【NID6002N首选设备自我保护FET与温电流限制65 V ， 6.5 A单N沟道， DPAKhtt】,IC型号NID6002N,NID6002N PDF资料,NID6002N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NID6002N

首选设备

自我保护FET

与温

电流限制

65 V ， 6.5 A单N沟道， DPAK

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HDPlus 设备是一种先进的系列功率MOSFET

它采用安森美半导体的最新的MOSFET技术

过程中实现尽可能低的导通电阻每硅片面积

同时融入了智能特性。集成热和电流

限制协同工作以提供短路保护。该器件

配备了集成漏极至栅极钳位，使他们能够

在雪崩模式中承受高能量。钳表还

提供了对突发电压的额外的安全边际

瞬变。静电放电（ ESD ）保护功能是通过提供

集成门极 - 源极钳位。

特点

DSS

（夹紧）

65 V

DS （ ON）

典型值

210毫瓦

典型值

（有限公司）

6.5 A

漏

过压

保护

PWR

门

输入

短路保护/电流限制

与自动重新启动热关断

DSS

指定高温

较高的雪崩能量

摆率控制的低噪声开关

过电压钳位保护

无铅包装是否可用

ESD保护

温度

极限

当前

极限

当前

SENSE

来源

记号

图

DPAK

CASE 369C

方式2

D6002N

=器件代码

=年

=工作周

=无铅器件

YYW

002NG

1 - 门

2 - 漏

3 =来源

订购信息

设备

NID6002NT4

NID6002NT4G

包

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年1月 - 第4版

出版订单号：

NID6002N/D

NID6002N

MOSFET的最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压内部钳位

栅极 - 源极电压

漏电流

总功耗

@ T

= 25 ° C（注1 ）

@ T

= 25 ° C（注2 ）

热阻

结到外壳

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

= 50伏，V

= 5.0伏，

= 1.3 APK ， L = 160 mH的，R

= 25

工作和存储温度范围

（注3）

连续

符号

DSS

1.3

2.5

° C / W

QJC

qJA

3.0

143

价值

"14

内部限制

单位

VDC

, T

英镑

-55到150

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

1.表面安装在最小焊盘尺寸（ 100平方米/毫米） FR4 PCB ， 1盎司立方米。

2.安装在1“方垫尺寸（ 700平方米/毫米） FR4 PCB ， 1盎司立方米。

3.正常故障前的工作范围。见热限制范围的条件。

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NID6002N

MOSFET电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极 - 源极钳位击穿电压

= 0 V，I

= 2 mA）的

零栅极电压漏极电流

= 52 V, V

= 0 V)

门输入电流

= 5.0 V, V

= 0 V)

基本特征

栅极阈值电压

= V

, I

= 150

毫安）

阈值温度系数

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

= 10 V，I

= 2.0 A，T

@ 25°C)

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

= 5.0 V，I

= 2.0 A，T

@ 25°C)

= 5.0 V，I

= 2.0 A，T

@ 150°C)

源极 - 漏极正向电压上

= 7.0 A，V

= 0 V)

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

上压摆率

压摆率关闭

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 10 ％V

到10％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 10 ％I

到90％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 90 ％V

到90％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 90 ％I

到10％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 70 ％50 ％V

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 50 ％70 ％V

（上）

上升

（关闭）

秋天

/ DT

关闭

103

246

742

707

120

285

850

780

V / ms的

GS （ TH）

1.0

DS （ ON）

0.9

1.1

210

445

240

520

185

210

1.85

5.0

2.4

-MV /°C的

（ BR ） DSS

DSS

GSS

200

100

符号

民

典型值

最大

单位

自我保护特性

= 25 ° C除非另有说明）（注5 ）

电流限制

= 10 V, V

= 5.0 V ，T

= 25 ° C（注6 ）

= 10 V, V

= 5.0 V ，T

= 130℃ （注6）

= 10 V, V

= 10 V ，T

= 25 ° C（注6 ）

= 5.0 V

= 10 V

= 0 V, V

= 5.0 V ，T

= T

＆ GT ;吨

（ FAULT）

= 0 V, V

= 10 V ，T

= T

＆ GT ;吨

（ FAULT）

LIM

4.0

150

5.5

6.4

5.5

7.9

180

5.2

200

温度限制（关断）

热滞

温度限制（关断）

热滞

在输入电流

热故障

LIM （关闭）

LIM （上）

LIM （关闭）

LIM （上）

G（故障）

°C

ESD电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

静电放电能力

人体模型（ HBM ）

机器模型（ MM ）

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

5.故障条件被视为超出部分的正常工作范围。

测量380 6.电流限制

后栅极脉冲。

ESD

8000

400

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典型性能曲线

= 25°C

漏电流（安培）

3.5 V

3.0 V

5.0

，漏极至源极电压（伏）

4.5 V

4.0 V

10 V

漏电流（安培）

= 100°C

= 25°C

= 55°C

，栅极至源极电压（伏）

= 55°C

= 25°C

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.27

0.26

0.25

0.24

0.23

0.22

0.21

0.20

0.19

0.18

3.0

5.0

7.0

9.0

= 2 A

= 25°C

0.23

图2.传输特性

= 25°C

0.22

= 5 V

0.21

0.20

0.19

= 10 V

0.18

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

，栅极至源极电压（伏）

漏电流（安培）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.8

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）（ W）

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0E+00

105

= 3.75 A

= 10 V

DSS

，漏电（ A）

1E03

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

8E04

6E04

= 100°C

4E04

2E04

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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典型性能曲线

，源电流（安培）

GSS

（MA ）

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

，源极到漏极电压（伏）

1.0

2000

6.5

7.5

8.5

9.5

10 10.5

，栅极至源极电压（伏）

8000

6000

4000

= 0 V

= 25°C

12000

10000

= 0 V

= 160°C

图7.二极管的正向电压与电流

图8.输入电流与栅极电压

漏电流（安培）

0E+0

当前

极限

温度

极限

= 10 V

= 5 V

1E3

2E3

3E3

4E3

5E3

6E3

7E3

时间（秒）

图9.短路反应*

在短路* （实际热循环反应依赖于设备

功率电平，热安装和环境温度条件下）

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