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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第410页 > NGTB30N120IHLWG
NGTB30N120IHLWG
IGBT
这种绝缘栅双极晶体管( IGBT)具有强大的和
成本效益的场截止( FS )成槽施工,并提供
卓越的性能要求苛刻的开关应用,提供
两个低通态电压和最小的开关损耗。 IGBT的是
非常适用于谐振或软开关应用。合并
入设备是具有一个坚固的共同封装的回流二极管
低正向电压。
特点
http://onsemi.com
低饱和电压使用带有沟槽场截止技术
低开关损耗降低了系统功耗
优化的电磁炉应用低外壳温度
低栅电荷
这些无铅器件
30 A, 1200 V
V
CESAT
= 1.75 V
E
关闭
= 1.0兆焦耳
C
典型应用
感应加热
消费类电子产品
软开关
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,T
脉冲
限制T
JMAX
二极管的正向电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,T
脉冲
有限
经t
JMAX
极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
工作结温
范围
存储温度范围
无铅焊接温度的, 1/8“
案件从5秒
符号
V
CES
I
C
价值
1200
60
30
320
单位
V
A
G
C
E
G
E
TO247
CASE 340L
方式4
I
CM
I
F
A
A
标记图
60
30
320
$20
260
104
55
+150
55
+150
260
I
FM
V
GE
P
D
A
V
W
30N120IHL
AYWWG
T
J
T
英镑
T
SLD
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NGTB30N120IHLWG
航运
TO- 247 30单位/铁
(无铅)
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号:
NGTB30N120IHL/D
NGTB30N120IHLWG
热特性
等级
热阻结到外壳,用于IGBT
热阻结到外壳,用于二极管
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
QJC
R
qJA
价值
0.48
1.5
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压,
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流,栅极
发射极短路
栅极漏电流,集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性,感性负载
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
二极管特性
正向电压
V
GE
= 0 V,I
F
= 30 A
V
GE
= 0 V,I
F
= 30 A,T
J
= 150°C
V
F
1.5
1.7
1.7
V
T
J
= 25°C
V
CC
= 600 V,I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15V
T
J
= 125°C
V
CC
= 600 V,I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15V
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
360
150
1.0
380
216
2.0
mJ
mJ
ns
ns
V
CE
= 600 V,I
C
= 30 A,V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
10,400
245
185
420
94
178
nC
pF
V
GE
=
0 V,I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V,I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V,I
C
= 30 A,T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 250
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ,T
J =
150°C
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0 V
V
( BR ) CES
V
CESAT
V
GE (日)
I
CES
I
GES
1200
4.5
1.75
2.1
5.5
2.2
6.5
0.5
2.0
200
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTB30N120IHLWG
典型特征
140
I
C
,集电极电流( A)
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
8V
7V
5
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
9V
T
J
= 25°C
V
GE
= 20 11 V
I
C
,集电极电流( A)
10 V
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
8V
7V
5
T
J
= 150°C
V
GE
= 15到20V
15 V
11 V
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.输出特性
160
I
C
,集电极电流( A)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
8V
4
5
9V
7V
10 V
T
J
=
40°C
160
I
C
,集电极电流( A)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
图2.输出特性
V
GE
= 20 11 V
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
2
4
6
8
10
12
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
图3.输出特性
100,000
C
IES
I
F
,正向电流( A)
120
100
图4.典型的传输特性
电容(pF)
10,000
T
J
= 25°C
80
60
40
20
0
T
J
= 150°C
1000
C
OES
100
C
水库
10
0
10
20
30
40
50
60
70
90
90
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
F
,正向电压( V)
图5.典型电容
图6.二极管的正向特性
http://onsemi.com
3
NGTB30N120IHLWG
典型特征
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
16
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
V
CE
= 600 V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
12
8
4
0
0
50
100
150
200
250
300
350 400
450
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
,栅极电荷( NC)
T
J
,结温( ° C)
图7.典型栅极电荷
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
1000
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
18
图8.能量损失与温度的关系
100
t
f
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
10
1
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
22
26
30
34
38
42 46
50
54
58 62
T
J
,结温( ° C)
I
C
,集电极电流( A)
图9.开关时间与温度的关系
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
1000
t
f
切换时间(纳秒)
t
D(关闭)
100
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
5
15
图10.能量损失与我
C
10
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 10
W
18
22
26
30
34
38
42 46
50
54
58 62
1
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
T
J
= 150°C
25
35
45
55
65
75
85
I
C
,集电极电流( A)
RG ,栅极电阻( W)
图11.开关时间与我
C
图12.能量损失与RG
http://onsemi.com
4
NGTB30N120IHLWG
典型特征
10000
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
1000
t
f
100
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
T
J
= 150°C
5
15
25
35
45
55
65
75
85
E
关闭
,关断开关损耗
(兆焦耳)
3.5
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
1
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
T
J
= 150°C
375 425
475
525
575
625
675
725 775
RG ,栅极电阻( W)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图13.开关时间与RG
1000
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
t
f
1000
I
C
,集电极电流( A)
100
图14.能量损失与V
CE
50
ms
1毫秒
100
ms
100
10
1
0.1
0.01
直流操作
10
1
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
RG = 10
W
T
J
= 150°C
375 425
475
525
575
625
675
725
775
单非重复性
脉冲吨
C
= 25°C
曲线必须降低
线性增长
温度
1
10
100
1000
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图15.开关时间与V
CE
1000
I
C
,集电极电流( A)
图16.安全工作区
100
10
1
V
GE
= 15 V ,T
C
= 125°C
1
10
100
1000
10,000
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图17.反向偏置安全工作区
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NGTB30N120IHLWG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
NGTB30N120IHLWG
ON原厂
24+
10
TO247
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NGTB30N120IHLWG
onsemi
24+
10000
TO-247-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NGTB30N120IHLWG
ON/安森美
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NGTB30N120IHLWG
ON原厂
24+
27200
TO247
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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ON原厂
21+22+
12600
TO247
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
NGTB30N120IHLWG
原厂
22+
18260
SMD
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NGTB30N120IHLWG
ON原厂
2024+
9675
TO247
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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24+
22000
TO-247
原装正品假一赔百!
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电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
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PTIF
24+
30000
9999999999
绝对全新原装/自己库存现货
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
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23+
10
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