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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第193页 > NGTG50N60FWG
NGTG50N60FWG
IGBT
这种绝缘栅双极晶体管（ IGBT）具有强大的和
成本效益槽施工，并提供卓越的性能
在要求苛刻的应用程序的切换，同时提供低导通状态
电压和最小的开关损耗。
特点
http://onsemi.com
优化非常低V
CESAT
低开关损耗降低了系统功耗
5
ms
短路能力强
这些无铅器件
50 A， 600 V
V
CESAT
= 1.50 V
C
典型应用
太阳能逆变器
不间断电源Supples （ UPS ）
电机驱动
G
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，T
脉冲
限制T
JMAX
短路耐受时间
V
GE
= 15 V, V
CE
= 300 V,
T
J
≤
+150°C
极 - 发射极电压
短暂的门极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
工作结温
范围
存储温度范围
无铅焊接温度的， 1/8“
案件从5秒
符号
V
CES
I
C
价值
600
100
50
200
5
单位
V
A
E
I
CM
t
SC
A
G
ms
C
E
TO247
CASE 340L
方式4
V
GE
P
D
$20
$30
223
89
55
+150
55
+150
260
V
标记图
W
T
J
T
英镑
T
SLD
°C
°C
°C
G50N60F
AYWWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NGTG50N60FWG
包
航运
TO- 247 30单位/铁
（无铅）
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年12月，
第0版
1
出版订单号：
NGTG50N60FW/D
NGTG50N60FWG
热特性
等级
热阻结到外壳，用于IGBT
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
价值
0.56
40
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压，
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流，栅极
发射极短路
栅极漏电流，集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性，感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
*包括使用NGTB50N60FWG二极管的反向恢复损耗。
T
J
= 150°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 50 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V*
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 50 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V*
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
117
43
285
105
1.1
1.2
2.3
112
45
300
214
1.4
2.0
3.4
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 480 V，I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
7300
195
170
310
60
150
nC
pF
V
GE
=
0 V，I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A，T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 350
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J =
150°C
V
GE
= 20 V , V
CE
= 0 V
V
（ BR ） CES
V
CESAT
V
GE （日）
I
CES
I
GES
600
1.25
4.5
1.45
1.7
5.5
1.7
6.5
0.5
2
200
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTG50N60FWG
典型特征
250
I
C
，集电极电流（ A）
200
11 V
150
100
50
7V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
10 V
T
J
= 25°C
250
I
C
，集电极电流（ A）
V
GE
= 17 V至13 V
T
J
= 150°C
200
150
100
50
0
11 V
10 V
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
= 17 V至13 V
9V
8V
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图1.输出特性
250
I
C
，集电极电流（ A）
V
GE
= 17 V至13 V
200
150
100
50
0
10 V
200
I
C
，集电极电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
图2.输出特性
T
J
=
40°C
11 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
9V
7 V至8 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
4
8
12
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
图3.输出特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
75
25
25
75
125
175
10
0
I
C
= 100 A
电容（pF）
1000
10000
图4.典型的传输特性
C
IES
I
C
= 50 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
100
C
OES
C
水库
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
，结温（ ° C）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5. V
CE （ SAT ）
与T
J
图6.典型电容
http://onsemi.com
3
NGTG50N60FWG
典型特征
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
15
V
CE
= 480 V
10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
350
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图7.典型栅极电荷
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
E
on
1000
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
E
关闭
100
t
D（上）
t
f
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
RG = 10
W
0
20
40
60
80
100
120
140 160
T
J
，结温（ ° C）
开关损耗（兆焦耳）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
RG = 10
W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1
T
J
，结温（ ° C）
图8.开关损耗与温度的关系
4.5
4
开关损耗（兆焦耳）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
8
20
32
44
56
68
80
92
104
1
8
1000
图9.开关时间与温度的关系
切换时间（纳秒）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
E
关闭
E
on
t
f
t
D（关闭）
100
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
20
32
44
56
68
80
92
104
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图10.开关损耗与我
C
图11.开关时间与我
C
http://onsemi.com
4
NGTG50N60FWG
典型特征
7
6
开关损耗（兆焦耳）
5
4
3
2
1
0
5
15
25
35
45
55
65
75
85
1
5
15
25
35
45
55
E
关闭
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
T
J
= 150°C
10,000
切换时间（纳秒）
E
on
1000
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
100
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
T
J
= 150°C
65
75
85
RG ，栅极电阻（ W）
RG ，栅极电阻（ W）
图12.开关损耗与RG
3
2.4
1.8
1.2
0.6
0
175
1000
图13.开关时间与RG
开关损耗（兆焦耳）
切换时间（纳秒）
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
RG = 10
W
T
J
= 150°C
t
D（关闭）
E
关闭
E
on
t
f
100
t
D（上）
t
r
10
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
RG = 10
W
T
J
= 150°C
225
275
325
375
425
475
525
575
225
275
325
375
425
475
525
575
1
175
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图14.开关损耗与V
CE
1000
I
C
，集电极电流（ A）
100
ms
100
1毫秒
10
1
0.1
0.01
直流操作
50
ms
1000
I
C
，集电极电流（ A）
图15.开关时间与V
CE
100
单非重复性
脉冲吨
C
= 25°C
曲线必须降低
线性增长
温度
1
10
100
1000
10
V
GE
= 15 V ，T
C
= 125°C
1
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图16.安全工作区
图17.反向偏置安全工作区
http://onsemi.com
5
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推荐型号
NE851M13
NAWE471M10V8X10.5LBF
NB2309AC1HDG
NAND04GW4B4DZL1F
NX8567SAS433-CC
NAND256W3A0CZB1T
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NPC680M4D6XTRF
NAND256W4A0CN1T
NRC255K50
NJM2744
NM24W16ULZVN
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NF-PA-JJ
NTH08NC3
NCP502SQ28T2G
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