【NID5004N自我保护FET与温电流限制40 V ， 6.5 A单N沟道， DPAK自我保护FET】,IC型号NID5004NT4G,NID5004NT4G PDF资料,NID5004NT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NID5004N

自我保护FET

与温

电流限制

40 V ， 6.5 A单N沟道， DPAK

自我保护FET是一个系列功率MOSFET的采用哪

安森美半导体HDPlust技术。自保护

MOSFET集成保护功能，如集成的热

和电流限制。自保护的MOSFET包括一个集成

漏极至栅极钳位，提供过电压保护

瞬态和雪崩。设备从静电保护

放电（ESD ）通过利用集成的栅极 - 源极钳位。

特点

DSS

（夹紧）

40 V

http://onsemi.com

典型值

（有限公司）

6.5 A

漏

过压

保护

DS （ ON）

典型值

110毫瓦@ 10 V

短路保护

浪涌电流限制

与自动重新启动热关断

额定雪崩

过压保护

ESD保护（ 4kV的HBM ）

摆率控制的低噪声开关

AEC Q101标准

这是一个Pb - Free设备

门

输入

ESD保护

温度

极限

当前

极限

当前

SENSE

来源

应用

记号

图

DPAK

CASE 369C

方式2

D5004N =器件代码

=年

=工作周

=无铅器件

YYW

004NG

电磁驱动器

继电器驱动器

小马达

灯光

继电器更换

负载开关

1 - 门

2 - 漏

3 =来源

订购信息

设备

NID5004NT4G

包

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年4月，

第1版

出版订单号：

NID5004N/D

NID5004N

MOSFET的最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压内部钳位

栅极 - 源极电压

漏电流

总功耗

@ T

= 25 ° C（注1 ）

@ T

= 25 ° C（注2 ）

热阻

结到外壳

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

= 30伏直流电，V

= 5.0伏，

= 1.8 APK ， L = 160 mH的，R

= 25

（注3）

工作和存储温度范围（注4 ）

连续

符号

DSS

1.3

2.5

3.0

273

价值

"14

内部限制

单位

VDC

QJC

qJA

° C / W

, T

英镑

150

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.表面安装在最小焊盘尺寸（ 100平方米/毫米） FR4 PCB ， 1盎司立方米。

2.安装在1“方垫尺寸（ 700平方米/毫米） FR4 PCB ， 1盎司立方米。

3.不受生产测试

4.正常故障前的工作范围。见热限制范围的条件。

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NID5004N

MOSFET电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极 - 源极钳位击穿电压

= 0 V，I

= 2 mA）的

零栅极电压漏极电流

= 32 V, V

= 0 V)

门输入电流

= 5.0 V, V

= 0 V)

基本特征

栅极阈值电压

= V

, I

= 150

毫安）

阈值温度系数

静态漏 - 源极导通电阻（注5 ）

= 10 V，I

= 2.0 A，T

@ 25°C)

静态漏 - 源极导通电阻（注5 ）

= 5.0 V，I

= 2.0 A，T

@ 25°C)

= 5.0 V，I

= 2.0 A，T

@ 150°C)

源极 - 漏极正向电压上

= 7.0 A，V

= 0 V)

开关特性（注6 ）

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

上压摆率

压摆率关闭

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 10 ％V

到10％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 10 ％I

到90％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 90 ％V

到90％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 90 ％I

到10％我

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 70 ％50 ％V

= 6.6

= 0至10伏，

= 13.8 V，I

= 2.0 A ， 50 ％70 ％V

（上）

上升

（关闭）

秋天

/ DT

关闭

282

930

690

115

300

1020

750

V / ms的

GS （ TH）

1.0

1.85

5.0

110

130

240

0.9

2.2

130

150

270

1.1

-MV /°C的

（ BR ） DSS

DSS

GSS

100

200

符号

民

典型值

最大

单位

DS （ ON）

自我保护特性

= 25 ° C除非另有说明）（注7 ）

电流限制

= 10 V, V

= 5.0 V ，T

= 25 （注8 ）

= 10 V, V

= 5.0 V ，T

= 100℃ （注6,8）

= 10 V, V

= 10 V ，T

= 25℃ （注6,8）

= 5.0 V （注6 ）

= 5.0 V

= 10 V （注6 ）

= 10 V

= 0 V, V

= 5.0 V ，T

= T

＆ GT ;吨

（ FAULT）

（注6 ）

= 0 V, V

= 10 V ，T

= T

＆ GT ;吨

（ FAULT）

（注6 ）

LIM

4.0

150

5.5

6.5

5.5

7.9

180

5.2

200

温度限制（关断）

热滞

温度限制（关断）

热滞

在输入电流

热故障

LIM （关闭）

LIM （上）

LIM （关闭）

LIM （上）

G（故障）

°C

ESD电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

静电放电能力

人体模型（ HBM ）

机器模型（ MM ）（注6 ）

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

未经生产测试

故障条件被视为超出部分的正常工作范围。

测量380电流限制

后栅极脉冲。

ESD

4000

400

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NID5004N

典型性能曲线

漏电流（安培）

5.0

，漏极至源极电压（伏）

4.0 V

3.5 V

= 3.0 V

5.0 V

10 V

= 25°C

漏电流（安培）

= 25°C

= 100°C

55°C

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.10

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

，栅极至源极电压（伏）

0.15

图2.传输特性

= 2 A

= 25°C

0.14

0.13

0.12

0.11

0.10

2.0 2.2

2.4

2.6

2.8

3.0

3.2

3.4

3.6

3.8 4.0

漏电流（安培）

= 5 V

= 10 V

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.6

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（ W）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

= 3.75 A

= 10 V

，漏极至源极电压（伏）

1E03

图4.导通电阻与漏电流

= 100°C

8E04

6E04

4E04

2E04

0E+00

5.0

，结温（ ° C）

DSS

，漏电（ A）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NID5004N

典型性能曲线

12000

= 0 V

= 200°C

，源电流（安培）

= 0 V

= 25°C

10000

8000

GSS

（MA ）

6000

4000

2000

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

，源极到漏极电压（伏）

1.0

，栅极至源极电压（伏）

图7.二极管的正向电压与电流

图8.输入电流与栅极电压

漏电流（安培）

0E+0

当前

极限

温度

极限

= 10 V

= 5 V

1E3

2E3

3E3

4E3

5E3

6E3

7E3

时间（秒）

图9.短路反应*

在短路* （实际热循环反应依赖于设备

功率电平，热安装和环境温度条件下）

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