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首字符N的型号第370页
> NGTB15N60S1EG
NGTB15N60S1EG
IGBT - 短路额定
这种绝缘栅双极晶体管( IGBT)具有强大的和
成本有效的非穿通(NPT )沟道结构,并
提供卓越的性能要求苛刻的开关应用。
同时提供低导通电压和最小的开关损耗,在
IGBT的非常适合的电动机驱动控制及其它硬开关
应用程序。掺入设备是一种坚固的共同封装
反向恢复的二极管具有低正向电压。
特点
http://onsemi.com
饱和电压低导致低传导损耗
低开关损耗较高频率的应用
快速软反向恢复二极管
5
ms
短路能力
优良的电流与封装尺寸性能密度
这是一个Pb - Free设备
15 A, 600 V
V
CESAT
= 1.5 V
C
G
E
典型应用
白色家电家电电机控制
通用变频器
AC和DC电机控制
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,T
脉冲
受
T
JMAX
二极管的正向电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,T
脉冲
受
T
JMAX
极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
短路承受时间
V
GE
= 15 V, V
CE
= 400 V ,T
J
v
+150°C
工作结温范围
存储温度范围
从无铅焊接温度的, 1/8“
情况下持续5秒
符号
V
CES
I
C
价值
600
30
15
120
单位
V
A
G
A
A
C
E
C
TO220
CASE 221A
方式4
I
CM
I
F
标记图
30
15
120
$20
117
47
5
55
to
+150
55
to
+150
260
I
FM
V
GE
P
D
A
V
W
15N60S1G
AYWW
t
SC
T
J
T
英镑
T
SLD
ms
°C
°C
°C
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NGTB15N60S1EG
包
TO220
(无铅)
航运
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年8月
第2版
1
出版订单号:
NGTB15N60S1E/D
NGTB15N60S1EG
热特性
等级
热阻结到外壳,用于IGBT
热阻结到外壳,用于二极管
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
QJC
R
qJA
价值
1.06
3.76
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压,
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流,栅极 - 发射极
短路
栅极漏电流,集电极 - 发射极
短路
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性,感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
二极管特性
正向电压
V
GE
= 0 V,I
F
= 15 A
V
GE
= 0 V,I
F
= 15 A,T
J
= 150°C
V
F
1.65
1.75
1.85
V
T
J
=
150°C
V
CC
= 400 V,I
C
= 15 A
R
g
= 22
W
V
GE
= 0 V / 15 V
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V,I
C
= 15 A
R
g
= 22
W
V
GE
= 0 V / 15 V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
65
28
170
140
0.550
0.350
0.900
65
28
180
260
0.650
0.600
1.250
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 480 V,I
C
= 15 A,V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
1950
70
42
88
16
42
nC
pF
V
GE
= 0 V,I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V,I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V,I
C
= 15 A,T
J
= 150°C
V
GE
=
V
CE
, I
C
= 250
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ,T
J
= 150°C
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0 V
V
CE
= 20 V,I
C
= 15 A
V
( BR ) CES
V
CESAT
V
GE (日)
I
CES
I
GES
g
fs
600
1.3
1.55
4.5
1.5
1.75
5.5
10
10.1
1.7
1.95
6.5
200
100
V
V
V
mA
nA
S
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTB15N60S1EG
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
二极管特性
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
T
J
= 25°C
I
F
= 15 A,V
R
= 200 V
di
F
/ DT = 200 A / μs的
T
J
=
125°C
I
F
= 15 A,
V
R
= 200 V
di
F
/ DT = 200 A / μs的
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
270
350
5
350
1000
7.5
ns
nc
A
ns
nc
A
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NGTB15N60S1EG
典型特征
60
I
C
,集电极电流( A)
50
40
30
20
10
0
V
GE
= 7 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
60
V
GE
= 11 V
I
C
,集电极电流( A)
T
J
= 150°C
50
V
GE
= 11 V
40
30
20
10
V
GE
= 7 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
= 9 V
V
GE
= 17 V至13 V
T
J
= 25°C
V
GE
= 17 V至13 V
V
GE
= 9 V
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.输出特性
70
I
C
,集电极电流( A)
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 9 V
V
GE
= 7 V
6
7
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
I
C
,集电极电流( A)
V
GE
= 17 V至13 V
V
GE
= 11 V
T
J
=
40°C
60
图2.输出特性
T
J
= 25°C
50
40
30
20
10
0
40°C
150°C
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
图3.输出特性
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
10
I
C
= 30 A
电容(pF)
1000
10,000
图4.典型的传输特性
C
IES
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
100
C
OES
C
水库
20
10
40
70
100
130
160
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
,结温( ° C)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5. V
CE ( SAT )
与T
J
图6.典型电容
http://onsemi.com
4
NGTB15N60S1EG
典型特征
35
I
F
,正向电流( A)
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
V
F
,正向电压( V)
2
2.5
T
J
= 25°C
40°C
150°C
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
20
15
V
CES
= 480 V
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
Q
G
,栅极电荷( NC)
图7.二极管的正向特性
图8.典型栅极电荷
0.7
0.6
开关损耗(兆焦耳)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 22
W
120
140
160
EOFF
宙
1000
t
f
切换时间(纳秒)
100
t
D(关闭)
t
D(上)
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 22
W
0
20
40
60
80
100
120
140 160
T
J
,结温( ° C)
1
T
J
,结温( ° C)
图9.开关损耗与温度的关系
1.4
1.2
开关损耗(兆焦耳)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
8
12
16
20
24
28
32
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 22
W
宙
图10.开关时间与温度的关系
1000
t
f
切换时间(纳秒)
t
D(关闭)
t
D(上)
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 22
W
8
12
16
20
24
28
32
EOFF
100
1
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图11.开关损耗与我
C
图12.开关时间与我
C
http://onsemi.com
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NGTB15N60S1EG
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NAND16GW3C4AN1F
NPE-6034
NAND01GR4A2AV6F
NZ48F3L0BBZ
NTE4077B
NCP03XM332E05RL
NC7S32_03
NM24C17ULZM8
N504100C1EN1S
NLE-LR22M2510X12.5F
NTE16004-ECG
NTMS4705NR2G
NWD1205
NB100LVEP222FAR2
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-
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-
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NGTB15N60S1EG
-
-
-
-
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QQ:1584878981
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ON
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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