初步
Sirenza的微器件？ NGA -286是一种高性能的镓
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。 DE-
用的InGaP工艺技术签署了提高可靠性，一
达林顿配置用于宽带性能达
到6 GHz 。异质结增加了击穿电压和
最大程度地减少结之间的漏电流。取消
发射结的非线性导致更高的抑制
互调产物。
产品说明
NGA-286
DC -6000兆赫，可级联的GaAs
HBT MMIC放大器
请参阅应用笔记AN- 059的候补
过时的
小信号增益与频率的关系
25
20
15
dB
产品特点
高增益： 14.8分贝在1950Mhz
可级联50欧姆： 1.3 ： 1 VSWR
工作在单电源
低热阻封装
无条件稳定
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
单位
DBM
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
DC - 5000 M Hz的
DC - 5000 M Hz的
2000 M Hz的
分钟。
TY页。
15.2
15.2
15.5
32.0
31.4
30.9
15.6
14.8
14.4
3800
1.3:1
1.3:1
3.4
4.0
45
50
120
55
马克斯。
10
5
0
0
1
2
3
4
5
GHz的频率
参数
输出电网在1dB压缩
6
7
8
SY mbol
P
1dB
OIP
3
输出三阶截点
DBM
G
小信号增益
dB
M赫兹
-
-
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
输入VSWR
输出VSWR
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 75欧姆
I
D
= 50毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 101102冯OBS
初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
关键参数，在典型的工作频率：
测试条件
皮卡尔TY
25C
参数
(I
D
= 50mA时，除非另有说明）
单位
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
15.8
31.8
15.3
21.0
18.8
15.6
32.0
15.2
20.0
18.8
14.8
31.4
15.2
17.1
18.7
14.4
30.9
15.5
16.0
18.6
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
10
mA
6V
+10 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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2
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
S参数在频率，在25℃
S21 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
S12 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
25
20
15
dB
0
-5
-10
dB
-15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
S11 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
S22 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
0
-5
-10
dB
0
-5
-10
dB
-15
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
1
4
NGA-286
3
C
B
RF OUT
2
ecommended B IAS esistor值我
D
=50mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
39
8V
82
10 V
120
12 V
160
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
L
C
C
D
C
B
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
N2
C
B
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ N2 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
ESCRIPTION
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部的D blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
onnecti到地面。用vi一个洞
为了获得最佳性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
2, 4
GND
4
N2
1
2
3
RF OUT / RF输出和双为pi 。 D C电压I S
BIAS
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
部分N赭
NGA-286
鳗鱼SIZ ê
7"
EV冰/ R鳗鱼
1000
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
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5
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Sirenza的微器件？ NGA -286是一种高性能的镓
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。 DE-
用的InGaP工艺技术签署了提高可靠性，一
达林顿配置用于宽带性能达
到6 GHz 。异质结增加了击穿电压和
最大程度地减少结之间的漏电流。取消
发射结的非线性导致更高的抑制
互调产物。
产品说明
NGA-286
DC -6000兆赫，可级联的GaAs
HBT MMIC放大器
请参阅应用笔记AN- 059的候补
过时的
小信号增益与频率的关系
25
20
15
dB
产品特点
高增益： 14.8分贝在1950Mhz
可级联50欧姆： 1.3 ： 1 VSWR
工作在单电源
低热阻封装
无条件稳定
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
单位
DBM
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
DC - 5000 M Hz的
DC - 5000 M Hz的
2000 M Hz的
分钟。
TY页。
15.2
15.2
15.5
32.0
31.4
30.9
15.6
14.8
14.4
3800
1.3:1
1.3:1
3.4
4.0
45
50
120
55
马克斯。
10
5
0
0
1
2
3
4
5
GHz的频率
参数
输出电网在1dB压缩
6
7
8
SY mbol
P
1dB
OIP
3
输出三阶截点
DBM
G
小信号增益
dB
M赫兹
-
-
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
输入VSWR
输出VSWR
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 75欧姆
I
D
= 50毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
关键参数，在典型的工作频率：
测试条件
皮卡尔TY
25C
参数
(I
D
= 50mA时，除非另有说明）
单位
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
15.8
31.8
15.3
21.0
18.8
15.6
32.0
15.2
20.0
18.8
14.8
31.4
15.2
17.1
18.7
14.4
30.9
15.5
16.0
18.6
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
10
mA
6V
+10 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
S参数在频率，在25℃
S21 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
S12 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
25
20
15
dB
0
-5
-10
dB
-15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
S11 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
-20
-25
-30
0
1
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6
7
8
GHz的频率
S22 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
0
-5
-10
dB
0
-5
-10
dB
-15
-15
-20
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0
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GHz的频率
-20
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0
1
2
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8
GHz的频率
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NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
1
4
NGA-286
3
C
B
RF OUT
2
ecommended B IAS esistor值我
D
=50mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
39
8V
82
10 V
120
12 V
160
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
L
C
C
D
C
B
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
N2
C
B
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ N2 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
ESCRIPTION
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部的D blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
onnecti到地面。用vi一个洞
为了获得最佳性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
2, 4
GND
4
N2
1
2
3
RF OUT / RF输出和双为pi 。 D C电压I S
BIAS
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
部分N赭
NGA-286
鳗鱼SIZ ê
7"
EV冰/ R鳗鱼
1000
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.sirenza.com
EDS- 101102冯OBS
初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
http://www.sirenza.com
EDS- 101102冯OBS
初步
Sirenza的微器件？ NGA -286是一种高性能的镓
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。 DE-
用的InGaP工艺技术签署了提高可靠性，一
达林顿配置用于宽带性能达
到6 GHz 。异质结增加了击穿电压和
最大程度地减少结之间的漏电流。取消
发射结的非线性导致更高的抑制
互调产物。
产品说明
NGA-286
DC -6000兆赫，可级联的GaAs
HBT MMIC放大器
请参阅应用笔记AN- 059的候补
过时的
小信号增益与频率的关系
25
20
15
dB
产品特点
高增益： 14.8分贝在1950Mhz
可级联50欧姆： 1.3 ： 1 VSWR
工作在单电源
低热阻封装
无条件稳定
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
单位
DBM
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
DC - 5000 M Hz的
DC - 5000 M Hz的
2000 M Hz的
分钟。
TY页。
15.2
15.2
15.5
32.0
31.4
30.9
15.6
14.8
14.4
3800
1.3:1
1.3:1
3.4
4.0
45
50
120
55
马克斯。
10
5
0
0
1
2
3
4
5
GHz的频率
参数
输出电网在1dB压缩
6
7
8
SY mbol
P
1dB
OIP
3
输出三阶截点
DBM
G
小信号增益
dB
M赫兹
-
-
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
输入VSWR
输出VSWR
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 75欧姆
I
D
= 50毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 101102冯OBS
初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
关键参数，在典型的工作频率：
测试条件
皮卡尔TY
25C
参数
(I
D
= 50mA时，除非另有说明）
单位
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
15.8
31.8
15.3
21.0
18.8
15.6
32.0
15.2
20.0
18.8
14.8
31.4
15.2
17.1
18.7
14.4
30.9
15.5
16.0
18.6
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0dBm的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
10
mA
6V
+10 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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初步
过时的
NGA -286 DC- 6.0 GHz的4.0V的GaAs HBT
S参数在频率，在25℃
S21 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
S12 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
25
20
15
dB
0
-5
-10
dB
-15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
S11 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
S22 ，我
D
= 50mA时T = 25℃
0
-5
-10
dB
0
-5
-10
dB
-15
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的频率
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基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
1
4
NGA-286
3
C
B
RF OUT
2
ecommended B IAS esistor值我
D
=50mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
39
8V
82
10 V
120
12 V
160
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
L
C
C
D
C
B
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
N2
C
B
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ N2 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
ESCRIPTION
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部的D blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
onnecti到地面。用vi一个洞
为了获得最佳性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
2, 4
GND
4
N2
1
2
3
RF OUT / RF输出和双为pi 。 D C电压I S
BIAS
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
部分N赭
NGA-286
鳗鱼SIZ ê
7"
EV冰/ R鳗鱼
1000
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
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尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
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对于公差。
标称封装尺寸
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