【NGD8205N点火IGBT20安培， 350伏特， N沟道DPAK这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（】,IC型号NGD8205NT4G,NGD8205NT4G PDF资料,NGD8205NT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NGD8205N

点火IGBT

20安培， 350伏特， N沟道DPAK

这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能

单片电路集成ESD和过压钳位

保护的感应线圈驱动器应用。主要用途

包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和

高电流开关是必需的。

特点

http://onsemi.com

理想的线圈上，即插即用，无需驱动程序盘管的应用

DPAK封装提供更小的占位面积增加了电路板空间

栅极 - 射极ESD保护

温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制

施加的应力加载

集成ESD保护二极管

低阈值电压，用于连接电源负载，以逻辑或

微处理器设备

低饱和电压

高脉冲电流能力

可选的栅极电阻（R

G

）和栅极 - 发射极电阻（R

GE

)

无铅包装是否可用

20 A， 350 V

V

CE （ON）的

= 1.3 V @

I

C

= 10 A，V

GE

.

4.5 V

C

G

R

G

R

GE

E

应用

1

DPAK

CASE 369C

风格7

点火系统

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

极 - 发射极电压

集电极电流连续

@ T

C

= 25°C

脉冲

连续栅极电流

瞬态栅电流（ t≤2毫秒， f≤100赫兹）

ESD（带电器件模型）

ESD（人体模型）

R = 1500

W,

C = 100 pF的

ESD（机器模型）， R = 0

W,

C = 200 pF的

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作&存储温度范围

符号

V

CES

V

CER

V

GE

I

C

I

G

I

G

ESD

P

D

T

J

, T

英镑

价值

390

"15

20

50

1.0

20

2.0

8.0

500

125

0.83

55

到+175

单位

V

A

DC

A

AC

mA

kV

V

W

W / ℃，

°C

Y

WW

NGD8205N

G

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

1

G

C

E

YWW

NGD

8205NG

C

标记图

订购信息

设备

NGD8205NT4

NGD8205NT4G

包

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

NGD8205N/D

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年8月，

启示录7

1

NGD8205N

松开集电极到发射极雪崩特性

(55°

≤

T

J

≤

175°C)

特征

单脉冲集电极 - 发射极雪崩能量

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 16.7 A，R

G

= 1000

W,

L = 1.8 mH为起始物为

J

= 25°C

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 14.9 A，R

G

= 1000

W,

L = 1.8 mH为起始物为

J

= 150°C

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 14.1 A，R

G

= 1000

W,

L = 1.8 mH为起始物为

J

= 175°C

反向雪崩能量

V

CC

= 100 V, V

GE

= 20 V ，PK我

L

= 25.8 A，L = 6.0 mH为起始物为

J

= 25°C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境（注1 ）

最大焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒（注2 ）

1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

2.有关详细信息，请参阅焊接与安装技术参考手册： SOLDERRM / D 。

R

QJC

R

qJA

T

L

1.2

95

275

° C / W

°C

符号

E

AS

价值

250

200

180

2000

单位

mJ

E

的AS （R） -

mJ

电气特性

特征

开关特性

集电极 - 发射极电压钳位

BV

CES

I

CES

I

C

= 2.0毫安

I

C

= 10毫安

零栅极电压集电极电流

V

GE

= 0 V,

V

CE

= 15 V

V

CE

= 175 V,

V

GE

= 0 V

反向集电极 - 发射极电压钳位

B

VCES （R）的

I

C

=

75

mA

反向集电极 - 发射极漏电流

I

CES （R ）

V

CE

=

24

V

栅极 - 射极电压钳位

栅极 - 射极漏泄电流

栅极电阻（可选）

栅极 - 射极电阻

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压

V

GE （日）

I

C

= 1.0毫安，

V

GE

= V

CE

阈值温度系数

（负向）

*在整个温度范围的最大特征值。

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

1.5

0.7

1.7

3.8

1.8

1.0

2.0

4.6

2.1

1.3

2.3*

6.0

毫伏/°C的

V

BV

GES

I

GES

R

G

R

GE

I

G

=

"5.0

mA

V

GE

=

"5.0

V

T

J

=

40°C

至175℃

T

J

=

40°C

至175℃

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

=

40°C

至175℃

T

J

=

40°C

至175℃

T

J

=

40°C

至175℃

T

J

=

40°C

至175℃

14.25

0.5

1.0

0.4

30

35

30

0.05

1.0

0.005

12

200

325

340

350

365

0.1

1.5

25

0.8

35

39

33

0.25

12.5

0.03

12.5

300

70

16

25

375

390

1.0

10

100*

5.0

39

45*

37

0.5

25*

0.25

14

350*

V

mA

W

kW

mA

V

mA

V

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NGD8205N

电气特性

特征

基本特征

（注4 ）

集电极 - 发射极导通电压

V

CE （ON）的

I

C

= 6.5 A,

V

GE

= 3.7 V

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

I

C

= 9.0 A,

V

GE

= 3.9 V

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

I

C

= 7.5 A,

V

GE

= 4.5 V

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

I

C

= 10 A,

V

GE

= 4.5 V

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

I

C

= 15 A,

V

GE

= 4.5 V

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

I

C

= 20 A,

V

GE

= 4.5 V

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

关断延迟时间（电阻）

t

D（关闭）

t

f

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

V

CC

= 14 V，I

C

= 9.0 A

R

G

= 1.0千瓦，R

L

= 1.5

W,

V

GE

= 5.0 V

V

CC

= 300 V，I

C

= 9.0 A

R

G

= 1.0千瓦，

L = 300

mH的，

V

GE

= 5.0 V

V

CC

= 300 V，I

C

= 9.0 A

R

G

= 1.0千瓦，R

L

= 33

W,

V

GE

= 5.0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

关断延迟时间（感性）

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

导通延迟时间

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

*在整个温度范围的最大特征值。

4.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.0

4.0

8.0

3.0

5.0

1.5

5.0

1.0

4.0

3.0

8.0

6.0

10.5

5.0

7.0

3.0

7.0

1.5

6.0

5.0

10

8.0

14

7.0

9.0

4.5

10

2.0

8.0

7.0

毫秒

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

F = 10 kHz时， V

CE

= 25 V

T

J

= 25°C

1100

70

18

1300

80

20

1500

90

22

pF

政府飞行服务队

I

C

= 6.0 A,

V

CE

= 5.0 V

T

J

= 175°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

0.95

0.7

1.0

0.95

0.8

1.1

0.85

0.7

1.0

0.8

1.1

1.15

1.0

1.25

1.3

1.2

1.4

10

1.15

0.95

1.3

1.25

1.05

1.4

1.15

0.95

1.3

1.05

1.4

1.45

1.3

1.55

1.6

1.5

1.75

18

1.35

1.15

1.40

1.45

1.25

1.5

1.4

1.2

1.6*

1.6

1.4

1.7*

1.7

1.55

1.8*

1.9

1.8

2.0*

25

姆欧

V

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

下降时间（电阻）

下降时间（感性）

上升时间

http://onsemi.com

3

NGD8205N

典型电气特性

400

I

A

，雪崩电流（ A）

350

SCIS能量（mJ ）

300

250

200

150

100

50

0

2

4

6

V

CC

= 14 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

8

10

电感（MH ）

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

30

25

20

15

10

5

0

50

L = 1.8 mH的

L = 3.0 mH的

V

CC

= 14 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

L = 10毫亨

25

0

25

50

75

100

125

150 175

T

J

，结温（ ° C）

图1.自钳位电感开关

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

2.0

I

C,

集电极电流（ A）

1.75

1.5

1.25

1.0

0.75

0.5

0.25

0.0

50

V

GE

= 4.5 V

25

0

25

50

75

100

125

150

175

I

C

= 25 A

I

C

= 20 A

I

C

= 15 A

I

C

= 10 A

I

C

= 7.5 A

60

50

40

30

20

10

0

图2.打开二次雪崩电流

与温度的关系

V

GE

= 10 V

5V

T

J

= 175°C

3.5 V

3V

2.5 V

4.5 V

4V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

T

J

，结温（ ° C）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图3.集电极 - 发射极电压 -

结温

60

I

C,

集电极电流（ A）

50

40

T

J

= 25°C

30

20

10

0

3V

3.5 V

I

C,

集电极电流（ A）

V

GE

= 10 V

5V

4.5 V

4V

60

图4.集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

V

GE

= 10 V

50

5V

40

T

J

=

40°C

30

20

4.5 V

4V

3.5 V

3V

10

0

2.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

2.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图5.集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

图6.集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

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4

NGD8205N

典型电气特性

集电极到发射极漏

电流（mA ）

45

I

C

，集电极电流（ A）

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0.5

1

T

J

= 175°C

1.5

2

2.5

T

J

=

40°C

3

3.5

4

T

J

= 25°C

V

CE

= 5 V

100000

10000

1000

100

10

1.0

0.1

50

V

CE

= 175 V

V

CE

=

24

V

25

0

25

50

75

100

125

150 175

V

GE

，门到发射极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图7.传热特性

图8.集电极 - 发射极漏

电流与温度的关系

10000

2.50

栅极阈值电压（ V）

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

意思+ 4

s

意味着

4

s

意味着

C，电容（pF ）

1000

100

10

1.0

0.1

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

0

5

10

15

20

25

T

J

，结温（ ° C）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图9.栅极阈值电压与

温度

12

10

切换时间（ms ）

8

6

4

2

0

25

V

CC

= 300 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

I

C

= 9.0 A

R

L

= 33

W

50

75

100

125

150

175

t

秋天

t

延迟

12

10

切换时间（ms ）

8

6

4

2

0

25

图10.电容与

集电极 - 发射极电压

V

CC

= 300 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

I

C

= 9.0 A

L = 300

mH

t

延迟

t

秋天

50

75

100

125

150

175

T

J

，结温（ ° C）

T

J

，结温（ ° C）

图11.电阻开关下降时间对比

温度

图12.感应开关下降时间对比

温度

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5