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NGTB15N120LWG
IGBT
这种绝缘栅双极晶体管( IGBT)具有强大的和
成本效益的场截止( FS )成槽施工,并提供
卓越的性能要求苛刻的开关应用,提供
两个低通态电压和最小的开关损耗。 IGBT的是
非常适用于谐振或软开关应用。合并
入设备是具有一个坚固的共同封装的回流二极管
低正向电压。
特点
http://onsemi.com
低饱和电压使用海沟与场终止技术
低开关损耗降低了系统功耗
低栅电荷
5
ms
短路能力强
这些无铅器件
逆变焊机
微波炉
工业开关
电机控制逆变器
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,T
脉冲
限制T
JMAX
二极管的正向电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,T
脉冲
有限
经t
JMAX
极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
短路耐受时间
V
GE
= 15 V, V
CE
= 600 V ,T
J
150°C
工作结温
范围
存储温度范围
无铅焊接温度的, 1/8“
案件从5秒
符号
V
CES
I
C
价值
1200
30
15
120
单位
V
A
G
15 A, 1200 V
V
CESAT
= 1.8 V
E
关闭
= 0.56毫焦耳
C
典型应用
G
E
C
E
TO247
CASE 340L
方式4
I
CM
I
F
A
A
标记图
30
15
100
$20
156
62.5
5
55
+150
55
+150
260
I
FM
V
GE
P
D
A
V
W
15N120L
AYWWG
T
sc
T
J
T
英镑
T
SLD
ms
°C
°C
°C
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NGTB15N120LWG
航运
TO- 247 30单位/铁
(无铅)
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年8月
第2版
1
出版订单号:
NGTB15N120L/D
NGTB15N120LWG
热特性
等级
热阻结到外壳,用于IGBT
热阻结到外壳,用于二极管
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
QJC
R
qJA
价值
0.8
1.5
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压,
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流,栅极
发射极短路
栅极漏电流,集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性,感性负载
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
二极管特性
正向电压
V
GE
= 0 V,I
F
= 15 A
V
GE
= 0 V,I
F
= 15 A,T
J
= 150°C
V
F
1.4
1.5
1.6
V
T
J
= 125°C
V
CC
= 600 V,I
C
= 15 A
R
g
= 15
W
V
GE
= 0 V/ 15V
T
J
= 25°C
V
CC
= 600 V,I
C
= 15 A
R
g
= 15
W
V
GE
= 0 V/ 15V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
72
19
165
200
2.1
0.56
70
21
175
260
2.7
1.0
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 600 V,I
C
= 15 A,V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
3600
88
63
160
30
73
nC
pF
V
GE
=
0 V,I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V,I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V,I
C
= 15 A,T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 150
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ,T
J =
150°C
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0 V
V
( BR ) CES
V
CESAT
V
GE (日)
I
CES
I
GES
1200
4.5
1.8
2.0
5.5
2.2
6.5
0.5
2.0
100
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTB15N120LWG
典型特征
70
I
C
,集电极电流( A)
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
8V
7V
7
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
9V
V
GE
= 17 11 V
10 V
T
J
= 25°C
60
I
C
,集电极电流( A)
V
GE
= 17 11 V
50
40
9V
30
20
10
0
10 V
T
J
= 150°C
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.输出特性
70
I
C
,集电极电流( A)
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
9V
7V
7
8
V
GE
= 17 11 V
10 V
60
I
C
,集电极电流( A)
50
40
图2.输出特性
T
J
=
40°C
T
J
= 150°C
30
20
10
0
T
J
= 25°C
8V
0
5
10
15
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
图3.输出特性
10,000
C
IES
I
F
,正向电流( A)
C,电容(pF )
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
图4.典型的传输特性
1000
100
C
OES
C
水库
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
F
,正向电压( V)
图5.典型电容
图6.二极管的正向特性
http://onsemi.com
3
NGTB15N120LWG
典型特征
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
200 V
400 V
600 V
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
E
关闭
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 15
W
E
on
Q
G
,栅极电荷( NC)
温度(℃)
图7.典型栅极电荷
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
1000
t
f
切换时间(纳秒)
100
t
D(上)
t
r
10
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 15
W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
温度(℃)
t
D(关闭)
6
5
4
3
2
1
0
图8.能量损失与温度的关系
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 15
W
E
on
E
关闭
1
8
10 12
14
16 18
20
22 24
26
28
30 32
I
C
,收集器( A)
图9.开关时间与温度的关系
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
1000
t
f
切换时间(纳秒)
100
t
D(上)
t
D(关闭)
t
r
10
6
5
4
3
2
1
0
图10.能量损失与我
C
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
T
J
= 150°C
1
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
RG = 15
W
8
10 12
14
16
18
20
22
24 26
28
30
32
5
15
25
35
45
55
65
75
85
I
C
,收集器( A)
RG ,栅极电阻( W)
图11.开关时间与我
C
图12.能量损失与RG
http://onsemi.com
4
NGTB15N120LWG
典型特征
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
E
关闭
,关断开关损耗(兆焦耳)
1000
t
f
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
375 425
475
525
575
625
675
725 775
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 15
W
T
J
= 150°C
100
t
D(上)
t
r
10
1
V
CE
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
T
J
= 150°C
5
15
25
35
45
55
65
75
85
RG ,栅极电阻( W)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图13.开关时间与RG
1000
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
t
f
100
t
D(上)
t
r
10
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
RG = 15
W
T
J
= 150°C
375 425
475
525
575
625
675
725
775
1000
I
C
,集电极电流( A)
图14.能量损失与V
CE
100
ms
100
10
1
0.1
0.01
1毫秒
直流操作
50
ms
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25°C
曲线必须降低
线性增长
温度
1
10
100
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图15.开关时间与V
CE
1000
I
C
,集电极电流( A)
100
10
1
0.1
0.01
图16.安全工作区
V
GE
= 15 V ,T
C
= 125°C
1
10
100
1000
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图17.反向偏置安全工作区
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NGTB15N120LWG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
NGTB15N120LWG
ON
24+
14
TO-247
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1046649961 复制 点击这里给我发消息 QQ:865326994 复制 点击这里给我发消息 QQ:920682673 复制
电话:0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人:李先生
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
NGTB15N120LWG
ON
1252
180
原装
优势库存,实单来谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NGTB15N120LWG
ON
2025+
26820
TO-247-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NGTB15N120LWG
onsemi
24+
10000
TO-247-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NGTB15N120LWG
ON/安森美
2443+
23000
TO247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NGTB15N120LWG
ON/安森美
24+
9634
TO247
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NGTB15N120LWG
ON
21+22+
62710
TO-247
原装正品
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NGTB15N120LWG
ON
2024+
9675
TO-247
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NGTB15N120LWG
ON Semiconductor
24+
22000
065¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
NGTB15N120LWG
ON/安森美
22+
12245
TO-247
现货,原厂原装假一罚十!
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