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为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
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军队,包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息,使用合理的照顾,但瑞萨电子
不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG240034
NPN硅锗RF晶体管
UHF- BAND ,低噪声,低失真功放
3 - pin电源MINIMOLD ( 34 PKG )
特点
设备是低噪声,低失真放大的理想选择。
NF = 0.7 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
P
O(1 dB为单位)
= 24 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的
- OIP
3
= 35.5 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的
最大稳定功率增益:味精= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
的SiGe HBT技术( UHS2 ) :F
T
= 10.0 GHz的
本产品的改进NESG2xxx系列的ESD 。
3针电源minimold ( 34 PKG )
订购信息
产品型号
NESG240034
订单号
NESG240034-A
3 - Pin电源Minimold
( 34 PKG ) (无铅)
NESG240034-T1
NESG240034-T1-A
QUANTITY
25个
(无卷)
1千件/卷
12mm宽压纹带卷
引脚2(集电极)面对带的穿孔侧
杂志案
供给方式
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
样本股数量为25个。
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10769EJ02V0DS (第2版)
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2009
"场:修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NESG240034
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
基极电流
注1
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
I
B
I
C
P
合计
注2
评级
5.5
13
5.5
36
400
886
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
集电极电流
<R>
总功耗
结温
储存温度
T
j
T
英镑
注意事项1 。
依赖于ESD保护器件。
2.
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
热阻(T
A
= +25°C)
参数
符号
RTH
J- á
评级
141
单位
° C / W
<R>
特马尔电阻从结点到
环境
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
推荐工作范围(T
A
= +25°C)
参数
符号
I
C
分钟。
典型值。
40
马克斯。
单位
mA
<R>
集电极电流
2
数据表PU10769EJ02V0DS
NESG240034
电气特性(T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图(1)
噪声图(2)
相关联的增益( 1)
相关联的增益( 2)
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出
动力
输出3阶截取点
f
T
S
21e
NF1
NF2
G
a
1
G
a
2
C
re
注2
2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 0.4 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 15毫安
140
180
100
100
260
nA
nA
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50Ω
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50Ω
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CB
= 5 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Δ
F = 1 MHz时,Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
8.5
8.0
9.5
10.0
10.5
0.7
0.9
10.0
11.0
1.1
11.5
24
35.5
1.1
1.3
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
dB
DBM
DBM
味精
注3
P
O(1 dB为单位)
OIP
3
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
μ
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容时,发射器接地。
3.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
FB
SR
140 260
数据表PU10769EJ02V0DS
3
数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG240034
NPN硅锗RF晶体管
UHF- BAND ,低噪声,低失真功放
3 - pin电源MINIMOLD ( 34 PKG )
特点
设备是低噪声,低失真放大的理想选择。
NF = 0.7 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
P
O(1 dB为单位)
= 24 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的
- OIP
3
= 35.5 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的
最大稳定功率增益:味精= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
的SiGe HBT技术( UHS2 ) :F
T
= 10.0 GHz的
本产品的改进NESG2xxx系列的ESD 。
3针电源minimold ( 34 PKG )
订购信息
产品型号
NESG240034
订单号
NESG240034-A
3 - Pin电源Minimold
( 34 PKG ) (无铅)
NESG240034-T1
NESG240034-T1-A
QUANTITY
25个
(无卷)
1千件/卷
12mm宽压纹带卷
引脚2(集电极)面对带的穿孔侧
杂志案
供给方式
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
样本股数量为25个。
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10769EJ02V0DS (第2版)
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2009
"场:修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NESG240034
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
基极电流
注1
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
I
B
I
C
P
合计
注2
评级
5.5
13
5.5
36
400
886
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
集电极电流
<R>
总功耗
结温
储存温度
T
j
T
英镑
注意事项1 。
依赖于ESD保护器件。
2.
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
热阻(T
A
= +25°C)
参数
符号
RTH
J- á
评级
141
单位
° C / W
<R>
特马尔电阻从结点到
环境
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
推荐工作范围(T
A
= +25°C)
参数
符号
I
C
分钟。
典型值。
40
马克斯。
单位
mA
<R>
集电极电流
2
数据表PU10769EJ02V0DS
NESG240034
电气特性(T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图(1)
噪声图(2)
相关联的增益( 1)
相关联的增益( 2)
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出
动力
输出3阶截取点
f
T
S
21e
NF1
NF2
G
a
1
G
a
2
C
re
注2
2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 0.4 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 15毫安
140
180
100
100
260
nA
nA
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50Ω
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50Ω
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CB
= 5 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
V
CE
= 5 V,I
C
= 40 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V,I
C(套)
= 40 mA时, F = 1 GHz的,
Δ
F = 1 MHz时,Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
8.5
8.0
9.5
10.0
10.5
0.7
0.9
10.0
11.0
1.1
11.5
24
35.5
1.1
1.3
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
dB
DBM
DBM
味精
注3
P
O(1 dB为单位)
OIP
3
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
μ
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容时,发射器接地。
3.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
FB
SR
140 260
数据表PU10769EJ02V0DS
3
NESG240034
<R>
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
( mW)的
886
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
1 000
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米(t)的
FR–4
500
0
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
环境温度T
A
(°C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 5 V
10
1
0.1
0.01
0.001
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
400
4.0毫安
3.6毫安
3.2毫安
2.8毫安
2.4毫安
2.0毫安
1.6毫安
1.2毫安
0.8毫安
100
I
B
= 0.4毫安
0
0
集电极电流I
C
(MA )
300
200
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
4
数据表PU10769EJ02V0DS
NESG240034
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
1 000
V
CE
= 5V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
0.01
0.1
1
100
10
10
1
0.001
1
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
增益带宽积
与集电极电流
20
20
增益带宽积
与集电极电流
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 5 V,
F = 1 GHz的
15
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 3 V,
F = 1 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
0
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PU10769EJ02V0DS
5
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NESG240034
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NESG240034
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
SOT-89
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NESG240034
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-89
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

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联系人:郑
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