初步数据表
NEC的硅锗NPN
NESG3031M05
高频三极管
特点
低噪声指数和高增益
NF = 0.95 dB典型值，G
a
= 10 dB典型值@ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.2 GHz的
NF = 1.1 dB典型值，G
a
= 9.5 dB典型值@ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.8 GHz的
最大稳定功率增益：
味精= 14.0分贝TYP @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 5.8 GHz的
的SiGe HBT技术：
USH3过程中，f
最大
= 110 GHz的
M05包装：
扁平引脚4引脚薄型超minimold包
订购信息
产品型号
NESG3031M05
NESG3031M05-T1
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
T
j
T
英镑
评级
12.0
4.3
1.5
35
150
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
记
安装在38
×
38毫米， t为0.4毫米聚酰亚胺板
美国加州东部实验室
NESG3031M05
包装尺寸
（以毫米单位）
扁平引脚4引脚超薄型超级MINIMOLD （ M05 ， 2012 PACKAGE
2.05±0.1
1.25±0.1
3
T1K
4
1
2.0±0.1
0.65
2
0.65
0.59±0.05
引脚连接
1.
2.
3.
4.
BASE
辐射源
集热器
辐射源
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.11
+0.1
-0.05
0.30
+0.1
-0.05
1.30
04/05/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
初步数据表
NEC的硅锗NPN
NESG3031M05
高频三极管
特点
低噪声指数和高增益
NF = 0.95 dB典型值，G
a
= 10 dB典型值@ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.2 GHz的
NF = 1.1 dB典型值，G
a
= 9.5 dB典型值@ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.8 GHz的
最大稳定功率增益：
味精= 14.0分贝TYP @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 5.8 GHz的
的SiGe HBT技术：
USH3过程中，f
最大
= 110 GHz的
M05包装：
扁平引脚4引脚薄型超minimold包
订购信息
产品型号
NESG3031M05
NESG3031M05-T1
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
T
j
T
英镑
评级
12.0
4.3
1.5
35
150
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
记
安装在38
×
38毫米， t为0.4毫米聚酰亚胺板
美国加州东部实验室
NESG3031M05
包装尺寸
（以毫米单位）
扁平引脚4引脚超薄型超级MINIMOLD （ M05 ， 2012 PACKAGE
2.05±0.1
1.25±0.1
3
T1K
4
1
2.0±0.1
0.65
2
0.65
0.59±0.05
引脚连接
1.
2.
3.
4.
BASE
辐射源
集热器
辐射源
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.11
+0.1
-0.05
0.30
+0.1
-0.05
1.30
04/05/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
NPN硅锗RF晶体管
NESG3031M05
NPN硅锗RF晶体管
低噪声，高增益放大
FLAT - LEAD 4针薄型SUPER MINIMOLD （ M05 ， 2012 PKG ）
特点
该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择
NF = 0.6 dB典型值。 ，G
a
= 16.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 2.4 GHz的
NF = 0.95 dB典型值。 ，G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.2 GHz的
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 9.5 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.8 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 14.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 5.8 GHz的
的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F
最大
= 110 GHz的
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M05 ， 2012 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG3031M05
订单号
NESG3031M05-A
包
扁平引脚4引脚薄型超
minimold （ M05 ， 2012 PKG ）
NESG3031M05 -T1 NESG3031M05 -T1 -A
（无铅）
记
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
12.0
4.3
1.5
35
150
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10414EJ03V0DS （第3版）
发布日期2005年11月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
QQ：2880707522 复制
