【NGB8204N点火IGBT18安培， 400伏N沟2PAK这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT】,IC型号NGB8204N,NGB8204N PDF资料,NGB8204N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NGB8204N

点火IGBT

18安培， 400伏

N沟

2

PAK

这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能

单片电路集成ESD和过压钳位

保护的感应线圈驱动器应用。主要用途

包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和

高电流开关是必需的。

特点

http://onsemi.com

18安培， 400伏

V

CE （ON）的

3

2.0 V @

I

C

= 10 A，V

GE

.

4.5 V

C

理想的线圈式插头的应用

栅极 - 射极ESD保护

温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制

施加的应力加载

集成ESD保护二极管

新的设计增加松开电感开关（ UIS ）能源

单位面积

低阈值电压为接口电源负载或逻辑

微处理器设备

低饱和电压

高脉冲电流能力

集成门极 - 发射极电阻（R

GE

)

发射极镇流短路能力

无铅包装是否可用

G

R

GE

E

D

2

PAK

CASE 418B

方式4

1

标记图

4

集热器

GB

8204NG

AYWW

1

门

GB8204N

A

Y

WW

G

3

辐射源

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

极 - 发射极电压

集电极电流连续

@ T

C

= 25°C

脉冲

ESD（人体模型）

R = 1500

W,

C = 100 pF的

ESD（机器模型）， R = 0

W,

C = 200 pF的

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

CES

V

CER

V

GE

I

C

ESD

P

D

T

J

, T

英镑

价值

430

18

50

8.0

800

115

0.77

55

to

+175

单位

V

DC

V

DC

V

DC

A

DC

A

AC

kV

V

W

W / ℃，

°C

2

集热器

=器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

设备

NGB8204NT4

NGB8204NT4G

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

800 /磁带&卷轴

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年8月，

第3版

1

出版订单号：

NGB8204N/D

NGB8204N

松开集电极到发射极雪崩特性

(55°

≤

T

J

≤

175°C)

特征

单脉冲集电极 - 发射极雪崩能量

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 21.1 A，L = 1.8 mH为起始物为

J

= 25°C

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 18.3 A，L = 1.8 mH为起始物为

J

= 125°C

反向雪崩能量

V

CC

= 100 V, V

GE

= 20 V ，PK我

L

= 25.8 A，L = 6.0 mH为起始物为

J

= 25°C

最大短路时代

(55°C

≤

T

J

≤

150°C)

短路耐受时间1 （见图17 ， 3脉冲10 ms周期）

短路承受时间2 （见图18 ， 3脉冲10 ms周期）

t

sc1

t

sc2

750

5.0

ms

符号

E

AS

价值

400

300

2000

单位

mJ

E

的AS （R） -

mJ

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

D

2

PAK （注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

T

L

价值

1.3

50

275

单位

° C / W

°C

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒（注2 ）

1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

2.有关详细信息，请参阅焊接与安装技术参考Manua ， SOLDERRM / D 。

电气特性

特征

开关特性

集电极 - 发射极电压钳位

BV

CES

I

CES

V

CE

= 350 V,

V

GE

= 0 V

反向集电极 - 射极漏泄

当前

I

ECS

V

CE

=

24

V

B

VCES （R）的

I

C

=

75

mA

BV

GES

I

GES

R

GE

V

GE （日）

I

G

= 5.0毫安

V

GE

= 10 V

I

C

= 2.0毫安

I

C

= 10毫安

零栅极电压集电极电流

T

J

=

40°C

至150℃

T

J

=

40°C

至150℃

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

反向集电极 - 发射极钳位

电压

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

栅极 - 射极电压钳位

栅极 - 射极漏泄电流

门极电阻

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

I

C

= 1.0毫安，

V

GE

= V

CE

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

阈值温度系数

（负向）

1.1

0.75

1.2

1.4

1.0

1.6

3.4

1.9

1.4

2.1*

毫伏/°C的

V

DC

T

J

=

40°C

至150℃

T

J

=

40°C

至150℃

T

J

=

40°C

至150℃

380

390

27

30

25

11

384

10

395

405

2.0

10

1.0

0.7

12

0.1

33

36

32

13

640

16

420

430

10

40*

10

1.0

25*

1.0

37

40

35

15

700

26

V

DC

mA

DC

k

W

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

V

DC

mA

DC

mA

V

DC

*在整个温度范围的最大特征值。

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

http://onsemi.com

2

NGB8204N

电气特性

特征

基本特征

（注3）

集电极 - 发射极导通电压

V

CE （ON）的

I

C

= 6.0 A,

V

GE

= 4.0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

=

40°C

至150℃

1.0

0.9

1.1

1.3

1.2

1.4

1.5

1.4

1.8

2.0

1.7

1.3

1.4

8.0

1.4

1.3

1.45

1.6

1.55

1.6

1.8

2.2

2.4

2.1

1.8

1.75

1.8

14

1.6

1.7*

1.9*

1.8

1.9*

2.0

2.1*

2.5

2.6*

2.5

2.0*

25

姆欧

V

DC

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

I

C

= 8.0 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 10 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 15 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 10 A,

V

GE

= 4.5 V

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

关断延迟时间（电阻）

下降时间（电阻）

导通延迟时间

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千瓦，R

L

= 46

W,

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千瓦，R

L

= 46

W,

V

CC

= 10 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千瓦，

R

L

= 1.5

W

V

CC

= 10 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千瓦，

R

L

= 1.5

W

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

CC

= 25 V, V

GE

= 0 V

F = 1.0 MHz的

政府飞行服务队

V

CE

= 5.0 V,

I

C

= 6.0 A

T

J

=

40°C

至150℃

400

50

4.0

800

75

7.0

4.0

9.0

0.7

1000

100

10

15

4.0

pF

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

毫秒

上升时间

t

r

T

J

= 25°C

4.5

7.0

*在整个温度范围的最大特征值。

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

http://onsemi.com

3

NGB8204N

典型电气特性

（除非另有说明）

60

50

40

30

20

3V

10

0

2.5 V

0

3

5

7

2

4

6

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

1

8

T

J

= 25°C

60

50

4.5 V

40

T

J

=

40°C

30

20

3V

10

0

2.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

CE

，集电极到发射极电压（伏）

4V

3.5 V

I

C,

集电极电流（安培）

I

C,

集电极电流（安培）

V

GE

= 10 V

5V

4.5 V

4V

3.5 V

V

GE

= 10 V

5V

图1.输出特性

图2.输出特性

I

C,

集电极电流（安培）

V

GE

= 10 V

5V

I

C,

集电极电流（安培）

60

50

40

T

J

= 150°C

30

20

10

0

60

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

T

J

= 25°C

V

CE

= 10 V

T

J

=

40°C

T

J

= 150°C

4.5 V

4V

3.5 V

3V

2.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

8

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

GE

，门到发射极电压（伏）

图3.输出特性

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

50

25

0

25

50

75

100

125

150

V

GE

= 5 V

I

C

= 25 A

I

C

= 20 A

I

C

= 15 A

I

C

= 10 A

I

C

= 5 A

3

2.5

图4.传输特性

集电极到发射极电压（ V）

T

J

= 25°C

I

C

= 15 A

2

1.5

1

0.5

0

I

C

= 10 A

I

C

= 5 A

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

，结温（ ° C）

栅极 - 发射极电压（V）的

图5.集电极 - 发射极饱和

电压与结温

图6.集电极 - 发射极电压与

门极 - 发射极电压

http://onsemi.com

4

NGB8204N

3

集电极到发射极电压（ V）

2.5

2

1.5

1

0.5

0

I

C

= 15 A

I

C

= 10 A

I

C

= 5 A

T

J

= 150°C

10000

1000

100

10

1

0

3

4

5

6

7

8

9

10

门到发射极电压（ V）

C

国际空间站

C，电容（pF ）

C

OSS

C

RSS

0

20

40

60

80

100 120

140 160 180 200

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图7.集电极 - 发射极电压与

门极 - 发射极电压

图8.电容变化

2

栅极阈值电压（ V）

I

L

， LATCH电流（安培）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50 30 10

10

30

50

70

90

110 130 150

V

TH

+ 4

s

V

TH

4

s

V

TH

30

25

20

15

10

5

0

50 25

L = 2 mH的

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

L = 3 mH的

L = 6 mH的

0

25

50

75

100

125

150 175

温度（℃）

图9.栅极阈值电压随

温度

图10.最小开启辅助锁存器

电流与温度

30

I

L

， LATCH电流（安培）

25

L = 2 mH的

20

15

10

5

0

50 25

L = 3 mH的

L = 6 mH的

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

12

10

切换时间（ms ）

8

6

t

D（关闭）

4

2

0

50 30 10

V

CC

= 300 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

W

I

C

= 10 A

L = 300

mH

t

f

0

25

50

75

100

125

150

175

10

30

50

70

90

110 130 150

温度（℃）

图11.典型的开放式辅助锁存器

电流与温度

图12.感应开关下降时间

与温度的关系

http://onsemi.com

5