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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第443页 > NGD18N40CLB
NGD18N40CLB
点火IGBT
18安培， 400伏
N沟道DPAK
这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能
单片电路集成ESD和过电压钳位
保护的感应线圈驱动器应用。主要用途
包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和
高电流开关是必需的。
特点
http://onsemi.com
理想的线圈式插头的应用
DPAK封装提供更小的占位面积增加了电路板空间
栅极 - 射极ESD保护
温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制
施加的应力加载
集成ESD保护二极管
新的设计增加松开电感开关（ UIS ）能源
单位面积
低阈值电压接口电源负载，以逻辑或
微处理器设备
低饱和电压
高脉冲电流能力
可选的栅极电阻（R
G
）和栅极 - 发射极电阻（R
GE
)
发射极镇流短路能力
无铅包装是可用*
18安培
400伏
V
CE （ON）的
3
2.0 V @
I
C
= 10 A，V
GE
.
4.5 V
C
G
R
G
R
GE
E
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
风格7
标记图
1
门
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
极 - 发射极电压
集电极电流连续
@ T
C
= 25°C
脉冲
ESD（人体模型）
R = 1500
Ω,
C = 100 pF的
ESD（机器模型）， R = 0
Ω,
C = 200 pF的
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CES
V
CER
V
GE
I
C
ESD
8.0
ESD
P
D
T
J
, T
英镑
800
115
0.77
55
to
+175
V
瓦
W / ℃，
°C
价值
430
430
18
15
50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
A
DC
A
AC
kV
2
集热器
3
辐射源
G18N40B
Y
WW
G
YWW
G18
N40BG
4
集热器
=器件代码
=年
=工作周
=无铅器件
订购信息
设备
NGD18N40CLBT4
NGD18N40CLBT4G
包
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
DPAK
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年5月
启示录7
1
出版订单号：
NGD18N40CLB/D
NGD18N40CLB
松开集电极到发射极雪崩特性
(55°
≤
T
J
≤
175°C)
特征
单脉冲集电极 - 发射极雪崩能量
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 21.1 A，L = 1.8 mH为起始物为
J
= 25°C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 16.2 A，L = 3.0 mH为起始物为
J
= 25°C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 18.3 A，L = 1.8 mH为起始物为
J
= 125°C
反向雪崩能量
V
CC
= 100 V, V
GE
= 20 V ，PK我
L
= 25.8 A，L = 6.0 mH为起始物为
J
= 25°C
符号
E
AS
价值
400
400
300
mJ
2000
单位
mJ
E
的AS （R） -
最大短路时代
(55°C
≤
T
J
≤
150°C)
短路耐受时间1 （见图17 ， 3脉冲10 ms周期）
短路承受时间2 （见图18 ， 3脉冲10 ms周期）
t
sc1
t
sc2
R
θJC
DPAK （注1 ）
R
θJA
T
L
750
5.0
ms
ms
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.3
95
275
° C / W
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
电气特性
特征
符号
测试条件
温度
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极电压钳位
BV
CES
I
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安
零栅极电压集电极电流
I
CES
T
J
=
40°C
to
150°C
T
J
=
40°C
to
150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
=
24
V
反向集电极 - 发射极电压钳位
B
VCES （R）的
I
C
=
75
mA
栅极 - 射极电压钳位
栅极 - 射极漏泄电流
栅极电阻
门极电阻
BV
GES
I
GES
R
G
R
GE
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
I
G
= 5.0毫安
V
GE
= 10 V
T
J
=
40°C
to
150°C
T
J
=
40°C
to
150°C
T
J
=
40°C
to
150°C
T
J
=
40°C
to
150°C
380
390
27
30
25
11
384
10
395
405
2.0
10
1.0
0.7
12
0.1
33
36
32
13
640
70
16
420
430
20
40*
10
2.0
1.0
25*
1.0
37
40
35
15
700
26
V
DC
μA
DC
Ω
V
DC
V
CE
= 350 V,
V
GE
= 0 V
V
CE
= 15 V,
V
GE
= 0 V
μA
DC
反向集电极 - 发射极漏电流
I
ECS
mA
V
DC
kΩ
1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
*在整个温度范围的最大特征值。
http://onsemi.com
2
NGD18N40CLB
电气特性
（续）
特征
符号
测试条件
温度
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
V
GE （日）
I
C
= 1.0毫安，
V
GE
= V
CE
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
=
40°C
T
J
= 25°C
T
J
=
40°C
to
150°C
1.1
0.75
1.2
1.0
0.9
1.1
1.3
1.2
1.4
1.4
1.4
1.4
1.8
2.0
1.7
1.3
1.3
1.4
8.0
1.4
1.0
1.6
3.4
1.4
1.3
1.45
1.6
1.55
1.6
1.8
1.8
1.8
2.2
2.4
2.1
1.8
1.75
1.8
14
1.9
1.4
2.1*
1.6
1.6
1.7*
1.9*
1.8
1.9*
2.05
2.0
2.1*
2.5
2.6*
2.5
2.0*
2.0*
2.0*
1.65
25
姆欧
毫伏/°C的
V
DC
V
DC
阈值温度系数
（负向）
集电极 - 发射极导通电压
V
CE （ON）的
I
C
= 6.0 A,
V
GE
= 4.0 V
I
C
= 8.0 A,
V
GE
= 4.0 V
I
C
= 10 A,
V
GE
= 4.0 V
I
C
= 15 A,
V
GE
= 4.0 V
I
C
= 10 A,
V
GE
= 4.5 V
I
C
= 6.5 A,
V
GE
= 3.7 V
正向跨导
政府飞行服务队
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 6.0 A
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
400
V
CC
= 25 V, V
GE
= 0 V
F = 1.0 MHz的
T
J
=
40°C
to
150°C
50
4.0
800
75
7.0
1000
100
10
pF
开关特性
关断延迟时间（电阻）
下降时间（电阻）
导通延迟时间
上升时间
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
V
CC
= 300 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 46
Ω,
V
CC
= 300 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 46
Ω,
V
CC
= 10 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 1.5
Ω
V
CC
= 10 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 1.5
Ω
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
4.0
9.0
0.7
4.5
10
15
4.0
7.0
微秒
微秒
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
μS,
占空比
v
2%.
*在整个温度范围的最大特征值。
http://onsemi.com
3
NGD18N40CLB
典型电气特性
（除非另有说明）
60
I
C,
集电极电流（安培）
I
C,
集电极电流（安培）
V
GE
= 10 V
50
40
30
20
3V
10
0
2.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 25°C
5V
4.5 V
4V
3.5 V
60
50
4.5 V
40
T
J
=
40°C
30
20
3V
10
0
2.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4V
3.5 V
V
GE
= 10 V
5V
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
图1.输出特性
60
I
C,
集电极电流（安培）
50
5V
40
T
J
= 150°C
30
20
10
0
4.5 V
4V
3.5 V
3V
2.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
60
I
C,
集电极电流（安培）
V
GE
= 10 V
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
图2.输出特性
V
CE
= 10 V
T
J
=
40°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
V
GE
，门到发射极电压（伏）
图3.输出特性
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
集电极到发射极电压（伏）
图4.传输特性
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GE
= 5 V
I
C
= 25 A
I
C
= 20 A
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
3
2.5
I
C
= 15 A
2
1.5
1
0.5
0
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
T
J
= 25°C
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
，结温（ ° C）
栅极 - 发射极电压（伏）
图5.集电极 - 发射极饱和
电压与结温
图6.集电极 - 发射极电压与
门极 - 发射极电压
http://onsemi.com
4
NGD18N40CLB
集电极到发射极电压（伏）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
T
J
= 150°C
10000
1000
100
10
1
0
3
4
5
6
7
8
9
10
门到发射极电压（伏）
C
国际空间站
C，电容（pF ）
C
OSS
C
RSS
0
20
40
60
80
100 120
140 160 180 200
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
图7.集电极 - 发射极电压与
门极 - 发射极电压
2
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50 30 10
10
30
50
70
90
110 130 150
V
TH
I
L
， LATCH电流（安培）
1.8
V
TH
+ 4
σ
V
TH
4
σ
30
25
20
15
10
5
0
50 25
图8.电容变化
栅极阈值电压（伏）
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
Ω
L = 1.8 mH的
L = 3 mH的
L = 6 mH的
0
25
50
75
100
125
150 175
温度（℃）
温度（℃）
图9.栅极阈值电压随
温度
30
I
L
， LATCH电流（安培）
25
L = 1.8 mH的
20
15
10
5
0
50 25
L = 3 mH的
L = 6 mH的
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
Ω
12
10
切换时间（ μS ）
8
6
图10.最小开启辅助锁存器
电流与温度
V
CC
= 300 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
Ω
I
C
= 10 A
L = 300
μH
t
f
t
D（关闭）
4
2
0
50 30 10
0
25
50
75
100
125
150
175
10
30
50
70
90
110 130 150
温度（℃）
温度（℃）
图11.典型的开放式辅助锁存器
电流与温度
图12.感应开关下降时间
与温度的关系
http://onsemi.com
5
NGD18N40CLBT4
点火IGBT
18安培， 400伏
N沟道DPAK
这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能
单片电路集成ESD和过电压钳位
保护的感应线圈驱动器应用。主要用途
包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和
高电流开关是必需的。
http://onsemi.com
理想的线圈式插头的应用
DPAK封装提供更小的占位面积增加了电路板空间
栅极 - 射极ESD保护
温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制
施加的应力加载
集成ESD保护二极管
新的设计增加松开电感开关（ UIS ）能源
单位面积
低阈值电压接口电源负载，以逻辑或
微处理器设备
低饱和电压
高脉冲电流能力
可选的栅极电阻（R
G
）和栅极 - 发射极电阻（R
GE
)
发射极镇流短路能力
18安培
400伏
V
CE （ON）的
3
2.0 V @
I
C
= 10 A，V
GE
.
4.5 V
C
G
RG
RGE
E
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
风格7
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
极 - 发射极电压
集电极电流连续
@ T
C
= 25°C - 脉冲
ESD（人体模型）
R = 1500
,
C = 100 pF的
ESD（机器模型）， R = 0
,
C = 200 pF的
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CES
V
CER
V
GE
I
C
ESD
8.0
ESD
P
D
T
J
, T
英镑
800
115
0.77
-55
+175
V
瓦
W / ℃，
°C
G18N40B = NGD18N40CLB
Y
=年
WW
=工作周
价值
430
430
18
15
50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
A
DC
A
AC
kV
1
门
2
集热器
3
辐射源
YWW
G18
N40B
4
集热器
记号
图
订购信息
设备
NGD18N40CLB
NGD18N40CLBT4
包
DPAK
DPAK
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版5
出版订单号：
NGD18N40CLB/D
NGD18N40CLBT4
松开集电极到发射极雪崩特性
(55°
≤
T
J
≤
175°C)
特征
单脉冲集电极 - 发射极雪崩能量
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 21.1 A，L = 1.8 mH为起始物为
J
= 25°C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 16.2 A，L = 3.0 mH为起始物为
J
= 25°C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V ，PK我
L
= 18.3 A，L = 1.8 mH为起始物为
J
= 125°C
反向雪崩能量
V
CC
= 100 V, V
GE
= 20 V ，PK我
L
= 25.8 A，L = 6.0 mH为起始物为
J
= 25°C
符号
E
AS
400
400
300
E
的AS （R） -
2000
mJ
价值
单位
mJ
最大短路时代
(55°C
≤
T
J
≤
150°C)
短路耐受时间1 （见图17 ， 3脉冲10 ms周期）
短路承受时间2 （见图18 ， 3脉冲10 ms周期）
t
sc1
t
sc2
750
5.0
ms
ms
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
DPAK （注1 ）
R
θJC
R
θJA
T
L
1.3
95
275
° C / W
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
电气特性
特征
符号
测试条件
温度
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极电压钳位
蛤
BV
CES
I
C
= 2 0毫安
2.0
I
C
= 10毫安
零栅极电压集电极电流
g
I
CES
V
CE
= 350 V,
V
GE
= 0 V
V
CE
= 15 V,
V
GE
= 0 V
反向集电极 - 发射极漏电流
g
I
ECS
V
CE
= 24 V
T
J
= -40°C至
40°C
150°C
T
J
= -40°C至
150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
反向集电极 - 发射极电压钳位
g
B
VCES （R）的
I
C
= -75毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
栅极 - 射极电压钳位
栅极 - 射极漏泄电流
栅极电阻（可选）
门极电阻
BV
GES
I
GES
R
G
R
GE
I
G
= 5.0毫安
V
GE
= 10 V
T
J
= -40°C至
150°C
T
J
= -40°C至
150°C
T
J
= -40°C至
150°C
T
J
= -40°C至
150°C
380
390
27
30
25
11
384
10
395
405
2.0
10
1.0
0.7
12
0.1
33
36
32
13
640
70
16
420
430
20
40*
10
2.0
1.0
25*
1.0
37
40
35
15
700
26
V
DC
A
DC
V
DC
A
DC
mA
V
DC
k
1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
*在整个温度范围的最大特征值。
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电气特性
（续）
特征
符号
测试条件
温度
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
g
V
GE （日）
I
C
= 1 0毫安，
1.0 A
V
GE
= V
CE
阈值温度系数
（负向）
集电极 - 发射极导通电压
g
V
CE （ON）的
I
C
= 6.0 A,
V
GE
= 4.0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
I
C
= 8.0 A,
V
GE
= 4.0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
I
C
= 10 A,
V
GE
= 4.0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
I
C
= 15 A,
V
GE
= 4.0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
I
C
= 10 A,
V
GE
= 4.5 V
I
C
= 6.5 A,
V
GE
= 3.7 V
正向跨导
政府飞行服务队
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 6.0 A
T
J
= 150°C
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= -40°C至
150°C
1.1
0.75
1.2
1.0
0.9
1.1
1.3
1.2
1.4
1.4
1.4
1.4
1.8
2.0
1.7
1.3
1.3
1.4
8.0
1.4
1.0
1.6
3.4
1.4
1.3
1.45
1.6
1.55
1.6
1.8
1.8
1.8
2.2
2.4
2.1
1.8
1.75
1.8
14
1.9
1.4
2.1*
1.6
1.6
1.7*
1.9*
1.8
1.9*
2.05
2.0
2.1*
2.5
2.6*
2.5
2.0*
2.0*
2.0*
1.65
25
姆欧
毫伏/°C的
V
DC
V
DC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
CC
= 25 V, V
GE
= 0 V
F = 1.0 MHz的
T
J
= -40°C至
40°C
150°C
400
50
4.0
800
75
7.0
1000
100
10
pF
开关特性
关断延迟时间（电阻）
下降时间（电阻）
导通延迟时间
上升时间
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
V
CC
= 300 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 46
,
V
CC
= 300 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 46
,
V
CC
= 10 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 1.5
V
CC
= 10 V，I
C
= 6.5 A
R
G
= 1.0千欧，R
L
= 1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
4.0
9.0
0.7
4.5
10
15
4.0
7.0
微秒
微秒
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
S,
占空比
v
2%.
*在整个温度范围的最大特征值。
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典型电气特性
（除非另有说明）
60
I
C,
集电极电流（安培）
I
C,
集电极电流（安培）
V
GE
= 10 V
50
40
30
20
3V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
2.5 V
T
J
= 25°C
5V
4.5 V
4V
3.5 V
60
V
GE
= 10 V
50
4.5 V
40
T
J
= 40°C
30
3.5 V
20
3V
10
2.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
4V
5V
图1.输出特性
60
I
C,
集电极电流（安培）
V
GE
= 10 V
50
5V
40
T
J
= 150°C
30
4V
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
3.5 V
3V
2.5 V
4.5 V
60
I
C,
集电极电流（安培）
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
图2.输出特性
V
CE
= 10 V
T
J
= 40°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
，门到发射极电压（伏）
图3.输出特性
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
集电极到发射极电压（伏）
图4.传输特性
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
I
C
= 10 A
1.5
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
C
= 5 A
V
GE
= 5 V
I
C
= 25 A
I
C
= 20 A
I
C
= 15 A
3
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 15 A
2
1.5
1
0.5
0
3
4
5
6
7
8
9
10
栅极 - 发射极电压（伏）
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
T
J
，结温（ ° C）
图5.集电极 - 发射极饱和
电压与结温
图6.集电极 - 发射极电压与
门极 - 发射极电压
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4
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集电极到发射极电压（伏）
3
2.5
2
1.5
I
C
= 5 A
1
0.5
0
3
4
5
6
7
8
9
10
门到发射极电压（伏）
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
T
J
= 150°C
10000
C
国际空间站
C，电容（pF ）
1000
100
C
OSS
10
C
RSS
1
0
0
20
40
60
80
100 120
140 160 180 200
V
CE
，集电极到发射极电压（伏）
图7.集电极 - 发射极电压与
门极 - 发射极电压
2
I
L
， LATCH电流（安培）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50 30 10
10
30
50
70
90
110 130 150
0
50 25
V
TH
4
σ
V
TH
+ 4
σ
V
TH
30
25
20
15
10
5
图8.电容变化
栅极阈值电压（伏）
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
L = 1.8 mH的
L = 3 mH的
L = 6 mH的
0
25
50
75
100
125
150 175
温度（℃）
温度（℃）
图9.栅极阈值电压随
温度
30
I
L
， LATCH电流（安培）
25
L = 1.8 mH的
20
15
10
5
0
50 25
L = 3 mH的
L = 6 mH的
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
12
10
切换时间（ μS ）
8
6
图10.最小开启辅助锁存器
电流与温度
V
CC
= 300 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
I
C
= 10 A
L = 300
H
t
f
t
D（关闭）
4
2
0
50 30 10
0
25
50
75
100
125
150
175
10
30
50
70
90
110 130 150
温度（℃）
温度（℃）
图11.典型的开放式辅助锁存器
电流与温度
图12.感应开关下降时间
与温度的关系
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