初步数据表
的GaAs MES FET
4W / 8W C波段功率GaAs FET NEZ系列
4W / 8W C波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NEZ系列的微波功率的GaAs场效应管报价
高输出功率，高增益和高效率，在C波段
微波和卫星通信。
内部输入和输出电路匹配50
是
旨在提供增益和输出功率的平整度好
在分配的频段。
以减小热阻，该设备具有一个PHS
（镀散热器）的结构。
NEC的strigent质量保证和测试程序
保证最高的可靠性和性能。
包装尺寸
（单位：毫米）
0.5±0.1
2.5MIN.
C1.5 4PLACES
来源
R1.6 2PLACES
门
2.4
12.9±0.2
3.2
6.45±0.05
漏
17.0±0.2
21.0±0.3
10.7
2.5MIN.
选择图
NEZ部件编号
NEZ3642-4D ，8D， 8DD
NEZ4450-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ5964-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ6472-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ7177-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
NEZ7785-4D ， 4DD / 8D ， 8DD
频段（千兆赫）
3.6到4.2
+0.1
0.1
–0.05
5.0MAX.
0.2MAX.
2.6±0.2
1.6
4.4 5.0
5.9至6.45
6.4到7.2
7.1到7.7
7.7至8.5
12.0
特点
内部匹配50
高功率输出
高线性增益
高可靠性
低失真
一号文件P10981EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
4W / 8W C波段功率砷化镓场效应管NEZ系列
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
评级
NEZ -4D ， 4DD
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
I
G
P
T
*
总胆固醇
T
英镑
15
– 12
– 18
4.5
25
25
175
- 65 + 175
NEZ - 8D ， 8DD
15
–12
– 18
9.0
50
50
175
- 65 + 175
V
V
V
A
mA
W
C
C
特征
符号
单位
*T
C
= 25 C
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
饱和漏极电流
符号
I
DSS
产品型号
NEZ-4D
NEZ - 8D ， 8DD
捏-O FF电压
V
P
NEZ -4D ， 4DD
NEZ - 8D ， 8DD
跨导
g
m
NEZ -4D ， 4DD
NEZ - 8D ， 8DD
栅漏电压
B
VGD0
NEZ -4D ， 4DD
NEZ - 8D ， 8DD
热阻
R
th
NEZ -4D ， 4DD
NEZ - 8D ， 8DD
分钟。
1.0
2.0
– 3.5
– 3.5
—
—
20
20
—
—
典型值。
2.3
4.5
– 2.0
– 2.0
1300
2600
22
22
5.0
2.5
马克斯。
3.5
7.0
– 0.5
– 0.5
—
—
—
—
6.0
3.0
° C / W
V
mS
V
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 1 A
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 2 A
I
GD
= 15毫安
I
GD
= 30毫安
渠道情况
单位
A
测试条件
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
2
4W / 8W C波段功率砷化镓场效应管NEZ系列
4W性能规格（T
A
= 25 ° C，Z
P1dB
产品型号
（ dBm的）
*1
S
= ZL = 50
)
IM
3
（ DBC）
*4
GL
（ dB）的
IDS
(A)
*2
GL
（ dB）的
*3, 4
η
添加
(%)
V
DS
测试条件
I
DS
（ RF OFF）
(V)
10
10
10
10
10
10
(A)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
频率IM
3
TEST
BAND
（千兆赫）
3.6到4.2
4.4 5.0
5.9至6.45
6.4到7.2
7.1到7.7
7.7至8.5
频率。
（千兆赫）
*5
4.2
5.0
6.45
7.2
7.7
8.5
MIN 。 TYP 。 MIN 。 TYP 。 TYP 。 MAX 。 MAX 。 TYP 。 MAX 。 TYP 。
NEZ3642-4D
35.5
36.5
36.5
36.5
36.5
36.5
36.5
10.0
9.5
9.0
8.0
7.5
7.0
11.0
10.5
10.0
9.0
8.5
8.0
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
43
40
37
35
33
33
NEZ4450-4D ， 4DD 35.5
NEZ5964-4D ， 4DD 35.5
NEZ6472-4D ， 4DD 35.5
NEZ7177-4D ， 4DD 35.5
NEZ7785-4D ， 4DD 35.5
注：* 1
在1分贝增益压缩点输出功率
*2
IDS值在P1dB为点指定。
*3
增益平坦度
*4
适用于 - 只有4DD选项
*5
IM
3
测试条件：
F = 10MHz时，双音测试，P
O
= 26dBm的（单载波电平）
最大工作极限
RG最大。
()
200
V
DS
马克斯。
(V)
10
RG max是栅极电源和FET栅极之间的最大串联电阻。
3
4W / 8W C波段功率砷化镓场效应管NEZ系列
8W性能规格（T
A
= 25 ° C，Z
P1dB
产品型号
（ dBm的）
*1
S
= ZL = 50
)
IM
3
（ DBC）
*4
GL
（ dB）的
IDS
(A)
*2
GL
（ dB）的
*3, 4
η
添加
(%)
V
DS
测试条件
I
DS
（ RF OFF）
(V)
10
10
10
10
10
10
(A)
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
频率IM
3
TEST
BAND
（千兆赫）
3.6到4.2
4.4 5.0
5.9至6.45
6.4到7.2
7.1到7.7
7.7至8.5
频率。
（千兆赫）
*5
4.2
5.0
6.45
7.2
7.7
8.5
MIN 。 TYP 。 MIN 。 TYP 。 TYP 。 MAX 。 MAX 。 TYP 。 MAX 。 TYP 。
NEZ3642-8D ， 8DD 38.5
NEZ4450-8D ， 8DD 38.5
NEZ5964-8D ， 8DD 38.5
NEZ6472-8D ， 8DD 38.5
NEZ7177-8D ， 8DD 38.5
NEZ7785-8D ， 8DD 38.5
39.5
39.5
39.5
39.5
39.5
39.5
10.0
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
11.0
10.5
9.5
8.5
8.0
7.5
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
– 45 – 42
40
37
35
32
30
30
注：* 1
在1分贝增益压缩点输出功率
*2
IDS值在P1dB为点指定。
*3
增益平坦度
*4
适用于 - 只有8DD选项
*5
IM
3
测试条件：
F = 10MHz时，双音测试，P
O
=为29dBm （单载波电平）
最大工作极限
RG最大。
()
100
V
DS
马克斯。
(V)
10
RG max是栅极电源和FET栅极之间的最大串联电阻。
4
4W / 8W C波段功率砷化镓场效应管NEZ系列
典型特征
(T
A
= 25 C)
NEZ3642-4D
总功耗对比
外壳温度
110
100
P
T
- 功耗 - W
P
OUT
（ dBm的）
I
D
(A)
2
35
输出功率与输入功率
测试条件：
频率= 3.9 （千兆赫） ，
V
DS
= 10.0 （ V）中，我
DS
= 0.8 (A),
P
OUT
: P
in
= 27.0 （ dBm的） ，
G
L
: P
in
= 20.0 （ dBm的） ，
R
g
= 200 ()
P
OUT
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
–4D/–4DD
–8D/–8DD
无限大的散热器
1
30
I
D
EFF
(%)
50
40
30
20
10
0
0
25
EFF
50 75 100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度 - C
15
20
25
P
in
- 输入功率 - dBm的
NEZ3642-8D/8DD
P
OUT
（ dBm的）
I
D
40
(A)
3
35
I
D
2
30
1
EFF
25
0
20
25
30
P
in
- 输入功率 - dBm的
EFF
(%)
50
40
30
20
10
0
输出功率与输入功率
测试条件：
频率= 3.9 （千兆赫） ，
V
DS
= 10.0 （ V）中，我
DS
= 1.6 (A),
P
OUT
: P
in
= 31.0 （ dBm的） ，
G
L
: P
in
= 20.0 （ dBm的） ，
R
g
= 100 ()
NEZ4450-4D/4DD
P
OUT
（ dBm的）
I
D
(A)
3
35
输出功率与输入功率
测试条件：
频率= 4.7 （千兆赫） ，V
DS
= 10.0 (V),
I
D
= 0.80 A，R
g
= 200
P
OUT
P
OUT
2
30
I
D
1
25
EFF
EFF
(%)
50
40
30
20
10
0
0
15
20
25
P
in
- 输入功率 - dBm的
30
5
QQ：2881677436 复制
