0 A）（注3 ）

栅极电荷

(V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 1.5 A）（注3 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 4.5 A，V

GS

= 0V）（注3）

(I

S

= 4.0 A，V

GS

= 0 V)

(I

S

= 4.5 A，V

GS

= 0 V ，T

J

= 125°C)

(I

S

= 4.5 A，V

GS

= 0 V,

dI

s

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

ESD特性

静电放电

能力

人体模型（ HBM ）

机器模型（ MM ）

ESD

5000

500

V

V

SD

0.86

0.845

0.725

700

200

500

6.5

1.2

mC

V

(V

GS

= 10 V, V

DD

= 15 V,

I

D

= 1.5 A，R

G

= 50

W)

(V

GS

= 10 V, V

DD

= 15 V,

I

D

= 1.5 A，R

G

= 2千瓦）

(V

GS

= 10 V, V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.0 A，R

G

= 9.0

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

Q

T

Q

1

Q

2

130

500

1300

1150

200

500

2500

1800

120

275

1600

1100

4.5

1.2

2.7

3.6

1.0

2.0

200

750

2000

1850

7.0

nC

nC

ns

ns

ns

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

3

NID9N05CL

18

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

8V

6.5 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

3.2 V

4.6 V

4.2 V

4V

3.8 V

3.4 V

2.8 V

V

GS

= 10 V

6V

T

J

= 25°C

5V

16

14

12

10

8

6

4

2

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

V

DS

≥

10 V

T

J

= 55°C

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

18

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.5

I

D

= 4.5 A

T

J

= 25°C

0.4

0.35

V

GS

= 4 V

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

V

GS

= 12 V

T

J

= 25°C

0.4

0.3

0.2

0.1

0

2

4

6

8

10

12

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

I

D

= 9 A

V

GS

= 12 V

2

100,000

I

DSS

，漏电（ NA）

1,000,000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

1.5

T

J

= 150°C

T

J

= 100°C

1000

10,000

1

0.5

50 25

100

0

25

50

75

100

125

150

175

20

25

30

35

40

45

50

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

4

NID9N05CL

500

频率= 10千赫

C，电容（pF ）

400

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

300

200

C

OSS

C

RSS

0

0

10

C

国际空间站

100

20

30

40

50

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

VGS ，栅极至源极电压（伏）

5

Q

T

4

Q

gs

Q

gd

V

GS

50

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10,000

V

DD

= 40 V

I

D

= 9 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

t

D（关闭）

t

f

t

r

40

3

30

1000

2

V

DS

I

D

= 9 A

T

J

= 25°C

20

1

0

0

1

10

0

t

D（上）

100

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

2

3

4

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

5

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

10

IS ，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

8

6

4

2

0

0.4

0.6

0.8

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1.2

图10.二极管的正向电压与电流

http://onsemi.com

5

查看更多NID9N05CLGPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NID9N05CLG

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NID9N05CLG

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：892174007 复制

点击这里给我发消息

QQ：2300949663 复制

点击这里给我发消息

QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

NID9N05CLG

ON/安森美

2024

16880

TO-252

原装现货上海库存，欢迎咨询

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

NID9N05CLG

ON

21+

3555

TO-252

全新原装正品/质量有保证

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

NID9N05CLG

onsemi

24+

10000

DPAK

原厂一级代理，原装现货

深圳市翔哲科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：346072800 复制

点击这里给我发消息

QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721

联系人：朱

地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室

NID9N05CLG

ON

23+

160000

TO-252

原装正品，价优

深圳市裕硕科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1454677900 复制

点击这里给我发消息

QQ：1909637520 复制

电话：0755-23613962/82706142

联系人：雷小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711

NID9N05CLG

ON

2024+

9675

TO-252

优势现货，全新原装进口

深圳市宇创芯科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：867007660 复制

电话：0755-82799659/83220081/83223317

联系人：李

地址：福田区南光捷佳1727

NID9N05CLG

ON

24+

19800

TO-252

全新原装现货，量大从优，可开13%税票！

深圳市银芯龙科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1184826453 复制

电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

NID9N05CLG

ON

20+

6000

TO252

百分之百原装进口现货

深圳信泰电子器材有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1248156793 复制

点击这里给我发消息

QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658

联系人：廖先生

地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★

NID9N05CLG

ON

24+

160000

TO-252

100%原装正品，只做原装正品

深圳市春涛电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：996334048 复制

点击这里给我发消息

QQ：570120875 复制

电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

NID9N05CLG

ON

2425+

11280

DPAK-3

进口原装!优势现货!

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NID9N05CLG

VBSEMI

2443+

23000

TO-252

一级代理专营，原装现货，价格优势

查询更多NID9N05CLG供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！