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NGTB30N60FLWG
IGBT
这种绝缘栅双极晶体管（ IGBT）具有强大的和
成本效益槽施工，并提供卓越的性能
在要求苛刻的应用程序的切换，同时提供低导通状态
电压和最小的开关损耗。
特点
http://onsemi.com
低饱和电压使用带有沟槽场截止技术
低开关损耗降低了系统功耗
快速软反向恢复二极管
优化的高速开关
5
ms
短路能力强
这些无铅器件
30 A， 600 V
V
CESAT
= 1.65 V
C
典型应用
太阳能逆变器
不间断电源（ UPS ）
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，T
脉冲
限制T
JMAX
二极管的正向电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
二极管脉冲电流
T
脉冲
限制T
JMAX
短路耐受时间
V
GE
= 15 V, V
CE
= 300 V,
T
J
≤
+150°C
极 - 发射极电压
短暂的门极电压
(t
p
= 5
女士，
< 0.010 ）
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
工作结温
范围
存储温度范围
无铅焊接温度的， 1/8“
案件从5秒
符号
V
CES
I
C
价值
600
60
30
120
单位
V
A
G
A
A
C
E
G
E
I
CM
I
F
TO247
CASE 340L
方式4
60
30
120
5
标记图
A
ms
30N60FL
AYWWG
I
FM
t
SC
V
GE
$20
$30
V
P
D
167
67
55
+150
55
+150
260
W
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
J
T
英镑
T
SLD
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NGTB30N60FLWG
包
TO247
（无铅）
航运
30单位/铁
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年12月，
第0版
1
出版订单号：
NGTB30N60FLW/D
NGTB30N60FLWG
热特性
等级
热阻结到外壳，用于IGBT
热阻结到外壳，用于二极管
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
QJC
R
qJA
价值
0.75
1.06
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压，
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流，栅极
发射极短路
栅极漏电流，集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性，感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
T
J
= 150°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
83
31
170
80
0.7
0.28
0.98
81
32
180
110
0.82
0.63
1.45
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 480 V，I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
4200
170
110
170
34
83
nC
pF
V
GE
=
0 V，I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V，I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 30 A，T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 200
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J
= 150°C
V
GE
= 20 V , V
CE
= 0 V
V
（ BR ） CES
V
CESAT
V
GE （日）
I
CES
I
GES
600
1.4
4.5
1.65
2.0
5.5
1.9
6.5
0.2
2
100
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTB30N60FLWG
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
二极管特性
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
V
GE
= 0 V，I
F
= 30 A
V
GE
= 0 V，I
F
= 30 A，T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
I
F
= 30 A，V
R
= 200 V
di
F
/ DT = 200 A / MS
V
F
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.45
1.9
2.0
72
0.25
6
2.35
V
ns
mC
A
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NGTB30N60FLWG
典型特征
200
I
C
，集电极电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
7V
6
7
10 V
9V
8V
8
11 V
T
J
= 25°C
180
I
C
，集电极电流（ A）
V
GE
= 17 V至13 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
10 V
9V
8V
7V
7
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
11 V
T
J
= 150°C
V
GE
= 17 V至13 V
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图1.输出特性
180
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
7 V至8 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
9V
10 V
11 V
160
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
=
55°C
140
120
100
80
60
40
20
0
0
图2.输出特性
V
GE
= 17 V至13 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
4
8
12
16
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
图3.输出特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
3.0
I
C
= 60 A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
75
25
25
75
125
175
10
0
电容（pF）
I
C
= 30 A
I
C
= 15 A
I
C
= 5 A
1000
10,000
图4.典型的传输特性
C
IES
100
C
OES
C
水库
20
40
60
80
100
T
J
，结温（ ° C）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5. V
CE （ SAT ）
与T
J
图6.典型电容
http://onsemi.com
4
NGTB30N60FLWG
典型特征
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
70
I
F
，正向电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
20
15
V
CE
= 480 V
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
F
，正向电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图7.二极管的正向特性
0.9
0.8
开关损耗（兆焦耳）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
120
140
160
E
on
E
关闭
切换时间（纳秒）
100
t
r
10
1000
图8.典型栅极电荷
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
1
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
0
20
40
60
80
100
120
140 160
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图9.开关损耗与温度的关系
2
1.8
开关损耗（兆焦耳）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
8
16
24
32
40
48
56
64
1
8
E
关闭
1000
图10.开关时间与温度的关系
切换时间（纳秒）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
E
on
t
D（关闭）
100
t
f
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
16
24
32
40
48
56
64
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.开关损耗与我
C
图12.开关时间与我
C
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NSL5540
NM24C17UFTEN
NHD-0116AZ-FL-GBW
NSL-5540
NZ9F3V6ST5G
NJG1143UA2
NRS475K20
NTE939
NTE2084
NL453232T-2R7J-PF
NP100P06PLG-E2-AY
NAND128R3A2CZB6T
NPR33M50
NTD20N06-1G
NRN9S104JTG
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    NGTB30N60FLWG
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联系人：朱经理、张小姐
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onsemi
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